2024年8月23日
星期五
|
欢迎来到南京江宁区图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
安徽省红外与低温等离子体重点实验室基金(2007C002107D)
作品数:
1
被引量:2
H指数:1
相关作者:
方广志
李合琴
沈洪雪
更多>>
相关机构:
合肥工业大学
更多>>
发文基金:
安徽省自然科学基金
安徽省红外与低温等离子体重点实验室基金
更多>>
相关领域:
一般工业技术
更多>>
相关作品
相关人物
相关机构
相关资助
相关领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
1篇
中文期刊文章
领域
1篇
一般工业技术
主题
1篇
荧光
1篇
荧光光谱
1篇
光谱
1篇
光致
1篇
光致发光
1篇
红移
1篇
发光
1篇
P型
1篇
P型ZNO
1篇
P型ZNO薄...
1篇
掺氮
1篇
ZNO薄膜
机构
1篇
合肥工业大学
作者
1篇
沈洪雪
1篇
李合琴
1篇
方广志
传媒
1篇
压电与声光
年份
1篇
2009
共
1
条 记 录,以下是 1-1
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
掺氮ZnO薄膜的光致发光特性研究
被引量:2
2009年
采用射频磁控溅射技术,通过改变O2∶N2比在玻璃衬底上制备不同浓度N掺杂的ZnO薄膜,研究了掺杂薄膜的光致发光(PL)特性。观察到370~380nm、390~405nm附近的2个荧光峰。结果表明,随着薄膜中N掺杂量的不同,荧光峰峰位发生了相应的变化,强度也发生了明显的变化。当Ar∶O2∶N2为15∶7∶8时,薄膜中N含量最多,分别在374nm、391nm处出现了发光峰且发光强度最佳,此时薄膜已明显表现出p型ZnO薄膜的特征。
沈洪雪
李合琴
方广志
关键词:
P型ZNO薄膜
荧光光谱
红移
全选
清除
导出
共1页
<
1
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张