2025年3月18日
星期二
|
欢迎来到南京江宁区图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
您的位置:
专家智库
>
资助详情
>
天津市自然科学基金(023601711)
天津市自然科学基金(023601711)
作品数:
3
被引量:15
H指数:2
相关作者:
杨保和
王芳
李明
陈希明
徐晟
更多>>
相关机构:
天津理工大学
更多>>
发文基金:
天津市自然科学基金
国家自然科学基金
天津市教委基金
更多>>
相关领域:
电子电信
更多>>
相关作品
相关人物
相关机构
相关资助
相关领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
题名
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
3篇
中文期刊文章
领域
3篇
电子电信
主题
2篇
射频磁控
2篇
射频磁控溅射
2篇
声表面波
2篇
溅射
2篇
SAW
2篇
SAW器件
2篇
磁控
2篇
磁控溅射
1篇
电阻
1篇
射频磁控溅射...
1篇
金刚石
1篇
溅射法
1篇
刚石
1篇
薄膜电阻
1篇
C轴
1篇
C轴取向
1篇
磁控溅射法
1篇
ZNO薄膜
机构
3篇
天津理工大学
作者
2篇
杨保和
1篇
王芳
1篇
杨晓苹
1篇
赵捷
1篇
熊瑛
1篇
孙大智
1篇
徐晟
1篇
陈希明
1篇
杨晓萍
1篇
李明
传媒
2篇
光电子.激光
1篇
天津理工大学...
年份
1篇
2008
1篇
2006
1篇
2005
共
3
条 记 录,以下是 1-3
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
相关度排序
相关度排序
被引量排序
时效排序
用于SAW器件的C轴择优取向LiNbO_3薄膜的制备及结构研究
被引量:4
2006年
采用射频(RF)磁控溅射法在金刚石(111)衬底上沉积LiNbO3(LN)薄膜,借助X射线衍射技术(XRD),研究了外加偏压(0~80V)和衬底温度(200~500℃)等工艺参数对LiNbO3薄膜结构和取向性的影响。实验结果表明,在衬底温度为200℃、外加偏压为~80V的T艺条件下,LiNbO3的(006)衍射峰强度超过LN的(012)衍射峰强度,在金刚石(111)衬底上获得较高c轴取向的LN薄膜。并且对C轴择优取向LN薄膜的形成机理进行了探讨。
杨保和
陈希明
赵捷
杨晓苹
徐晟
李明
关键词:
金刚石
射频磁控溅射
射频磁控溅射法LiNbO_3薄膜的制备及其影响因素研究
被引量:2
2008年
采用射频磁控溅射法在Si(111)和Si(100)上制备LiNbO3薄膜.通过XRD技术探讨了硅基片取向和所制备的薄膜的取向之间的联系,研究了不同靶材对薄膜的影响,讨论了热处理温度、工艺和所制备的薄膜取向的关系.报道了在Si(111)基片上制备高c轴取向的LiNbO压电薄膜的制备方法.
孙大智
熊瑛
杨晓萍
关键词:
射频磁控溅射
适用SAW器件的高C轴取向ZnO薄膜制备及性能分析
被引量:9
2005年
探讨了高性能ZnO薄膜的制备工艺,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和高阻仪对各种条件下制备的薄膜进行了表征分析。研究表明:在一定温度范围内随退火温度上升薄膜C轴取向性更优;同时O空位的填充、自由Zn原子的氧化使得薄膜电阻率提高至107Ω·cm数量级;600℃为最佳退火处理温度,600℃退火处理的ZnO薄膜粗糙度小(RMS为2.486nm),且晶粒均匀致密,表面平整,是适于制备声表面波(SAW)器件的高C轴取向、高电阻率及较平坦的ZnO薄膜。
王芳
杨保和
关键词:
ZNO薄膜
SAW器件
C轴取向
薄膜电阻
全选
清除
导出
共1页
<
1
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张