教育部科学技术研究重点项目(211152)
- 作品数：9 被引量：30H指数：5
- 相关作者：毋志民赵若禺胡爱元王爱玲崔玉亭更多>>
- 相关机构：重庆师范大学更多>>
- 发文基金：教育部科学技术研究重点项目国家自然科学基金重庆市教委科研基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- Ag掺杂AlN半导体光电性质的第一性原理研究被引量：6
- 2014年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法,对Ag掺杂AlN 32原子超晶胞体系进行几何结构优化,计算并分析体系的电子结构、磁性和光学性质.结果表明:Ag掺杂后,Ag4d态电子与其近邻的N2p态电子发生杂化,引入杂质带形成受主能级,实现p型掺杂,使体系的导电能力增强,同时表现出金属性和弱磁性,其净磁矩为1.38μв.掺杂形成的N-Ag键电荷集居数较小,表现出强的离子键性质.掺杂后体系的介电函数虚部和光吸收谱在低能区出现新的峰值,同时复折射率函数在低能区发生变化,吸收边向低能方向延展,体系对长波吸收加强,能量损失明显减小.
- 邓军权毋志民王爱玲赵若禺胡爱元
- 关键词：铁磁性光学性质第一性原理
- 不同降温速率对大尺寸贵金属纳米团簇热力学性质的影响
- 采用分子动力学方法和原子嵌入模型势模拟了大尺寸贵金属纳米团簇Au_N、Ag_N、Cu_N和Pt_N(N=2340,2448,2616,2760,2916)的熔化和凝固过程。模拟结果表明具有较多原子数的团簇的熔点随团簇尺寸...
- 毋志民王爱玲周明发田健熊建波贾志林
- Cu/Mg掺杂AlN的电子结构和光吸收研究
- 2015年
- 采用平面波超软赝势和广义梯度近似的第一性原理计算方法,对本征Al N和掺杂体系Al N∶Cu,Al N∶Mg,Al N∶Cu-Mg的超晶胞进行了几何优化,计算了它们的电子结构、能带、态密度、磁矩及光学性质等。结果表明,Al N∶Cu,Al N∶Mg均表现为100%自旋注入,材料均具有半金属性质,其中Cu掺杂体系的半金属性更稳定;Al N∶Cu-Mg共掺体系在能隙深处产生杂质带,具有金属性,改善了材料的高阻抗现象。研究发现Cu掺杂体系的磁矩最大,Cu-Mg共掺体系较Mg单掺的净磁矩有所减少。进一步分析光学性质发现,杂质离子的引入使得低能区的介电函数和复折射率函数出现明显的峰值,其中共掺体系的峰值最大,明显增强了体系对低频电磁波的吸收。
- 鲜晶晶毋志民邓军权杨磊崔玉亭胡爱元赵若禺王敏娣
- 关键词：电子结构光吸收第一性原理
- Mn和Mn-Cd掺杂GaN物性的第一性原理研究
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理超软赝势方法,在局域密度泛函近似下,计算了Mn和Mn-Cd掺杂纤锌矿GaN的电子结构、光学和磁学等性质。结果表明:掺杂后体系均在能隙深处产生自旋极化杂质带,表现为半金属性,适于自旋注入,与...
