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国家自然科学基金(50371033)

作品数:10 被引量:29H指数:3
相关作者:王飚张自华王宇栋周晓奎戴永年更多>>
相关机构:昆明理工大学中芯国际集成电路制造有限公司西南交通大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:金属学及工艺化学工程一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 10篇中文期刊文章

领域

  • 4篇金属学及工艺
  • 3篇化学工程
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 3篇惰性阳极
  • 2篇电解
  • 2篇动态随机存储...
  • 2篇随机存储器
  • 2篇陶瓷
  • 2篇涂层
  • 2篇显微硬度
  • 2篇漏电
  • 2篇漏电流
  • 2篇铝电解
  • 2篇金属
  • 2篇金属陶瓷
  • 2篇存储器
  • 2篇M
  • 1篇等离子
  • 1篇电镀
  • 1篇镀层
  • 1篇选择性
  • 1篇栅极
  • 1篇湿法清洗

机构

  • 8篇昆明理工大学
  • 2篇西南交通大学
  • 2篇中芯国际集成...
  • 1篇四川工程职业...
  • 1篇富士通微电子...

作者

  • 7篇王飚
  • 5篇王宇栋
  • 5篇张自华
  • 3篇戴永年
  • 3篇周晓奎
  • 2篇彭坤
  • 2篇李丽
  • 2篇吴萍
  • 1篇林大成
  • 1篇杨尚平
  • 1篇刘春兰
  • 1篇吴先文

传媒

  • 2篇纳米科技
  • 1篇现代化工
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇Journa...
  • 1篇电镀与涂饰
  • 1篇化学工程
  • 1篇表面技术
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇纳米技术与精...

