中国航空科学基金(2008ZF53058)
- 作品数：16 被引量：39H指数：4
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- 退火时间对Cu-Al-O薄膜性能影响的研究被引量：1
- 2013年
- 通过制备Cu-Al-O薄膜并对其进行退火处理,研究了退火时间对薄膜形貌、结构以及紫外-可见透过率、带隙、中红外透过率的影响。研究结果表明:随着退火时间的增加,薄膜开始晶化,5.0 h时薄膜中出现裂纹,同时出现AlCu合金相;紫外-可见透过率随退火时间的增加而降低;中红外透过率随退火时间的增加先增加后降低;Cu-Al-O薄膜的直接带隙随退火时间的增加而降低。
- 高倩倩刘正堂冯丽萍田浩
- 关键词：退火时间透过率
- 蓝宝石头罩增透保护膜系的制备
- 2010年
- 通过计算机模拟,对蓝宝石衬底上制备的增透保护薄膜的厚度均匀性进行了设计及优化。采用旋转臂雨蚀测试方法对蓝宝石验证片的抗雨蚀性能进行了测试。模拟结果显示:头罩外表面制备的SiO2薄膜其厚度不均匀性小于8.5%;雨蚀测试后,蓝宝石验证片的平均透过率损失小于1.0%。涂层通过雨蚀测试后,采用射频磁控溅射法在蓝宝石头罩上制备了SiO2薄膜。蓝宝石头罩外表面镀膜后在3～5μm波段的平均透过率均大于91.0%,整个头罩外表面的平均透过率不均匀性小于2.0%。蓝宝石镀膜后的透过率比较理想并可以满足器件在实际应用中的要求。
- 冯丽萍刘正堂
- 关键词：二氧化硅薄膜蓝宝石射频磁控溅射
- 四方ZrO_2弹性常数、电子结构和光学性质的第一性原理计算被引量：1
- 2010年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法,计算了四方ZrO2的弹性常数、电子结构和光学性质.计算得到的晶格常数和弹性常数均与实验值相符;计算结果表明四方ZrO2的晶体结构是稳定的,四方ZrO2属于间接带隙氧化物,禁带宽度为4.06 eV.经带隙校正后,计算得到四方ZrO2在(100)和(001)方向上的光学线性响应函数随光子能量的变化关系,包括复介电函数、复折射率、反射光谱、吸收光谱、损失函数和光电导谱;计算得到其静态介电常数在(100)和(001)方向上分别为4.83和4.30;折射率分别为2.20和2.07;计算结果表明了四方ZrO2在(100)和(001)方向上具有光学各向异性,这为四方ZrO2的应用提供了理论依据.
- 刘其军刘正堂冯丽萍
- 关键词：电子结构光学性质第一性原理
- Si掺杂立方HfO_2的电子结构和光学性质的第一性原理计算被引量：1
- 2010年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法,计算了Si掺杂立方HfO2的电子结构及光学性质。计算结果表明,掺杂后立方HfO2的电子结构发生了变化,费米面进入了杂质带,同时由态密度图可知掺杂能级的形成主要是Si的3p轨道的贡献。经带隙校正后,计算了Si掺杂立方HfO2的光学线性响应函数随光子能量的变化关系,包括吸收光谱、复介电函数、复折射率、反射光谱、损失函数及复光电导谱。结果表明,由于掺杂能级的出现,导致了立方HfO2吸收带边的红移。
- 刘其军刘正堂冯丽萍许冰
- 关键词：电子结构光学性质第一性原理
- 闪锌矿型CdSe电子结构和光学性质的研究被引量：2
- 2010年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法,计算了闪锌矿型CdSe的电子结构和光学性质。计算结果表明闪锌矿型CdSe为直接带隙半导体,禁带宽度为0.52eV。计算并分析了闪锌矿型CdSe的复介电函数、复折射率、反射率、吸收系数、损失函数和光电导率,计算得到其静态介电常数为6.18,折射率为2.49,吸收系数的最大峰值为298362.9cm1,理论计算结果与其他文献结果基本一致,为闪锌矿型CdSe的应用提供了理论参考数据。
- 刘其军刘正堂冯丽萍
- 关键词：电子结构光学性质第一性原理
- 立方SrZrO_3电子结构和光学性质的研究被引量：1
