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国家自然科学基金(59772013)

作品数:14 被引量:107H指数:7
相关作者:金志浩高积强吕振林李世斌黄清伟更多>>
相关机构:西安交通大学西安理工大学西北工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金陕西省自然科学基金更多>>
相关领域:化学工程金属学及工艺冶金工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 14篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 9篇化学工程
  • 3篇金属学及工艺
  • 2篇冶金工程
  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇环境科学与工...

主题

  • 13篇碳化硅
  • 6篇陶瓷
  • 5篇反应烧结碳化...
  • 5篇高温氧化
  • 4篇碳化硅材料
  • 4篇硅材料
  • 4篇复相
  • 3篇碳化硅陶瓷
  • 3篇显微组织
  • 2篇生坯
  • 2篇复相材料
  • 2篇复相陶瓷
  • 2篇MOSI
  • 2篇掺杂
  • 1篇导电特性
  • 1篇电特性
  • 1篇电阻率
  • 1篇制备工艺参数
  • 1篇熔盐
  • 1篇熔盐腐蚀

机构

  • 16篇西安交通大学
  • 3篇西安理工大学
  • 3篇西北工业大学
  • 1篇河南科技大学

作者

  • 15篇高积强
  • 14篇金志浩
  • 7篇吕振林
  • 5篇李世斌
  • 4篇黄清伟
  • 3篇李贺军
  • 3篇宁向梅
  • 1篇乔冠军
  • 1篇王永兰
  • 1篇王红洁
  • 1篇张小立
  • 1篇黄金亮

