国际科技合作与交流专项项目(2006DFB11110)
- 作品数：5 被引量：9H指数：2
- 相关作者：任晓敏黄永清黄辉王琦宋海兰更多>>
- 相关机构：北京邮电大学更多>>
- 发文基金：国际科技合作与交流专项项目国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- InGaAs/Si雪崩光电二极管被引量：5
- 2010年
- 采用Si/InP低温晶片键合技术,设计并制作了InGaAs/Si雪崩光电二极管。器件利用InGaAs做吸收层,Si做增益层,光敏面大小50μm×70μm;测试结果表明器件有正常的光响应特性,击穿电压为41V,暗电流为99nA,此时光电流比暗电流高3个数量级。
- 宋海兰黄辉崔海林黄永清任晓敏
- 关键词：雪崩光电二极管键合
- 晶体外延生长模式的完备理论描述与“后S-K异质兼容生长模式”的预言被引量：1
- 2014年
- 指出了晶体外延生长模式现有理论描述的若干问题,包括:1弗兰克-范·德·默夫模式被描述为仅存在于衬底表面能优势度为正值的情形中,这和晶格失配度足够小的2种材料能够以该模式交替生长的实验事实不符;2对于不同的衬底表面能优势度,弗兰克-范·德·默夫模式与斯特兰斯基-克拉斯塔诺夫(S-K)模式之间的转换被描述为发生在某一固定的晶格失配度上,这显然是不合理的;3由弗兰克-范·德·默夫模式似可直接转换为沃尔默-韦伯模式,反之亦然,这一描述值得质疑.针对这些问题,提出了改进的、更加完备的理论描述,其中引入了"准弗兰克-范·德·默夫模式"的概念.在此基础上,提出了"后S-K异质兼容生长模式"的概念,并探讨了基于该模式实现高质量异质兼容体材料生长的可能性.
- 任晓敏王琦
- 关键词：光子集成光电集成
- 扫频法精确测量高速光调制器频率响应被引量：3
- 2009年
- 同微波网络一样,可以用S参数来精确描述光电子器件的性能。根据微波网络的S参数,详细推导了光电子器件的S参数。搭建了40GHz高速测试系统,利用矢量网络分析仪(带宽40GHz)和作为参考的标准高速光探测器(带宽45GHz),测量了宽带光强度调制器(实测带宽35GHz)的频率响应。理论上,通过S参数和T参数的互相转换,扣除了微波放大器对测试结果的影响。在120MHz～35GHz范围内,测得的结果与出厂数据取得了很好的一致性。文中通过合理的简化,得到了光调制器频率响应的简明表达式,从而降低了数据处理的复杂度。
- 王松黄永清任晓敏颜强
- 关键词：频率响应S参数光探测器矢量网络分析仪
- 基于微环谐振腔的耦合谐振光波导反射镜
- 2008年
- 研究了一种基于微环谐振腔的耦合共振光波导反射镜。基于耦合模理论,对这种新型波导反射镜的反射光谱进行了数值分析,详细讨论了直波导与微环谐振腔之间的耦合系数和相邻微环谐振腔之间的耦合系数对反射光谱的影响。计算结果表明这种反射镜的反射光谱存在多峰结构,在弱耦合的情况下可以实现波长选择性反射滤波,并且发现在这种波导反射镜中存在类似于原子系统中电磁诱导透明现象的耦合共振诱导透明现象。
- 徐玉峰黄永清黄辉陈海波任晓敏
- 关键词：微环谐振腔电磁诱导透明
- 闪锌矿B_xAl_(1-x)As合金的LP-MOCVD生长研究
- 2010年
- 利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)生长工艺,采用三乙基硼(TEB)源,在GaAs(001)衬底上生长了B并入比为0.4%～4.4%的一系列BxAl1-xAs合金。实验结果表明,BxAl1-xAs的最优生长温度为580℃;当生长温度为550℃和610℃时,BxAl1-xAs中B并入比都会下降,550℃时B并入比下降更为显著。在580℃最优生长温度下,B并入比随着TEB摩尔流量增加而提高,且B并入比从临界值2.1%增加至最大值4.4%时,DCXRDω-2θ扫描BxAl1-xAs衍射峰的半高宽值从51.8 arcsec升高到204.7 arcsec,原子力显微镜(AFM)测试表面粗糙度从2.469 nm增大到29.086 nm,说明B并入比超过临界值后BxAl1-xAs晶体质量已经逐渐严重恶化。
- 李佳健王琦张霞杨跃任晓敏黄永清