年份

  • 4篇2011
  • 3篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2006
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
WC涂层复材惰性阳极及其30h铝电解实验被引量:1
2011年
用等离子喷焊法在不锈钢阳极基材表面制取WC-M涂层,涂层成分为Ni-Cr合金与WC复合粉末,进行此涂层与多种对照材料的1000℃高温铝电解质浸泡试验和高温氧化试验,结果表明,WC-M涂层具有仅次于铂的抗高温腐蚀和抗氧化性能。并用此涂层复材阳极在常规铝电解质中和970℃的温度下进行30h的连续铝电解试验。结果表明,WC-M/316L复材惰性阳极表现出良好的导电性、抗高温氧化性、抗高温腐蚀性、抗热冲击性和可机加工性,实测加推算所得年腐蚀速率为45mm/a,生产出的铝杂质含量达到Al99.00标准(GB/T1196-2002)。
王宇栋戴永年周晓奎张自华
关键词:惰性阳极铝电解
NiFe_2O_4-M金属陶瓷惰性阳极成分设计的热力学分析被引量:2
2011年
NiFe2O4-M金属陶瓷惰性阳极由氧化物陶瓷相和金属相组成。多数美国专利认为Fe,Ni,Cu,Co,Ti,Cr,Mn,Al,Pd,Ag,V,Zr,Y,La,Ta,Nb,Sc,Hf,Ca,Sn,Zn等21种金属均适合作为上述阳极的金属相成分。但文中的热力学详细分析计算结果表明:在上述前8种金属中,仅有Cu,Ni 2种适合作为惰性阳极的金属相;Al,Mn,Cr,Ti,Fe,Co不适合作为金属相成分,因为这些金属在阳极烧结过程中会对陶瓷相氧化物产生还原反应。除上述8种金属元素外,Pd,Ag,V,Zr,Y等其余13种金属,也因价格昂贵或资源短缺而不适宜作为上述阳极的金属相。
王宇栋王飚戴永年周晓奎张自华
关键词:惰性阳极金属陶瓷
复合电镀法制备Ni-WC纳米涂层的组织与性能研究被引量:16
2008年
为了制得高硬度、高耐腐蚀的纳米复合涂层,采用复合电镀法在18-8不锈钢基体上制备了Ni-WC纳米镀层,并对镀层的表面形貌、显微硬度及耐蚀性进行了观察和检测。试验结果表明:复合镀层表面均匀,其显微硬度较不锈钢和纯镍镀层都有显著提高,耐蚀性约为不锈钢的4倍,却比纯镍镀层略低。
李丽王飚张自华
关键词:表面形貌显微硬度耐蚀性
Al_2O_3-M金属陶瓷惰性阳极及铝电解实验被引量:3
2011年
所研制的惰性阳极成分为Al2O3+Y2O3+CeO2+(Fe-Ni+Y)。其中Al2O3和稀土氧化物微米粉经高能球磨细化到50~300nm的纳米/准纳米级,再与-125μm的Fe—Ni—Y金属粉末混合,进行普通球磨,产出的混合粉经机械压制或冷等静压成型,烧结成为惰性阳极。该惰性阳极在常规冰晶石-氧化铝电解质中接受30h的铝电解实验考察,用电子探针和X射线衍射仪(XRD)对阳极横断面进行结构分析和元素微区分布分析,结果表明:阳极的电阻小于0.5Ω,推算所得的阳极腐蚀速率为14mm/a,电解出的原铝达到A199.00标准(GB/T1196-2002)。实验还发现,与微米氧化物金属陶瓷阳极相比,这类纳米/准纳米氧化物金属陶瓷惰性阳极有更佳的可成型性、烧结性、导电性和抗腐蚀性能,压制的成功率在95%以上(而微米氧化物阳极仅在65%左右),且不易产生烧结裂纹等。
王宇栋王飚戴永年周晓奎张自华
关键词:惰性阳极铝电解高能球磨
NWC—Ni纳米涂层的制备方法研究被引量:2
2009年
分别用等离子喷焊法(PTS)、冷喷涂法(cs)和复合电镀法(NCP)在2Cr13不锈钢母材上制备了nWC—Ni纳米涂层,并对涂层进行了XRD分析和抗磨蚀性能测试,结果表明,CS法的涂层因与母材未达到完全冶金结合,所以不具备优良抗磨蚀性能。PTS法和NCP法所获得的涂层均能与母材牢固结合,具有优良的抗磨蚀性能,但因在PTS法过程中存在涂层质量的衰变现像,故其涂层性能仍不如NCP优。
王飚王宇栋张自华杨尚平
关键词:等离子冷喷涂复合电镀
TDDB improvement by optimized processes on metal-insulator-silicon capacitors with atomic layer deposition of Al_2O_3 and multi layers of TiN film structure
2009年
A metal-insulator-silicon (MIS) capacitor with hemi-spherical grained poly atomic layer deposition (ALD) deposited Al2O3 and multi-layered chemical vapor deposition (CVD) TiN structure is fabricated. The impact of the deposition process and post treatment condition on the MIS capacitor's time-dependent dielectric breakdown (TDDB) performance is also studied. With an optimized process, it is confirmed by