香港特区政府研究资助局资助项目(T23-71311-1)
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 相关作者：陈荣盛张猛周玮王文郭海成更多>>
- 相关机构：香港科技大学广东中显科技有限公司更多>>
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管被引量：1
- 2013年
- 提出了一种薄膜晶体管的新结构。这种新结构充分发挥了短沟道效应和多结效应的优点。通过器件模拟,验证了此种器件结构的物理机制。通过应用这种新结构,薄膜晶体管的阈值电压、伪亚阈值斜率、开关电流比和场效应迁移率都大幅改善,并且器件的热载流子和自加热可靠性也得到了极大的改善。
- 郭海成周玮陈荣盛赵淑云张猛王文陈树明周南云
- 关键词：多晶硅薄膜晶体管
- 搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管栅交流电应力下的退化行为与退化机制研究
- 2017年
- 本文主要研究了搭桥晶粒(BG)多晶硅薄膜晶体管(TFT)在栅交流电应力下的退化行为和退化机制。在栅交流应力下,动态热载流子效应主导了器件的退化。器件退化只与栅脉冲下降沿有关。越快的下降沿带来越大的动态热载流子退化。比起普通多晶硅TFT,BG多晶硅TFT的热载流子退化大幅度减弱。通过选择性的掺杂注入BG线,沟道中形成的PN结在反向偏置时可以有效分担栅交流电应力带来的电压差,从而减弱动态热载子退化。辅以瞬态模拟结果,栅交流电应力下的退化机制被阐明。所有的测试结果都表明这种高性能高可靠性的BG多晶硅TFT在片上系统应用中具有很大的应用前景。
- 张猛夏之荷周玮陈荣盛王文郭海成
- 关键词：多晶硅薄膜晶体管
- 搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管直流电应力下的退化行为与退化机制研究被引量：1
- 2015年
- 研究了搭桥晶粒(BG)多晶硅薄膜晶体管(TFT)在直流电应力下的退化行为和退化机制。与普通多晶硅TFT相比,BG多晶硅TFT展现出更好的直流应力可靠性。主要体现在BG多晶硅TFT拥有更好的直流负偏压温度不稳定性(NBTI)可靠性,更好的直流自加热(SH)可靠性,更好的直流热载流子(HC)可靠性。有源沟道区的BG结构是上述直流应力可靠性提高的主要原因。更好的NBTI的可靠性主要源于沟道内的硼氢键的形成;更好的SH可靠性主要源于在沟道长度方向上更快的焦耳热扩散率;更好的HC可靠性主要源于漏端横向电场(Ex)的减弱。所有的测试结果都表明,这种高性能高可靠性的BG多晶硅TFT在片上系统中具有很大的应用前景。
- 张猛夏之荷周玮陈荣盛王文郭海成
- 关键词：多晶硅薄膜晶体管负偏压温度不稳定性自加热热载流子
