河南省教育厅自然科学基金(2009A140008)
- 作品数：11 被引量：30H指数：3
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- 相关机构：郑州大学焦作大学洛阳理工学院更多>>
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- 相关领域：理学电子电信机械工程文化科学更多>>
- 太赫兹波段微腔器件的设计及其特性研究被引量：1
- 2012年
- 采用磁控溅射法制备了金属Cr膜,并利用太赫兹时域光谱法获得了其光学参数.利用Cr膜的光学参数计算了其相位穿透深度,设计了基于低温GaAs的全金属平面微腔光电导太赫兹辐射器件.模拟结果表明:器件的谐振频率分别为0.32,0.65,0.98,1.31和1.65 THz,与自由空间的光电导太赫兹谱相比,在谐振频率为0.32 THz处的峰值强度提高了25倍,光谱半高全宽压缩了50倍.讨论了辐射偶极子与腔内驻波场之间的耦合强度对器件辐射强度的影响,发现当辐射中心位于驻波场波腹处时,器件辐射最强,位于波节处时辐射被严重抑制.太赫兹波段微腔效应的研究对于实现单色性好,连续调谐,高效高辐射强度的太赫兹源具有一定的理论意义.
- 马凤英陈明刘晓莉刘建立池泉杜艳丽郭茂田袁斌
- 关键词：金属薄膜
- 电磁辅助纳米压印被引量：1
- 2010年
- 纳米压印技术是最近十几年提出的新的图形转移技术,此技术有产量高、成本低和工艺简单的优点,因此得到了飞速的发展。传统的纳米技术有热塑纳米压印技术、紫外固化纳米压印技术和微接触纳米压印技术。近几年又出现了纳米压印技术的新方法,如金属薄膜直写技术、滚轴式纳米压印技术、气压辅助纳米压印技术和静电辅助纳米压印技术。主要介绍利用静电辅助压印技术和气压辅助纳米压印技术相结合的一种新型纳米压印方法,并利用仿真软件Ansys进行仿真,通过仿真实验和理论研究,证明此方法是可行的。
- 段智勇罗康
- 关键词：纳米压印ANSYS
- 负折射超材料响应中心频率的液晶调控
- 2009年
- 提出开口金属环加液晶的三明治超材料结构,将优化的超材料金属环线结构单元与液晶相结合,采用外加电场调节液晶的介电系数,使该结构的负折射响应中心频率可在一定范围内较方便、反复的调整。通过模拟仿真和理论分析证明这是一个可行的结构模型。
- 路纲弓巧侠周强
- 关键词：超材料液晶
- 金属镜微腔发光方向性研究被引量：1
- 2010年
- 在抛光的K9玻璃衬底上,制作了结构为玻璃/Ag(30 nm)/Alq(120 nm)/Ag(30 nm)的全金属镜微腔结构。研究了在不同探测角度下器件谐振模式的角色散效应及其光谱半高宽(FWHM)的变化特性。微腔器件的谐振模式随偏离角度的增加而蓝移,当角度从0°到60°时,发光峰值相应地从585.8 nm蓝移到546.6 nm,光谱FWHM从26.8 nm增大到36.6 nm。分析并解释了光谱展宽以及谐振模式角色散效应的原因,提出了抑制微腔器件角色散的方法。
- 马凤英苏建坡郭茂田余振芳
- 关键词：微腔结构平板显示
- 超薄金属膜在太赫兹波段的光学特性研究被引量：5
- 2012年
- 超薄金属膜在太赫兹波段的探测器、反射镜、波导器件以及太赫兹量子级联激光器中得到了广泛应用。超薄金属膜的光学常数不仅是这些器件设计中不可缺少的参数,而且是开发新型光电材料的一个重要依据。文章运用太赫兹差分时域光谱技术对超薄金属铬、镍和钛膜的光学特性研究,获得其在太赫兹波段的折射率和消光系数,并根据菲涅尔公式计算入射介质为高阻GaAs时,GaAs/Metal界面的反射谱,三种金属在0.3～1.5THz的波段范围内的平均反射率均超过80%。研究超薄金属膜在太赫兹波段的反射特性,为设计性能优良的太赫兹辐射源、探测器及太赫兹光学元件奠定基础。
- 马凤英池泉苏建坡杜艳丽张微微陈明刘建立郭茂田袁斌
- 关键词：光学参数
- 分布式布喇格反射镜的穿透深度计算被引量：2
- 2010年
- 采用特征矩阵法分别计算奇、偶数层布喇格反射镜的反射相移,利用反射时延与反射相移的关系给出了其穿透深度的表达式.采用电子束热蒸发的方法制备了结构为[HL]2H的布喇格反射镜,并制作了有机微腔器件,测量和计算了其透射光谱、反射相移和穿透深度,得到了微腔的有效腔长,测量值与实验值吻合较好,验证了该穿透深度公式的正确性.
