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天津市自然科学基金(023601711)

作品数：3 被引量：15H指数：2
相关作者：杨保和王芳李明陈希明徐晟更多>>
相关机构：天津理工大学更多>>
发文基金：天津市自然科学基金国家自然科学基金天津市教委基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>
题名
作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇射频磁控
  • 2篇射频磁控溅射
  • 2篇声表面波
  • 2篇溅射
  • 2篇SAW
  • 2篇SAW器件
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇电阻
  • 1篇射频磁控溅射...
  • 1篇金刚石
  • 1篇溅射法
  • 1篇刚石
  • 1篇薄膜电阻
  • 1篇C轴
  • 1篇C轴取向
  • 1篇磁控溅射法
  • 1篇ZNO薄膜

机构

  • 3篇天津理工大学

作者

  • 2篇杨保和
  • 1篇王芳
  • 1篇杨晓苹
  • 1篇赵捷
  • 1篇熊瑛
  • 1篇孙大智
  • 1篇徐晟
  • 1篇陈希明
  • 1篇杨晓萍
  • 1篇李明

传媒

  • 2篇光电子．激光
  • 1篇天津理工大学...

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2006
  • 1篇2005
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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用于SAW器件的C轴择优取向LiNbO_3薄膜的制备及结构研究被引量：4
2006年
采用射频（RF）磁控溅射法在金刚石（111）衬底上沉积LiNbO3（LN）薄膜，借助X射线衍射技术（XRD），研究了外加偏压（0～80V）和衬底温度（200～500℃）等工艺参数对LiNbO3薄膜结构和取向性的影响。实验结果表明，在衬底温度为200℃、外加偏压为～80V的T艺条件下，LiNbO3的（006）衍射峰强度超过LN的（012）衍射峰强度，在金刚石（111）衬底上获得较高c轴取向的LN薄膜。并且对C轴择优取向LN薄膜的形成机理进行了探讨。
杨保和陈希明赵捷杨晓苹徐晟李明
关键词：金刚石射频磁控溅射
射频磁控溅射法LiNbO_3薄膜的制备及其影响因素研究被引量：2
2008年
采用射频磁控溅射法在Si(111)和Si(100)上制备LiNbO3薄膜.通过XRD技术探讨了硅基片取向和所制备的薄膜的取向之间的联系,研究了不同靶材对薄膜的影响,讨论了热处理温度、工艺和所制备的薄膜取向的关系.报道了在Si(111)基片上制备高c轴取向的LiNbO压电薄膜的制备方法.
孙大智熊瑛杨晓萍
关键词：射频磁控溅射
适用SAW器件的高C轴取向ZnO薄膜制备及性能分析被引量：9
2005年
探讨了高性能ZnO薄膜的制备工艺,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和高阻仪对各种条件下制备的薄膜进行了表征分析。研究表明:在一定温度范围内随退火温度上升薄膜C轴取向性更优;同时O空位的填充、自由Zn原子的氧化使得薄膜电阻率提高至107Ω·cm数量级;600℃为最佳退火处理温度,600℃退火处理的ZnO薄膜粗糙度小(RMS为2.486nm),且晶粒均匀致密,表面平整,是适于制备声表面波(SAW)器件的高C轴取向、高电阻率及较平坦的ZnO薄膜。
王芳杨保和
关键词：ZNO薄膜SAW器件C轴取向薄膜电阻
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