您的位置: 专家智库 > >

国家自然科学基金(50325518)

作品数:8 被引量:48H指数:4
相关作者:郭东明康仁科金洙吉郭晓光柳敏静更多>>
相关机构:大连理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国博士后科学基金更多>>
相关领域:金属学及工艺电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 8篇中文期刊文章

领域

  • 4篇金属学及工艺
  • 3篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 5篇单晶
  • 5篇单晶硅
  • 2篇天线
  • 2篇天线罩
  • 2篇超精
  • 2篇超精密
  • 1篇英文
  • 1篇原子
  • 1篇原子量
  • 1篇射线跟踪
  • 1篇射线跟踪法
  • 1篇平面波
  • 1篇平面波谱
  • 1篇磨粒磨损
  • 1篇磨损
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米级
  • 1篇雷达
  • 1篇雷达天线
  • 1篇化学机械抛光

机构

  • 8篇大连理工大学

作者

  • 8篇郭东明
  • 7篇康仁科
  • 6篇金洙吉
  • 5篇郭晓光
  • 2篇柳敏静
  • 1篇张春波
  • 1篇贾振元
  • 1篇孙玉文
  • 1篇盛贤君
  • 1篇刘瑞鸿

传媒

  • 2篇Journa...
  • 2篇机械工程学报
  • 1篇电子学报
  • 1篇系统仿真学报
  • 1篇大连理工大学...
  • 1篇纳米技术与精...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
天线-罩系统电气性能分析被引量:7
2005年
天线罩在保护雷达天线不受环境影响的同时,又会对天线的电磁辐射产生某些干扰,使天线的电气性能降低.因此,需要对天线-罩系统的电气性能进行精确分析和仿真预测.在天线罩工程中应用较多的是射线跟踪(RT)法和平面波谱-表面积分(PWS-SI)法,通过对比分析发现PWS-SI技术在分析精度和运算速度上具有较突出的优点,同时具有精确处理天线-罩系统近场的灵活性.应用PWS-SI方法对某一类较小的天线-罩系统E-面上的远场和方向图(SP)、瞄准误差(BSE)和瞄准误差率(BSES)进行了数值分析和计算,并将仿真计算结果与实测值进行比较,发现两者具有良好的一致性,证明PWS-SI方法在预测这类天线-罩系统的电气性能上是准确有效的.
柳敏静郭东明康仁科贾振元
关键词:天线罩射线跟踪法雷达天线
机群系统上单晶硅磨削过程分子动力学仿真并行化研究
2009年
详细介绍了单晶硅磨削过程分子动力学并行化涉及到的并行算法设计基础等基础理论,分析了现有的几种并行算法,确定采用区域分解法作为本文的并行算法,在此基础上提出了基于区域二次划分的分子动力学并行仿真算法。介绍了分子动力学并行仿真计算的软硬件环境,设计了分子动力学并行仿真程序,在联想深腾1800机群系统上分别应用2、3、4台结点机上进行仿真实验,运行结果表明:与串行程序仿真结果在瞬间位置图和总能量变化方面相似,证明并行程序的结果是可靠的。加速比随着结点数的增加而增加,并行效率所略有下降但都在87.5%以上,并行效率并没有随着结点的增加有明显的降低,说明并行程序具有很好的扩展性。
郭晓光郭东明康仁科金洙吉
关键词:超精密加工机群系统
口径/谱域积分-表面积分法的研究被引量:4
2008年
通过分析口径积分、平面波谱理论关于天线近场计算的特点,获得一种混合的天线近场计算方法.结合表面积分技术,提出了口径/谱域积分-表面积分法,用于三维天线-罩系统电性能数值仿真.该方法吸取了口径积分和平面波谱理论的优点,对于天线近场的分析更为精确、实用.以弹载天线罩为仿真实例,结果表明,与口径积分-表面积分法和平面波谱-表面积分法相比,口径/谱域积分-表面积分法的计算结果与实验结果更为吻合,证明了该算法具有更高的精确度.
