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国防科技技术预先研究基金(51408010205DZ2306)

作品数：1 被引量：4H指数：1
相关作者：王德宏王绍东柳现发吴洪江张务永更多>>
相关机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金：国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇单片集成电路
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇低噪声放大器
  • 1篇电路
  • 1篇频带
  • 1篇微波单片
  • 1篇微波单片集成
  • 1篇微波单片集成...
  • 1篇宽频
  • 1篇宽频带
  • 1篇集成电路
  • 1篇放大器
  • 1篇负反馈
  • 1篇GHZ

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇张务永
  • 1篇吴洪江
  • 1篇柳现发
  • 1篇王绍东
  • 1篇王德宏

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
0.8～8.5 GHz宽带单片低噪声放大器被引量：4
2008年
利用负反馈放大器设计原理，采用GaAs PHEMT工艺技术，设计制作了一种微波宽带GaAs PHEMT低噪声放大器芯片，并给出了详细测试曲线。该放大器由两级组成，采用负反馈结构，工作频率0.8-8.5 GHz，整个带内功率增益19 dB，噪声系数1.55 dB，增益平坦度小于±0.7 dB，输入驻波比1.6，输出驻波比1.8，1 dB压缩点输出功率大于10 dBm，芯片内部集成偏置电路，单电源＋5 V供电，芯片具有良好的温度特性。该芯片面积为2.5 mm×1.2 mm。
柳现发王德宏王绍东吴洪江张务永
关键词：宽频带低噪声放大器负反馈微波单片集成电路
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共1页<1>
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