传媒

  • 4篇稀有金属材料...
  • 4篇西安交通大学...
  • 2篇耐火材料
  • 2篇中国有色金属...
  • 1篇机械工程材料
  • 1篇河南科技大学...
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 1篇2004
  • 2篇2003
  • 3篇2002
  • 3篇2001
  • 7篇2000
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
反应烧结碳化硅材料的高温氧化被引量:3
2002年
研究了反应烧结碳化硅材料 (RB SiC) 90 0℃的氧化过程以及制备参数和掺杂元素对氧化过程的影响。结果表明 :在 90 0℃氧化时 ,除石油焦加入量较高的反应烧结碳化硅材料在氧化初期表现为质量损失外 ,其余均表现为质量增加 ,并且质量增加量与氧化时间遵循抛物线规律。掺杂Al和Ni元素可以提高碳化硅材料的高温抗氧化能力。氧化过程对反应烧结碳化硅材料的导电性能影响不大。对碳化硅材料的氧化机制及影响因素进行了分析和讨论。
吕振林李世斌高积强金志浩李贺军
关键词:反应烧结碳化硅高温氧化掺杂
MoSi_2基复相材料的研究进展被引量:20
2001年
通过对MoSi2 复相材料近年来研究进展的总结 ,阐述了合金化和复合化对MoSi2 基复相材料性能的改善 .着重叙述了MoSi2 SiC系复相材料的制备方法 ,以及增强相的含量对力学性能的影响 .研究结果表明 ,通过基体的改性和复合化 ,使复相材料的强韧性得到很大程度的提高 ,而不同的制备工艺所得到材料的性能有成倍的差异 .因此 ,协同优化增强剂种类、数量和多种制备工艺的有机结合 ,是制备高性能复相材料的关键 .同时 ,介绍了几种有发展前景的复相材料 ,并提出了MoSi2基复相材料的研究发展趋势 .
金志浩李世斌高积强
关键词:二硅化钼合金化复相材料力学性能
反应烧结碳化硅陶瓷的高温氧化行为研究被引量:21
2000年
研究了反应烧结碳化硅陶瓷在1300℃空气中的高温氧化行为,结果表明:高温氧化过程中在试样表面出现的非晶态SiO2晶化以及氧化膜起裂,使得该陶瓷氧化曲线遵循对数氧化规律。
黄清伟高积强金志浩
关键词:碳化硅高温氧化陶瓷
反应烧结碳化硅的显微组织被引量:11
2000年
对不同生坯进行硅化处理后得到的反应烧结碳化硅的显微组织进行了研究.结果表明:选用αSiC+C粉的混合物作为生坯,SiC相的体积分数随生坯中wC的增加而增加,但过大的wC将使硅化后的试样出现残碳;选用碳毡作为生坯,反应烧结碳化硅的显微组织特点是C/Si反应生成的碳化硅颗粒均匀细小,并呈线状分布在游离硅中;浸渍过树脂的碳毡硅化处理后的显微组织特点是反应生成的碳化硅颗粒粗大且呈不均匀分布.X射线衍射结果也表明,反应烧结碳化硅陶瓷由游离Si、αSiC、βSiC组成。
黄清伟金志浩高积强王永兰
关键词:反应烧结碳化硅生坯显微组织碳化硅陶瓷
添加元素对反应烧结碳化硅导电特性的影响被引量:10
2000年
研究了Ni、Mo和Al元素对反应烧结碳化硅导电特性的影响.试样通过室温、高温电阻率的测定和显微组织分析,可知在室温与高温下,加入Ni、Mo和Al均可明显降低反应烧结碳化硅的电阻率,随着Ni、Mo和Al加入量的增加,碳化硅的室温电阻率也下降.其中,Ni、Mo对反应烧结碳化硅电阻率的影响比Al大.在烧结过程中,Ni、Mo分别与液态Si反应,并在碳化硅粒子界面处生成Ni2Si3和Mo3Si5相。
吕振林高积强王红洁金志浩
关键词:碳化硅掺杂导电特性反应烧结碳化硅
生坯制备工艺参数对反应烧结SiC组织性能的影响被引量:2
2004年
分析了生坯制备工艺参数对反应烧结SiC显微组织和性能的影响。结果表明:石油焦含量、石油焦和SiC粒径及成型压力影响生坯气孔率与碳含量的匹配,从而决定了反应烧结SiC材料的组织和性能。当石油焦加入量为ωC=10%,SiC和石油焦粒径为42μm。生坯成型压力为140MPa时,可获得最佳的组织及性能配合,材料的断裂强度和密度分别为310MPa和3.11g·cm-3。
宁向梅黄金亮高积强金志浩
关键词:生坯石油焦加入量气孔率显微组织
Si/SiC材料900℃时的氧化
研究了反应烧结碳化硅(Si/SiC)材料在900℃时的氧化过程及添加Ni、Al元素对其氧化过程的影响。结果表明,Si/SiC材料的氧化过程遵循抛物线规律,并在Si/SiC材料氧化表面出现针状SiO。Si/SiC中添加Ni...
吕振林高积强佥志浩
关键词:碳化硅高温氧化
文献传递
反应烧结SiC材料的高温氧化行为研究被引量:6
2001年
研究了反应烧结SiC材料在 110 0℃空气中的高温氧化行为。结果表明 :反应烧结SiC在110 0℃的氧化动力学曲线符合抛物线规律 ;材料的氧化受O2 和CO在玻璃态硅酸盐中的扩散所控制 ;材料中的杂质元素降低了SiO2 氧化膜的粘度 ,促进了O2
宁向梅高积强
关键词:高温氧化行为碳化硅陶瓷材料
热处理温度对反应烧结碳化硅材料组织与性能的影响被引量:11
2000年
研究了真空热处理温度对反应烧结碳化硅材料显微组织和断裂强度的影响。结果表明 :反应烧结碳化硅中的游离硅在 1 60 0℃、1 80 0℃真空热处理过程中已全部去除 ;经过 1 80 0℃真空热处理材料的强度均高于 1 60 0℃真空热处理材料的强度。在 1 80 0℃真空热处理过程中发生的碳化硅再结晶以及气孔形状的变化 ,是其强度较高的主要原因。
黄清伟高积强金志浩
关键词:碳化硅温度陶瓷
反应烧结Si/SiC复相陶瓷的高温性能
研制的Si/SiC复相陶瓷强度达到30000MPa,随温度升高,材料高温强度和韧性显著提高,1200℃强韧性达最大值。高温性能研究表明,这种材料具有良好的抗热震性、抗熔盐腐蚀性能和抗氧化性。通过控制硅含量和合金化处理,能...
乔冠军高积强金志浩
关键词:碳化硅复相陶瓷高温性能
文献传递
共2页<12>
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