Auger electron spectroscopy and secondary ion mass spectrometry analysis that the Al(CH3)3/O3-based ALD Al2O3 dielectric film is carbon free and the hydrogen content is as low as 9 × 1019 cm-3. The top electrode TiN is obtained by multi-layered TiCl4/NH3 CVD deposited TiN followed by 120 s post NH3 treatment after each layer. This has higher diffusion barrier in preventing impurity diffusion through TiN into the Al2O3 dielectric due to its smaller grain size. As shown in energy dispersive X-ray analysis, there is no chlorine residue in the MIS capacitor structure. The leakage current of the capacitor is lower than 1 × 10-12 A/cm2. No early failures under stress conditions are found in its TDDB test. The novel MIS capacitor is proven to have excellent reliability for advanced DRAM technology.
彭坤王飚肖德元仇圣棻林大成吴萍杨斯元
关键词:TDDB
动态随机存储器栅极侧壁硅化钨残留的去除工艺
2009年
动态随机存储器栅极侧壁硅化钨残留造成的短路成为制约提高产品良率及可靠性的瓶颈.为此,采用X射线荧光光谱(XRF)、扫描电镜(SEM)等检测分析手段优化硅/钨原子组成比为2.45.透射电镜(TEM)及电性参数测试结果表明,经30s、1000℃快速热处理可获得方块阻值为12Ω/cm2的硅化钨,且可刻蚀性能好.在硅化钨刻蚀前利用电子束扫描发现,15min的氢氟酸和10min浓硫酸与过氧化氢混合溶液(SPM)在300W超声波条件下的新湿法清洗工艺,能去除84.7%的表面微粒及残留聚合物.整合上述优化工艺可以将硅化钨残留造成的65nm动态随机存储器芯片失效率由31.3%降到1.9%,为研究下一代产品提供有效借鉴.
彭坤王飚肖德元仇圣棻吴萍
关键词:硅化钨漏电流湿法清洗动态随机存储器
镍-碳化钨纳米复合镀层的制备与性能
2011年
采用电镀的方法制备出Ni-WC纳米复合镀层,镀液组成为:NiSO4·7H2O250g/L,NiCl2·6H2O30g/L,H3BO330g/L,光亮剂0.1g/L,纳米WC颗粒5~30g/L,表面活性剂及分散剂适量。研究了温度、电流密度及pH对复合镀层外观的影响,得到最佳电镀工艺条件为:温度50~55°C,电流密度2~4A/dm2,pH4.5~5.0。在最佳工艺条件下制得的复合镀层,其显微硬度明显高于纯镍镀层和不锈钢,耐磨蚀性也优于不锈钢和纯镍镀层,耐腐蚀性优于不锈钢而劣于纯镍镀层。
李丽刘春兰吴先文
关键词:碳化钨纳米复合镀层显微硬度耐腐蚀性
WC-M纳米复合涂层的制备方法及其组织、性能被引量:7
2006年
报道了国内外有关WC—M纳米涂层的原料制备、喷涂技术和涂层的显微结构及性能特点。其中包括nWC—Co纳米涂层的超音速喷涂、等离子喷涂、冷喷涂和多模式粉末结构等喷涂方法。综合了若干实验结果表明:与常规涂层相比nWC—Co涂层有更小的空隙度、更合理的组织结构和更高的韧塑性及更高的抗磨蚀能力。
王宇栋王飚
选择性BF_2^+离子注入对提高DRAM刷新时间的研究
2008年
动态随机存储器(dynamic randomaccess memory,DRAM)电容器在存储高电位数据"1"时,将影响邻近记忆单元区晶体管栅极电场分布,从而导致漏电流增加,降低了刷新时间。研究提出针对位元线接触区、有选择性的浅掺杂漏极离子注入BF2+方案来改善刷新时间,模拟分析了其注入离子分布及电迁移,发现在位元线接触区硅基单侧浅表层形成了富硼离子注入区,且最大电迁移深度仅为60 nm,由此减少了对其它掺杂区的影响。电性测试结果表明,BF2+离子剂量与开启电压成正比,重复实验证明,该方案有良好的可再现性;分析结果表明,增加BF2+离子注入剂量能提高开启电压对制造偏差的容差能力;栅极关键尺寸在(90±15)nm波动范围内晶圆样品的NMOS电性测试结果表明,该离子注入法能保持与原有工艺的良好匹配性。进一步的分析结果指出,若开启电压升高,则刷新时间将会减少,若开启电压为0.8 V时,该离子注入方案能使刷新时间从180 ms提升到不小于300 ms,改良幅度达66.7%。模拟及实验分析结果表明,该离子注入方案能应用于深微米进程的研究与生产中。
彭坤王飚林大成吴萍外山弘毅
关键词:离子注入动态随机存储器漏电流
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