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p型GaN上透明电极的研究现状: GaN 基发光器件通常采用金属作为 p 型 GaN 的接触电极,但由于金属透光率低,大大降低了器件的发光效率,解决办法之一就是采用透明导电薄膜作为其接触材料。本文在分析 p-GaN 上难以形成欧姆接触原因的基础上,提出了...; 董建新方亮张淑芳高岭孔春阳; 关键词：透明导电膜 GAN 欧姆接触透明电极; 文献传递

ZnO上肖特基接触的研究进展被引量：4: 2008年; 由于ZnO存在本征施主缺陷(锌间隙和氧空位),使得表面存在较高浓度的施主能级,难以获得肖特基接触。本文回顾了近年来在n型ZnO上制备肖特基接触的研究进展,对n型ZnO上制备肖特基接触的Au、Pt、Pd、Ag等金属方案的性能与特点,以及影响接触性能等因素,如表面处理和退火等进行了分析与归纳。同时,对p型ZnO上难以获得肖特基接触的原因进行了讨论。另外,由于Au、Pt等金属普遍存在热稳定差的问题,会降低ZnO基大功率器件的寿命,寻找能与n型ZnO能形成高热稳定性、低泄露电流、高势垒高度的肖特基接触材料是未来ZnO上肖特基光电器件的发展方向。; 方亮董建新张淑芳张文婷彭丽萍吴芳孔春阳; 关键词：ZNO 肖特基接触泄露电流

硅脂导热涂层改善LED散热性能的研究: 研究了导热硅脂(KE3493)涂层对水下密闭环境下应用的 LED 灯散热情况的影响,结果表明,LED 系统的集成电路板上加入导热涂层能提高 LED 系统的散热效率,研究结果为导热涂层应用于 LED 散热系统提供了参考数据...; 张淑芳方亮付光宗董建新陈勇; 关键词：散热性能 LED 硅脂; 文献传递

氮化铝薄膜改善LED散热性能的研究: 研究了氮化铝薄膜对 LED 灯散热情况的影响,并与导热硅脂(KS609)涂层的散热效果进行了比较, 结果表明：导热涂层能加强 LED 的散热,氮化铝薄膜散热效果优于导热硅脂;对红、白、绿3种颜色 LED, 相同条件下,散...; 陈勇方亮张淑芳董建新高岭; 关键词：氮化铝薄膜 LED 散热; 文献传递

透明导电CdIn2O4薄膜的结构和Seebeck效应: 2007年; 在Ar和O2混合气氛中,利用直流反应磁控溅射Cd-In合金靶制备了CdIn2O4(简称CIO)薄膜,利用AFM和XRD技术表征了薄膜的形貌和组成,用XPS分析了薄膜的化学成分和元素价态,并在室温下测量了CIO薄膜的Seebeck效应以及加入磁场后的Seebeck效应.实验结果表明:CIO薄膜是多晶薄膜,其表面粗糙度为1.60～2.60nm,晶粒大小为13～36nm,晶界清晰.它由CIO相和In2O3相组成,部分样品还含有微量的CdO相,退火处理后氧缺乏状态和氧充足状态的面积比由退火前的0.69增加到0.71,薄膜的导电性能得到提高.CIO薄膜具有非常明显的Seebeck效应,温差电动势随温差的增加而线性增加,温差电动势率随着电阻的增加而减小;加入磁场后,薄膜的温差电动势率变小.文章对制备条件和结构的关系以及Seebeck效应和加入磁场后的Seebeck效应的机理作了详细探讨.; 杨丰帆方亮李丽付光宗张勇李明伟喻江涛; 关键词：SEEBECK效应

In掺杂ZnO透明导电薄膜光电性质的研究被引量：5: 2009年; 采用射频磁控溅射技术成功制备出无掺杂和In掺杂的ZnO透明导电薄膜。研究了In掺杂对薄膜的结构和光电性能的影响。结果表明,In掺杂有利于提高ZnO薄膜结晶度,使薄膜表面更加致密平整;由于In3+替代了Zn2+,提供了大量的剩余电子,使薄膜的导电性质得到了很大的提高,所得薄膜的最小电阻率为4.3×10-3Ω.cm。制备的ZnO薄膜在可见光范围的透过率达到了85%,In的掺杂对透光率的影响不大。; 方亮彭丽萍杨小飞李艳炯孔春阳; 关键词：透明导电光电性质磁控溅射

ZnO上欧姆接触的研究进展: 为制备高性能的 ZnO 基器件如 uv 光发射器/ 探测器、场效应晶体管,在 ZnO 上形成优良的金属电极是十分必要的．回顾了近年来 ZnO 上制备欧姆接触的新进展,对在 n 型 ZnO 上制备欧姆接触的 Al,Al/P...; 董建新方亮张淑芳彭丽萍张文婷高岭; 关键词：ZNO 欧姆接触肖特基势垒透明电极; 文献传递

直流磁控溅射制备P型透明导电Ca掺杂SrCu2O2薄膜光电性能研究: 利用固相反应法制备了 Ca 掺杂 SrCuO多晶陶瓷靶(SrCaCuO),并采用直流磁控溅射法在 Si 和玻璃衬底上制备了 Ca 掺杂 SrCuO薄膜。通过 X 射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见双...; 黄秋柳方亮; 关键词：透明导电膜直流磁控溅射; 文献传递

衬底温度对磁控溅射氮化铝薄膜组成的影响: 采用高纯铝靶和氮/氩混合气氛,在玻璃衬底上用直流反应磁控溅射法制备了 AlN 薄膜,用 X 射线光电子能谱(XPS)分析了不同衬底温度下样品的组成。结果表明,AlN 薄膜主要含有 AlN,存在少量 AlO及一些其它杂质;...; 张淑芳方亮付光宗董建新彭丽萍; 关键词：氮化铝薄膜磁控溅射 XPS AFM; 文献传递

直流反应磁控溅射法制备CdIn_2O_4薄膜的光电性能研究被引量：2: 2007年; 利用直流反应磁控溅射法制备了CdIn2O4(CIO)薄膜,研究了氧浓度、基片温度、溅射时间和退火处理对薄膜光电性能的影响。结果表明:电阻率随着氧浓度的增加和溅射时间的减小而增加,随着基片温度的升高先减小后增加;透光率随着氧浓度、基片温度的增加和溅射时间的减小而增加。退火处理后,薄膜的电阻率降低,光吸收边发生"蓝移"。点缺陷对薄膜的光电性能产生重要影响,光吸收边的移动是"Burstein-Moss"效应和多体效应共同作用的结果。综合实验结果和理论研究,推荐了直流反应磁控溅射法制备CIO薄膜的最佳条件。此条件下制备薄膜的电阻率为2.95×10-4Ω.cm,波长为628 nm时薄膜的透光率高达91.7%。; 杨丰帆方亮孙建生徐勤涛吴苏友张淑芳董建新; 关键词：光电性能

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教育部“新世纪优秀人才支持计划”(NCET-05-0764)