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In_xGa_(1-x)N/In_yGa_(1-y)N多量子阱结构发光特性的测量与分析被引量：1: 2009年; 利用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长了InxGa1-xN/InyGa1-yN多量子阱结构外延层,并用变温光致发光(PL)光谱、选择激发光谱以及激发(PLE)光谱等手段研究了该结构的量子效率、多峰效应的起源以及峰位随温度变化等信息。变温PL光谱的结果表明:在温度从30K变化到300K时,其峰值强度只下降了1.36倍且发光波长发生了蓝移。通过选择激发光谱证明了其发光峰位的独立性。PLE结果表明了GaN和势垒层的Stokes位移很小,但是InxGa1-xN阱层的Stokes位移变化很大。同时,提出了一种可同时获得多个吸收边的数据处理方法。; 郭洪英潘定珍范俊卿马旭戴振宏孙元平; 关键词：INGAN 激发光谱

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山东省自然科学杰出青年基金(2008JQB01028)