四川省科技攻关计划(05GG021-003-3)
- 作品数：7 被引量：6H指数：1
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- 发文基金：四川省科技攻关计划国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程动力工程及工程热物理理学更多>>
- CdTe薄膜太阳电池的硝酸-磷酸腐蚀及应用被引量：1
- 2007年
- 采用硝酸-磷酸腐蚀CdTe薄膜,研究了硝酸-磷酸腐蚀速率、浓度、时间对薄膜的结构、形貌、组分的影响,获得腐蚀的最佳工艺条件.在腐蚀后,沉积了缓冲层材料和(或)金属背电极,研究了腐蚀后背接触的形成及碲对CdTe太阳电池的影响.结果表明,腐蚀后生成的碲有助于产生p+层,实现CdTe与金属背电极的欧姆接触.
- 李卫冯良桓武莉莉蔡亚平郑家贵蔡伟张静全黎兵雷智郝瑞英
- 关键词：背接触CDTE薄膜
- CdTe太阳电池组件的关键技术研究被引量：1
- 2007年
- 采用化学水浴法沉积CdTe太阳电池的n型窗口层CdS多晶薄膜,用近空间升华法制备吸收层CdTe薄膜.为了获得优质的背接触,对退火后的CdTe薄膜用湿化学法腐蚀一富Te层,然后沉积背接触层.结果表明:具有ZnTe/ZnTe:Cu复合层的太阳电池性能优于其他背接触结构的电池.最后,采用激光刻蚀和机械刻蚀相结合,制备了glass/SnO2:F/CdS/CdTe/ZnTe/ZnTe:Cu/Ni太阳电池小组件,其中一个CdTe太阳电池小组件的效率达到了7.03%(开路电压Voc=718.1mV,短路电流Isc=98.49mA,填充因子53.68%,面积54cm2)(由中国科学院太阳光伏发电系统和风力发电系统质量检测中心测量).
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- 关键词：CDTE太阳电池组件
- 硝磷酸腐蚀对CdTe薄膜性能及背接触层的影响被引量：1
- 2007年
- 采用硝磷酸(NP)背表面刻蚀工艺并结合真空共蒸发法分别沉积了几种背接触层材料,研究了NP腐蚀对CdTe薄膜性能及背接触层的影响．结果表明:NP腐蚀后在CdTe薄膜上产生了富碲层;退火后,碲容易与背接触材料中的铜反应生成CuxTe．通过严格控制和优化腐蚀工艺,选择ZnTe／ZnTe:Cu作为背接触层材料,可制备出优异性能的CdTe太阳电池．
- 李卫冯良桓郝瑞英陈茜
- 关键词：材料合成与加工工艺背接触太阳电池
- 硝酸-冰乙酸腐蚀对CdTe太阳电池性能的影响
- 2007年
- 在CdTe与金属背电极间形成稳定的低电阻接触,有助于提高CdTe太阳电池性能。采用硝酸-冰乙酸腐蚀CdTe薄膜并用真空蒸发法沉积铜背接触层,制备CdTe太阳电池。结果表明,化学腐蚀后在膜面生成了富碲层,硝酸-冰乙酸腐蚀为各向同性刻蚀。对背接触层进行优化退火处理,获得转化效率11.75%的CdTe太阳电池。
- 李卫冯良桓蔡亚平武莉莉张静全黎兵雷智郑家贵蔡伟陈茜黄小辉
- 关键词：背接触CDTE太阳电池
- 硝磷酸腐蚀的CdTe太阳电池性能被引量：2
- 2007年
- CdTe薄膜的腐蚀是制作CdS/CdTe光伏电池的重要技术之一,本实验采用硝磷酸溶液(硝酸1%+磷酸70%+去离子水29%)腐蚀CdTe薄膜,通过XRD测试发现在CdTe膜上生成了碲层。随后,在腐蚀后的CdTe薄膜上分别沉积了几种结构的背接触层,并制备出相应结构的CdTe太阳能光伏电池。通过电池的光、暗I-V和C-V特性测试,以ZnTe/ZnTe:Cu/Ni为背接触的小面积太阳电池,其性能优于其它背接触的电池。实验结果表明器件性能与碲的生成和铜的扩散密切相关。
- 郝瑞英李卫郑家贵冯良桓陈茜
- 关键词：背接触太阳电池
- CdS/CdTe太阳电池的背接触被引量：1
- 2007年
- 磷硝酸腐蚀是一种适宜于工业化生产的背表面刻蚀工艺.文中采用磷硝酸腐蚀CdTe薄膜,并用溴甲醇腐蚀作为对照实验,研究了两种腐蚀对材料性质的影响.随后用真空蒸发法分别沉积了四种背接触层,提出了适宜于工业化生产的背接触技术,并从实验和理论上对两种背接触结构的CdTe太阳电池进行了分析.
- 李卫冯良桓武莉莉蔡亚平郑家贵蔡伟张静全黎兵雷智晋勇
- 关键词：CDTE太阳电池
- CdS_yTe_(1-y)多晶薄膜的制备及光谱表征
- 2008年
- 采用真空共蒸发法制备了CdSyTe1-y(0≤y≤1)多晶薄膜,并用X射线衍射谱(XRD)、能量色散谱(EDS)研究了CdSyTe1-y多晶薄膜的结构、组分。实验结果表明:石英振荡法监控的组分与EDS谱结果较为一致;当y<0·3时,CdSyTe1-y多晶薄膜为立方结构,当y≥0·3时,CdSyTe1-y多晶薄膜为六方结构。采用XRD线形分析法可计算出CdSyTe1-y多晶薄膜晶粒大小约20～50nm。最后,用紫外-可见-近红外谱(UV-Vis-NIR),测得300～2500nmCdSyTe1-y多晶薄膜的透过率曲线,并结合一阶Sellmeier模型的折射率色散关系,表征了CdSyTe1-y多晶薄膜的光学性质,获得了CdS0·22Te0·78多晶薄膜的光学厚度d～535nm,光能隙Eg～1·41eV,以及吸收系数α(λ)、折射率n(λ)等光学量。结果也表明,采用真空共蒸发法可以制备需要组分的CdSyTe1-y多晶薄膜,对CdSyTe1-y多晶薄膜光学性质的表征方法可推广到其他的半导体薄膜材料。
- 李卫冯良桓武莉莉张静全黎兵雷智蔡亚平郑家贵蔡伟张冬敏
- 关键词：光谱表征
