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陕西省自然科学基金(SJ08ZT058)
作品数:
1
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HFCVD法制备纳米晶体碳化硅薄膜中氢流量对晶粒尺寸的影响
被引量:1
2009年
以甲烷、硅烷和氢气为反应气体,采用热丝化学气相沉积(HFCVD)法在单晶硅衬底上沉积纳米晶体碳化硅(SiC)薄膜.通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分别对SiC薄膜的晶体结构和表面形貌进行分析.实验发现氢气流量对碳化硅薄膜晶粒尺寸有很大影响,当氢气流量从10SCCM变化到300SCCM时,薄膜晶粒的平均尺寸将由较大的400nm左右减小到40nm左右.
赵武
张志勇
翟春雪
闫军锋
邓周虎
关键词:
纳米晶体
SIC薄膜
HFCVD
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