陕西省自然科学基金(2004E117)
- 作品数：6 被引量：22H指数：4
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- 相关机构：西安工业大学西安工业学院西安交通大学更多>>
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- 相关领域：一般工业技术电子电信冶金工程理学更多>>
- 物理热蒸发法制备CdS/SiO_2纳米线阵列和CdS纳米带被引量：3
- 2006年
- 利用物理热蒸发法蒸发CdS和CdO的混合粉末,Si衬底表面发生了选择性刻蚀,并由此制备出CdS/SiO2纳米线阵列和CdS纳米带.研究了CdS/SiO2纳米线阵列的形成原因和CdS纳米带的生长过程,结果表明:CdS枝晶的生长对CdS/SiO2纳米线阵列的形成起到了非常重要的作用;CdS/SiO2纳米线阵列的形成符合“纳米电化学自组织机制”;CdS纳米带的生长过程为气-固过程.
- 于灵敏祁立军范新会严文
- 烧结温度对ZnO纳米线酒敏性能影响的研究被引量：5
- 2007年
- 为初步研究ZnO纳米线的酒敏性能,以纯度为99.9%的Zn粉为原料,采用物理热蒸发法制备出ZnO纳米线,并以其作为气敏基料,羧甲基纤维素为粘结剂,在不同的烧结温度下制备成旁热式气敏元件.运用扫描电镜观察了产物的形貌,采用静态配气法在自制的测试系统上进行了气敏性能的测试.结果表明:随着烧结温度的升高,ZnO纳米线互相联结、长大,使其比表面积迅速减小,进而影响了气敏元件的酒敏性能.根据实验结果,当其烧结温度为500℃时,元件的气敏性能较佳.
- 范新会马雪红于灵敏张克良严文
- 关键词：ZNO纳米线烧结温度气敏性能
- ZnO纳米线的光致发光性及拉曼散射性能被引量：4
- 2007年
- 利用物理热蒸发法通过控制载气流量和氧气流量制备出具有倒V字形尖端的ZnO纳米线，利用荧光光谱仪、拉曼光谱仪对ZnO纳米线的光致发光性能和拉曼散射性能进行了测试。结果表明：与其它形状的ZnO纳米线的光致发光性能不同，该ZnO纳米线在423--458nm区域有一个宽频带强蓝光发射，在527nm处出现一个非常弱的绿光发射，没有发现紫外光发射；相对于ZnO纳米粉，ZnO纳米线的拉曼光谱峰发生约3cm^-1红移，主要来源于光子限制效应。
- 于灵敏张克良马雪红范新会严文
- 关键词：ZNO纳米线光致发光谱拉曼光谱
- 外加电场制备CdS纳米线阵列、纳米带和纳米管被引量：1
- 2006年
- 在外加电场的条件下利用物理热蒸发法成功制备出CdS纳米线阵列、纳米带和纳米管,纳米线阵列沿平行于电场方向生长。借助SEM、EDX和TEM以及XRD,研究了外加电场对CdS纳米线生长的影响。结果表明：外加电场大大促进了CdS纳米线定向排列生长；但是,低温区获得的CdS纳米带和纳米管没有任何方向性。
- 于灵敏祁立军范新会严文朱长纯
- 关键词：纳米带纳米管外加电场
- Ag掺杂对ZnO纳米线气敏性能的影响被引量：5
- 2009年
- 以采用物理热蒸发法制备的纯ZnO纳米线和Ag掺杂ZnO纳米线为气敏基料，制备成旁热式气敏元件，用静态配气法对浓度均为100ppm的无水乙醇蒸汽、氨气、甲烷及一氧化碳四种气体进行气敏性能测试，结果表明，Ag掺杂后，ZnO纳米线对四种气体灵敏度的最高值分别提高了230％，92％，158％，49％，缩短了响应时间和恢复时间。
- 范新会林贺马雪红严文
- 关键词：ZNO纳米线掺杂气敏性能
- 阳极氧化工艺对氧化铝模板孔径的影响被引量：4
- 2005年
- 为了能制备出有序的纳米线阵列,采用一次阳极氧化的方法,制备出了孔径在12.8～43.5nm之间的多孔有序的氧化铝模板.通过改变氧化液浓度、氧化电压、氧化温度等条件,可对氧化铝模板的孔径大小进行控制,对各阳极氧化工艺因数对模板孔径的影响机理也进行了分析讨论.结果表明,在较低的氧化液浓度,氧化电压和氧化温度条件下,氧化铝膜的孔径较小;而在高的氧化液浓度,氧化电压和氧化温度条件下,氧化铝膜的孔径较大.
- 刘建刚范新会严文于灵敏刘春霞王鑫
- 关键词：阳极氧化氧化铝模板
