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国防科技技术预先研究基金(41308020413)
作品数:
1
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相关作者:
钟怡
刘玉奎
何开全
杨谟华
谭开洲
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相关机构:
中国电子科技集团公司第二十四研究所
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2008
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一种N沟VDMOS电离辐射界面陷阱电流传导性研究
被引量:2
2008年
利用X射线对一种N沟VDMOS在不同的负载功率下进行了辐射试验,采用电流-电压(I-V)测试方法发现这种H2-O2(氢氧合成)氧化栅介质VDMOS样品存在自退火效应时,新增界面陷阱特性与通常的理论不能够很好地一致.根据所测数据,明确提出了有自退火效应样品的新增界面陷阱除了电荷效应外还具有传导电流能力的观点,初步认为该电流是表面费米能级和陷阱能级相互作用导致的产生复合电流,该电流不能简单地从I-V曲线上定量分辨出来.
谭开洲
胡刚毅
杨谟华
徐世六
张正璠
刘玉奎
何开全
钟怡
关键词:
亚阈值电流
X射线辐射
电离辐射
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