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河北省自然科学基金(08B013)

作品数：3 被引量：0H指数：0
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文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇大直径
  • 4篇砷化镓
  • 4篇半绝缘
  • 4篇半绝缘砷化镓
  • 3篇SI-GAA...
  • 2篇电特性
  • 2篇退火
  • 2篇热退火
  • 2篇离子注入
  • 2篇快速热退火
  • 1篇光谱
  • 1篇光谱分析
  • 1篇红外
  • 1篇红外光
  • 1篇红外光谱
  • 1篇红外光谱分析
  • 1篇EL2
  • 1篇LEC

机构

  • 4篇河北工业大学
  • 1篇天津职业大学

作者

  • 4篇郝秋艳
  • 4篇刘彩池
  • 3篇孙卫忠
  • 3篇王丽华
  • 2篇王娜
  • 1篇王娜
  • 1篇刘红艳
  • 1篇解新建
  • 1篇王丽华

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇现代仪器
  • 1篇材料热处理学...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2009
  • 2篇2008
共 3 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
大直径LEC Si-GaAs中深施主缺陷的红外光谱分析
2009年
本文利用红外光谱分析技术系统分析大直径LEC (Light Energy Converter光能转换器)Si-GaAs中深施主缺陷EL2的浓度分布。实验结果表明,大直径LEC Si-GaAs深施主缺陷EL2浓度沿直径方向成w型分布,中心区域比较高,靠近中间区域最低,边缘区域最高。EL2是GaAs晶体中过量As存在的一种形式,其浓度强烈依赖过量As的浓度。晶体生长后的冷却过程中热应变场对过量As的分布会造成一定影响,同时位错密度的分布也会影响过量砷的分布,也就影响深施主缺陷EL2浓度的分布。
孙卫忠王娜王丽华郝秋艳刘彩池
关键词：半绝缘砷化镓EL2红外光谱分析
离子注入大直径SI-GaAs电特性的研究
用离子注入的方法把Si注入到大直径LEC SI-GaAs中,用霍尔测量方法研究了热处理条件对样品电特性的影响。发现在快速热退火温度为900℃、保温时间为5 s时,样品获得了最好的电激活效率。当退火温度高于950℃时,样品...
王娜王丽华孙卫忠郝秋艳刘彩池
关键词：半绝缘砷化镓离子注入电特性快速热退火
文献传递
离子注入大直径SI-GaAs电特性的研究
2008年
用离子注入的方法把Si注入到大直径LEC SI-GaAs中,用霍尔测量方法研究了热处理条件对样品电特性的影响。发现在快速热退火温度为900℃、保温时间为5s时,样品获得了最好的电激活效率。当退火温度高于950℃时,样品导电类型由n型变为p型。同时研究了离子注入前后样品电参数的径向分布规律。发现注入前后样品的电阻率均成U型分布,迁移率均成W型分布,而载流子浓度均成M型分布。离子注入及退火工艺并没有改变大直径GaAs电参数的径向分布规律,但注入后的高温热处理提高了晶体的电学均匀性。
王娜王丽华孙卫忠郝秋艳刘彩池
关键词：半绝缘砷化镓离子注入电特性快速热退火
热处理对大直径半绝缘砷化镓中EL2缺陷的影响
2012年
利用金相显微镜和微区红外测量技术分析热处理对液封直拉法生长的大直径半绝缘砷化镓(LEC SI-GaAs)单晶中深施主缺陷EL2的影响。结果表明,原生大直径SI-GaAs样品中EL2缺陷浓度沿直径方向的分布呈现中心区域较高、近中心区域最低、边缘区域最高的特点。500℃退火EL2缺陷浓度稳定,真空闭管并快速冷却条件下850℃以上退火时,EL2缺陷浓度随温度升高而下降。并分析了热处理对EL2缺陷的影响机理。
王丽华郝秋艳解新建刘红艳刘彩池
关键词：半绝缘砷化镓
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