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国家教育部博士点基金(20060335087)

作品数：1 被引量：5H指数：1
相关作者：林兰赵炳辉叶志镇吕建国龚丽更多>>
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇射频反应磁控...
  • 1篇退火
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射法
  • 1篇反应磁控溅射
  • 1篇P型
  • 1篇P型ZNO
  • 1篇P型ZNO薄...
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇磁控溅射法
  • 1篇N

机构

  • 1篇浙江大学

作者

  • 1篇别勋
  • 1篇龚丽
  • 1篇吕建国
  • 1篇叶志镇
  • 1篇赵炳辉
  • 1篇林兰

传媒

  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
射频反应磁控溅射法退火生长Na-N共掺杂p-ZnO薄膜被引量：5
2010年
采用射频反应磁控溅射法退火生长得到了Na-N共掺杂p-ZnO薄膜。XRD测试结果表明,退火前后均得到c轴择优取向的ZnO薄膜。Hall测试结果表明:退火后薄膜的电学性能明显改善,得到了p-ZnO薄膜,退火温度为450℃时取得最佳电学性能:室温电阻率为139.2Ω.cm,迁移率为0.2cm2.V-1.s-1,空穴浓度为2.5×1017cm-3。XPS分析表明:Na掺入ZnO中作为受主NaZn而存在,N主要以N—H键的形式存在,其受主NO的作用不明显,但是否存在NaZn-NO受主复合体,还需进一步的研究。
林兰叶志镇龚丽别勋吕建国赵炳辉
关键词：射频反应磁控溅射P型ZNO薄膜退火
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