- 余振芳马凤英苏建坡陈明池泉
- 关键词：光学微腔反射相移
- 结构参量对左手材料通带位置影响的研究
- 2011年
- 基于金属短板对和连续金属线(short-slab pair and continuous wires)复合结构,从理论上系统地研究了在THz波段结构参量对左手材料通带位置的影响.数值模拟结果表明,改变金属板宽度或厚度、连续金属线的长度或厚度都会引起左手材料通带位置向较高频段偏移.
- 弓巧侠赵双双段智勇马凤英
- 关键词：负折射左手材料结构参量通带
- LiNbO_3晶体的太赫兹参量振荡器设计被引量：5
- 2010年
- 采用参量振荡方法实现太赫兹辐射（THz-wave Parametric Oscillator,TPO）,因只需一个固定波长的泵浦源和一块非线性晶体,且具有非线性转换效率高、调谐简单而倍受瞩目。以LiNbO3晶体为例,采用Q调制的Nd：YAG激光器（1.064μm）为泵浦源,角度匹配的非共线相位匹配方式,设计了太赫兹参量振荡器,实现了当入射角α从8.2°变化到14°,相位匹配角θ相应地从16.2°变化到54.75°,太赫兹波与泵浦光之间的夹角β从8.84°~67.88°,闲频光从1.068μm变化到1.0796μm,太赫兹波从284~74μm（1~4THz）的连续太赫兹波振荡。
- 苏建坡马凤英余振芳王文杰
- 关键词：非共线相位匹配连续调谐
- 微腔面发射器件外量子效率研究被引量：1
- 2011年
- 结合微腔面发射器件辐射/发光亮度的空间分布以及相对光谱功率分布给出了器件外量子效率的计算模型.该模型可以计算工作于不同波段的微腔面发射器件的外量子效率,如红外波段的垂直腔面发射激光器,可见光波段的微腔有机发光二极管和谐振腔发光二极管以及太赫兹波段的平面微腔结构等.制备了结构为玻璃/DBR/ITO/NPB/Alq:C545T/Alq/LiF/Al的微腔有机电致发光器件,测试其不同观察角度下器件的发光亮度以及发光光谱.当电流密度和发光亮度分别为14A/m2和100cd/m2时,利用该模型计算器件的外量子效率为1.5%,而电流密度和发光亮度分别为0.14A/m2和2.2cd/m2时,器件的外量子效率最大,达到2%.
- 马凤英苏建坡郭茂田池泉陈明余振芳
- 关键词：外量子效率
- 纳米压印技术进展及应用被引量：12
- 2009年
- 半导体加工几十年里一直采用光学光刻技术实现图形转移,最先进的浸润式光学光刻在45 nm节点已经形成产能,然而,由于光学光刻技术固有的限制,已难以满足半导体产业继续沿着摩尔定律快速发展。在下一代图形转移技术中,电子束直写、X射线曝光和纳米压印技术占有重要地位。其中纳米压印技术具有产量高、成本低和工艺简单的优点,是纳米尺寸电子器件的重要制作技术。介绍了传统纳米压印技术以及纳米压印技术的新进展,如热塑纳米压印技术、紫外固化纳米压印技术、微接触纳米压印技术、气压辅助纳米压印技术、激光辅助压印技术、静电辅助纳米压印技术、超声辅助纳米压印技术和滚轴式纳米压印技术等。
- 罗康段智勇
- 关键词：纳米压印