郭东明张春波盛贤君孙玉文柳敏静
关键词:天线罩平面波谱
原子量级条件下单晶硅磨削过程中的亚表面损伤(英文)
2007年
应用分子动力学仿真研究了原子量级条件下磨粒钝圆半径、磨削深度和磨削速度对单晶硅磨削后亚表面损伤层深度的影响.分子动力学仿真结果表明:在磨削深度和磨削速度相同情况下,随着磨粒钝圆半径的减小,损伤层深度和硅原子间势能亦减小.随着磨削深度的增大,损伤层深度和硅原子间势能增大.在磨削深度和磨粒钝圆半径相同的情况下,在20 ~200 m/s范围内,磨削速度对单晶硅亚表面损伤影响很小,说明分子动力学仿真对磨削速度的变化不敏感,因此可以适当提高仿真速度,从而缩短仿真时间和扩大仿真规模.单晶硅亚表面损伤主要是基于硅原子间势能的变化,并通过超精密磨削实验进行了实验验证.
郭晓光郭东明康仁科金洙吉
关键词:单晶硅
单晶硅超精密磨削过程的分子动力学仿真被引量:27
2006年
对内部无缺陷的单晶硅超精密磨削过程进行了分子动力学仿真,从原子空间角度观察了微量磨削过程,解释了微观材料去除、表面形成和亚表面损伤机理,并分析了磨削过程中的磨削力和磨削能量消耗。研究表明:磨削过程中,在与磨粒接触的硅表面原子受到磨粒的挤压和剪切发生变形,堆积在磨粒的前方,当贮存在变形晶格中的应变能超过一定值时,硅的原子键断裂,即完成了材料的去除;随着磨粒的运动,磨粒前下方的硅晶格在磨粒的压应力作用下晶格被打破,形成了非晶层,非晶层不断向前向深处扩展,造成了单晶硅亚表面的损伤;同时部分非晶层原子在压应力的作用下与已加工表层断裂的原子键结合,重构形成已加工表面变质层。
郭晓光郭东明康仁科金洙吉
关键词:超精密磨削
单晶硅磨削过程分子动力学仿真并行算法被引量:8
2008年
建立单晶硅超精密磨削过程的三维分子动力学仿真模型,分析分子动力学仿真串行程序特点和并行仿真的可行性,提出基于区域二次划分的分子动力学仿真并行算法。编制并行仿真程序,进行分子动力学仿真,从瞬间原子位置图方面分析单晶硅超精密磨削过程的加工机理。将并行仿真结果与串行程序仿真结果进行对比分析,从瞬间原子位置图和系统能量方面验证并行程序结果的正确性,在仿真规模和计算时间方面并行程序有很大优势,从而说明并行仿真程序是有效的,可以应用在不同原子规模的分子动力学仿真计算中。
郭晓光郭东明康仁科金洙吉
单晶硅纳米级磨削过程中磨粒磨损的分子动力学仿真被引量:11
2008年
建立了考虑磨粒磨损的三维分子动力学仿真模型,将固体物理学中的爱因斯坦模型引入到金刚石磨粒原子的温度转换过程中,设计了分子动力学仿真程序.研究结果表明:在磨削的初期,磨粒有明显的磨损,但当磨损到一定阶段后,磨粒不再磨损,磨削开始进入稳定的切削状态.金刚石磨粒的磨损主要发生在磨粒的最底部,这与表面效应有密切关系.由于表面效应,磨粒底部表面原子配位不足,导致磨粒底部结构表面存在许多缺陷,使磨粒底部表面具有很高的活性,极不稳定,根据最小能量原理,它将自发地向最低能量状态变化,也就是通过塑性变形、非晶相变等变化释放能量,使磨粒的表面能减少,从而发生磨损.
郭晓光郭东明康仁科金洙吉
关键词:磨粒磨损
摩擦化学反应活化能在SiO_2-CMP中的作用被引量:2
2010年
基于摩擦化学反应动力学,在修正阿伦尼乌斯公式的基础上,建立了考虑摩擦效应在内的化学反应速率方程,并建立SiO2介质膜化学机械抛光总材料去除率模型;同时,通过浸泡、变温抛光试验确定了材料去除模型.研究结果表明,在化学机械抛光(CMP)过程中,因为反应速率对温度的依赖程度降低,摩擦产生的机械能除了部分转化为热能等其他形式的能,绝大部分直接转化为化学能,即直接降低了化学反应活化能,从而提高了反应速率;纯化学作用和纯机械作用在整个CMP去除量中所占比重很小,可以忽略不计;不同浓度通过对摩擦力和活化能降低量的影响,从而影响了温度和抛光效果的相关性,活化能降低量与摩擦力基本呈线性关系.
刘瑞鸿郭东明金洙吉康仁科
关键词:化学机械抛光
共1页<1>
聚类工具0