- 2010年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法,计算了立方SrZrO3的电子结构和光学性质。计算结果表明立方SrZrO3为间接带隙钙钛矿型复合氧化物,计算得到的最小带隙为3.33eV。计算并分析了立方SrZrO3的复介电函数、复折射率、吸收系数、反射率、损失函数和光电导率,计算得到静态介电常数为3.40,折射率为1.86,吸收系数的最大峰值为468431.8cm1,反射峰的最大值为0.472,理论计算结果与其他文献结果基本一致,并利用分子轨道理论解释了立方SrZrO3电子结构和光学性质之间的关系,这为立方SrZrO3的应用提供了理论参考数据。
- 刘其军刘正堂冯丽萍
- 关键词：电子结构光学性质第一性原理
- 四方晶相HfO_2在(100)和(001)方向上光学特性的理论计算
- 2009年
- 文章采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法,计算了四方晶相HfO2的电子结构。经带隙校正后,计算了四方晶相HfO2在(100)和(001)方向上的光学线性响应函数随光子能量的变化关系,包括复介电函数、复折射率、吸收光谱以及反射光谱。计算结果表明四方晶相HfO2在(100)和(001)方向上具有明显的光学各向异性,并且具有从紫外到红外的透明区域。文中计算结果与其它文献报道的计算结果及实验值都吻合较好,由此说明采用密度泛函理论的广义梯度近似来计算HfO2材料的光学特性是可信的。
- 刘其军刘正堂冯丽萍许冰
- 关键词：电子结构光学特性
- 压力作用下六方钛电子结构和弹性性质的第一性原理计算被引量：2
- 2009年
- 通过基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似(GGA)平面波超软赝势法,计算了六方钛在压力作用下的电子结构和弹性性质.结果表明:随着压力的增加,导致状态密度的展宽和状态密度峰值的减小,同时费米面向高能方向移动;计算所得在0 GPa下的弹性常数与实验结果相符,说明采用广义梯度近似可合理计算六方金属钛的弹性性质,据此还计算了不同压力下的弹性常数,为六方金属钛的实际应用提供了理论依据.
- 刘其军刘正堂冯丽萍
- 关键词：电子结构第一性原理
- 闪锌矿型GaX(X=P,As,Sb)电子结构和光学性质的第一性原理计算被引量：2
- 2010年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法,计算了闪锌矿型GaX(X=P,As,Sb)的电子结构和光学性质。计算结果表明:GaP属于间接带隙半导体,GaAs和GaSb属于直接带隙半导体,禁带宽度分别为1.629 eV、0.612 eV和0.079 eV。经带隙校正后,计算得到闪锌矿型GaX(X=P,As,Sb)的复介电函数、复折射率、反射光谱和吸收光谱。随着X原子序数的增加,出现了明显的带边红移现象,为闪锌矿型GaX(X=P,As,Sb)的应用提供了理论依据。
- 刘其军刘正堂冯丽萍
- 关键词：AS光学性质
- 六方HfB_2弹性性质、电子结构和光学性质的第一性原理计算被引量：2
- 2010年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法,计算了六方HfB2的几何结构、弹性性质、电子结构和光学性质.计算得到的晶格常数和弹性常数均与实验值相符,并说明了六方HfB2的晶体结构是稳定的;通过Reuss-Voigt-Hill模型计算得到了六方HfB2的体积、剪切、杨氏模量及泊松比,同时获得了六方HfB2的德拜温度,计算结果都与实验值相一致;六方HfB2的电子结构表明其具有金属性和共价性;计算得到六方HfB2在(100)和(001)方向上的光学线性响应函数随光子能量的变化关系,包括复介电函数、复折射率、反射光谱、吸收光谱、损失函数和复光电导谱,计算得到其静态介电常数在(100)和(001)方向上分别为47.92和27.77,折射率分别为6.93和5.27,计算结果表明了六方HfB2在(100)和(001)方向上具有光学各向异性,这为六方HfB2的应用提供了理论参考数据.
- 刘其军刘正堂冯丽萍
- 关键词：电子结构光学性质第一性原理
