甘肃省科技支撑计划(090GKCA049)
- 作品数：3 被引量：8H指数：2
- 相关作者：刘肃王一帆王朝林岳红菊何少博更多>>
- 相关机构：兰州大学西安微电子技术研究所电子科技大学更多>>
- 发文基金：甘肃省科技支撑计划国家大学生创新性实验计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 300V以上硅基新型JBS肖特基二极管的制备被引量：2
- 2011年
- 为了在保留传统肖特基二极管正向压降低、电流密度大优点的基础上,使其反向击穿电压提高到了300 V以上,我们采用硅材料做为衬底,肖特基结区采用蜂房结构,终端采用两道场限环结构加一道切断环结构,所制备的肖特基二极管在正向电流10 A时,正向压降仅为0.79 V;同时在施加300 V反向电压时,反向漏电流在5μA以下。
- 王一帆王朝林刘肃何少博
- 关键词：肖特基二极管场限环
- Si基JBS整流二极管的设计与制备被引量：6
- 2012年
- 基于JBS整流二极管理论,详细介绍了一种Si基JBS整流二极管设计方法、制备工艺及测试结果。在传统肖特基二极管(SBD)有源区,利用光刻和固态源扩散工艺形成掺硼的蜂窝状结构,与n型衬底形成pn结,反向偏置时抑制了因电压增加引起的金属-半导体势垒高度降低,减小了漏电流;采用离子注入形成两道场限环的终端结构,有效防止了边缘击穿,提高了反向击穿电压。对制备的器件使用Tektronix 370B可编程特性曲线图示仪进行了I-V特性测试,结果表明本文设计的Si基JBS整流二极管正向压降VF=0.78 V(正向电流IF=5 A时),反向击穿电压可达340 V。
- 王朝林王一帆岳红菊刘肃
- 关键词：I-V特性场限环
- 溶胶-凝胶法制备Li_xMg_(0.2)Zn_(0.8-x)O四元合金薄膜及其性能表征被引量：1
- 2010年
- 采用sol-gel法在载玻片上制备了ZnO薄膜和LixMg0.2Zn0.8-xO四元合金薄膜。利用XRD、SEM、PL、范德堡法以及热探针等测试手段对LixMg0.2Zn0.8-xO四元合金薄膜的结构性能、表面形貌、光学特性和电学特性进行了表征。研究发现LixMg0.2Zn0.8-xO四元合金薄膜具有ZnO薄膜的结构特性,相对于ZnO薄膜LixMg0.2Zn0.8-xO四元合金薄膜的结晶性和晶粒尺寸显著提高,并且光致发光强度大大增强。在LixMg0.2Zn0.8-xO四元合金薄膜的光致发光谱中出现了紫外发光峰和可见发光峰,紫外发光峰随着Mg/Zn的值的增加向短波长方向移动,可见光的发光强度较紫光峰的强度更强。LixMg0.2Zn0.8-xO四元合金薄膜的电阻率约为103～104Ω.cm,并随着Li组分的增加而降低。
- 刘凤琼刘肃锁雅芹尹小丽常鹏温燕
- 关键词：光致发光
