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国家自然科学基金(11204064)

作品数:5 被引量:10H指数:2
相关作者:李英刘国栋王美娜董艳锋李彦如更多>>
相关机构:河北工业大学曲阜师范大学河南师范大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金博士科研启动基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 3篇理学
  • 2篇电气工程

主题

  • 3篇电子结构
  • 3篇子结构
  • 3篇GAN
  • 3篇掺杂
  • 2篇稀土
  • 2篇稀土掺杂
  • 2篇密度泛函
  • 2篇密度泛函理论
  • 2篇泛函
  • 2篇泛函理论
  • 2篇磁学
  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理研...
  • 1篇多铁性
  • 1篇正交
  • 1篇铁磁
  • 1篇热力学
  • 1篇热力学性质
  • 1篇结构和光学性...
  • 1篇金属

机构

  • 5篇河北工业大学
  • 1篇曲阜师范大学
  • 1篇河南师范大学

作者

  • 4篇李英
  • 2篇王美娜
  • 2篇刘国栋
  • 1篇董艳锋
  • 1篇王天兴
  • 1篇代学芳
  • 1篇刘彩池
  • 1篇刘何燕
  • 1篇李倩倩
  • 1篇李彦如

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇计算物理
  • 1篇河北工业大学...
  • 1篇Rare M...

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2018
  • 2篇2016
  • 2篇2013
5 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
正交多铁性材料DyMnO_3的磁性质研究
2013年
基于密度泛函理论结合投影缀加平面波方法,通过VASP软件包执行计算,在分别考虑电子自旋阻挫共线与非共线的磁性结构基础上,研究了正交结构下多铁性DyMnO3材料在不同磁性构型下的晶格参数、总能、磁性、电子态密度和能带结构.计算过程中选取广义梯度近似赝势,同时使用局域自旋密度近似+U方法处理强关联作用下3d电子的计算结果.计算结果表明:Mn离子为A型反铁磁态磁性构型的情况下能量最低结构最为稳定,Dy稀土离子磁性甚微,可忽略不计;当考虑电子自旋为非共线排列时,正交DyMnO3的总能提高、磁矩增大;从电子结构图分析可知,材料为间接能隙绝缘体,能隙宽度约为0.38 eV,加U后为1.36 eV,导致晶格畸变的主要原因为Mn-3d与O-2p电子之间强烈的杂化作用.
王美娜李英王天兴刘国栋
关键词:多铁性反铁磁密度泛函理论
Heusler合金的磁交换作用和磁热效应的理论研究
随着生活中能源和环境问题的日益突出,室温磁制冷作为一种绿色制冷技术受到各个国家的高度重视。而室温磁制冷技术发展的关键是找到室温下具有大磁热效应并且环保价廉的磁制冷材料。近几年来,Heusler合金Ni-Mn-X(X=Ga...
李彦如
关键词:HEUSLER合金磁交换作用磁热效应热力学性质
文献传递
稀土元素Gd掺杂GaN的电子结构和磁学性质研究被引量:1
2013年
采用基于密度泛函理论(DFT)结合投影缀加平面波(PAW)的方法,通过VASP软件包计算研究了稀土元素Gd掺杂GaN的晶格参数、形成能、电子态密度、能带结构和磁学性质.计算过程中将稀土元素Gd的4f电子计入价电子,采用LSDA+U方法处理4f电子的强关联效应.计算结果表明:Gd原子之间的耦合是反铁磁性的,当有足够的空穴载流子存在时能够稳定铁磁相;Ga空位虽然能够提供空穴稳定铁磁相,但是由于在p型GaN中Ga空位的形成能较高而难以形成;而间隙N缺陷和间隙O缺陷的形成能较低,能够稳定GaN∶Gd体系的铁磁相并且能够分别引入1μB和2μB的磁矩,因此认为间隙N和O可能是巨大磁矩的来源.
王美娜李倩倩李英
关键词:稀土掺杂密度泛函理论GAN电子结构
过渡金属掺杂GaN的电子结构和光学性质理论研究被引量:7
2016年
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算不同过渡金属(V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni)掺杂Ga N的电子结构及光学性质,分析掺杂对电子结构及光学性质的影响.结果表明,过渡金属掺杂在Ga N的禁带中引入杂质能带,除掺Fe体系外其它掺杂体系都表现为半金属性.除掺Fe和Ni体系在低能区没有出现光吸收外,其它体系均在低能区杂质能级处出现光吸收.
董艳锋李英
关键词:GAN过渡金属掺杂电子结构光学性质
Ga空位对GaN:Gd体系磁性影响的第一性原理研究被引量:2
2016年
采用基于密度泛函理论的第一性原理结合投影缀加平面波的方法,研究了GaN中Ga被稀土元素Gd替代以及与邻近N或Ga空位组成的缺陷复合体的晶格常数、磁矩、形成能以及电子结构等性质.结果发现,Gd掺杂GaN后禁带宽度变窄,由直接带隙半导体转为间接带隙半导体;单个Gd原子掺杂给体系引入大约7μB的磁矩;在Gd与Ga或N空位形成的缺陷复合体系中,N空位对引入磁矩贡献很小,大约0.1μB,Ga空位能引入约2μB的磁矩.随着Ga空位的增多,体系总磁矩增加,但增加量与Ga空位的位置分布密切相关.当Ga空位分布较为稀疏时,Gd单原子磁矩受影响较小,但当Ga空位距离较近且倾向于形成团簇时,Gd单原子磁矩明显增加,而且这种情况下空位形成能也最小.
侯振桃李彦如刘何燕代学芳刘国栋刘彩池李英
关键词:GAN稀土掺杂电子结构磁学性质
Three-dimensional topological insulators:case of quaternary Heusler compounds
2021年
The feasibility of converting quaternary Heusler compounds XX’MZ(X=Sc,La;X’=Sc,Y;M=Ru,Fe;Z=Pb)into three-dimensional topological insulators was investigated by first-principle calculations.It is found that the topological insulating state can be achieved in these quaternary Heusler compounds by the proper strain engineering or the substitution of elements.Most of these compounds investigated in this paper have a negative formation energy,which implies that they are possible to be synthesized in reality.
Xiao-Tian WangXue-Fang DaiHong-Ying JiaLi-Ying WangGuo-Dong LiuXi-Feng LiuWen YuanYu-Ting Cui
共1页<1>
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