- 王爱玲毋志民
- 关键词：第一性原理光学性质居里温度
- 文献传递
- 钙钛矿钴氧化物中钴离子自旋态的研究进展被引量：2
- 2015年
- 钙钛矿钴氧化物具有丰富的物理现象,特别是其Co离子自旋态的变化更为复杂,蕴藏着丰富的物理机理。由于材料本身存在的庞磁电阻效应使其在提高磁存储密度和制备磁敏感探测元件等领域有着很广阔的应用前景,受起了广泛关注。从介绍钙钛矿氧化物的结构入手,着重阐述了钙钛矿钴氧化物中Co离子自旋态转变的研究进展,并对钙钛矿钴氧化物中存在的其他物性进行了简单综述。
- 赵若禺毋志民王敏娣邓军权丁水燕
- 关键词：钴离子自旋态庞磁电阻效应
- GaN基和LiZnAs基稀磁半导体的研究进展被引量：2
- 2013年
- 综述了稀磁半导体及其研究进展,阐述了提高居里温度的方法。从晶体结构、材料的研究现状和待解决的问题几个方面详述了以GaN为代表的传统的Ⅲ-Ⅴ族基和LiZnAs为代表的新型Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基两类稀磁半导体的基本特点,并展望了今后的研究重点及发展方向。
- 王爱玲毋志民王聪赵若禺
- 关键词：晶体结构
- 第一性原理计算Cu-Cr共掺AlN稀磁半导体被引量：6
- 2016年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,结合广义梯度(GGA)近似对Cr单掺Al N和Cu-Cr共掺Al N的32原子超原胞体系进行几何结构优化,计算它们的晶格常数,能带结构,电子态密度以及光学性质.结果表明Cr单掺Al N和Cu-Cr共掺Al N均表现为半金属性质,带隙变窄,且Cu-Cr共掺体系自旋极化作用较Cr单掺强,材料表现出良好的铁磁性.共掺杂后,光吸收的范围增宽,体系对长波吸收加强,能量损失明显减小.
- 王静樊聪邓军权毋志民刘畅范凤胡爱元崔玉亭
- 关键词：第一性原理光学性质
- 新型稀磁半导体Mn掺杂LiZnAs的第一性原理研究被引量：10
- 2013年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,对纯LiZnAs,Mn掺杂的LiZnAs,Li过量和不足下Mn掺杂的LiZnAs体系进行几何结构优化,计算并对比分析了体系的电子结构、半金属性、光学性质及形成能.结果表明新型稀磁半导体Li(Zn0.875Mn0.125)As,Li1.1(Zn0.875Mn0.125)As和Li0.9(Zn0.875Mn0.125)As均表现为100%自旋注入,材料均具有半金属性,Li过量和不足下体系的半金属性明显增强.Li过量可以提高体系的居里温度,改善材料的导电性,使体系的形成能降低.说明LiZnAs半导体可以实现自旋和电荷注入机理的分离,磁性和电性可以分别通过Mn的掺入和Li的含量进行调控.进一步对比分析光学性质发现,低能区的介电函数虚部和复折射率函数明显受到Li的化学计量数的影响.
- 王爱玲毋志民王聪胡爱元赵若禺
- 新型稀磁半导体Cu掺杂LiMgN的电子结构和光学性质被引量：6
- 2015年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,对纯LiMgN,Cu掺杂LiMgN,以及Li过量和不足时Cu掺杂LiMgN体系进行几何结构优化,计算并分析体系的电子结构、半金属性、形成能及光学性质.结果表明,Cu掺入使体系产生自旋极化杂质带,表现出半金属性,且体系性质受Li计量数的影响.当Li不足时体系的杂质带宽度增大,半金属性增强,净磁矩增大,同时体系的形成能降低,居里温度提高.而当Li过量时,体系半金属性消失,但带隙值减小,导电能力增强.通过比较光学性质发现,Cu掺入后体系在低能区出现新的介电峰,且当Li不足时介电峰增强,同时复折射率函数也发生明显变化,体系对低频电磁波吸收加强.
- 邓军权毋志民杨武庆崔玉亭胡爱元赵若禺王敏娣
- 关键词：电子结构光学性质第一性原理
- Mn掺杂GaN稀磁半导体的电磁特性研究被引量：5
- 2015年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法计算了不同浓度Mn掺杂GaN(Ga1-xMnxN,x=0.0625和0.1250)的晶格常数、能带结构和态密度,分析比较了掺杂前后GaN的电子结构和磁性.结果表明:Mn掺入后体系仍为直接带隙半导体,带隙宽度随Mn含量的增加逐步增大.Mn掺杂GaN均使得N2p与Mn3d轨道杂化,产生自旋极化杂质带,自旋向上的能带占据费米面,掺杂后的Ga1-xMnxN表现为半金属铁磁性,适合自旋注入;随着Mn掺杂浓度的增加,体系的半金属性有所增强.
- 毋志民王蒙邓军权
- 关键词：电子结构磁性第一性原理
