博士科研启动基金(405105006)
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
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- 非晶硅薄膜晶体管的泄漏电流模型被引量：2
- 2011年
- 当对a-Si∶H TFT施加较大的漏-栅电压时,其泄漏电流主要取决于空穴在漏端耗尽区内的产生过程以及被有源层内中立陷阱捕获的过程。基于价带空穴和被陷阱所捕获空穴的一维连续性方程,推导出空穴在有源层内纵向传导的逃逸率。通过描述漏端耗尽区内空穴的产生率以及在a-Si∶H层内空穴传导的逃逸率,建立了a-Si∶H TFT的泄漏电流模型,并进行了相应验证。
- 刘远姚若河李斌
- 关键词：非晶硅薄膜晶体管泄漏电流
- 非晶硅薄膜晶体管的热阻模型
- 2011年
- 基于能量方程、热流方程和边界条件,推导出了非晶硅薄膜晶体管的沟道热阻模型。采用该模型可准确预估器件有源层内的平均温度。在沟道热阻模型的基础上,考虑器件间场氧化层和金属互联线的影响,建立了非晶硅薄膜晶体管的二维热阻模型。采用该模型可描述器件有源层内温度的横向分布,并快速预估沟道内的最高结温。最后,将模型预测结果与器件模拟仿真结果进行了对比,两者拟合良好。
- 刘远姚若河李斌
- 关键词：非晶硅薄膜晶体管热阻自热效应温度分布
