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聚焦电子束诱导碳沉积实现纳米线表面可控修饰被引量：2: 2010年; 作为一种典型的准一维纳米材料,纳米线具有纳米材料所特有的小尺寸效应或纳米曲率效应,经表面修饰的纳米线一般具有不同于普通纳米线的特殊性质.利用实验室发展成熟的透射电子显微镜原位辐照技术,以透射电子显微镜中残留的有机气体分子为前驱体,成功地在纳米线表面可控沉积了非晶碳纳米颗粒和碳纳米棒,以及局域凸起的非晶碳膜并形成局域肿大的同轴结构.实验结果表明,该方法能够方便地通过控制聚焦电子束的束斑尺寸、辐照方式、辐照时间以及辐照位置等参数,在纳米线表面精确可控地沉积各种非晶碳纳米结构,从而实现纳米线的表面可控修饰.对聚焦电子束辐照下基于纳米线的各种碳纳米结构的可能沉积机理作了进一步地探索,并针对透射电子显微镜中如何减少因电子束辐照诱导非晶碳沉积造成的样品污染提出了几点建议.; 苏江滨朱贤方李论雄王占国; 关键词：透射电子显微镜纳米线表面修饰碳纳米结构

电阻热蒸发镀膜与电子束蒸发镀膜对纳米球刻蚀方法制备二维银纳米阵列结构的影响被引量：2: 2011年; 在使用纳米球刻蚀法制备二维银纳米点阵的过程中,使用不同的镀膜方法在同样的模板上得到了不同形貌的银纳米阵列结构.使用电阻热蒸发镀膜方法获得了六角排列的银纳米三角形阵列结构,使用电子束蒸发镀膜方法则获得了六角排列的银纳米环阵列结构.研究表明,沉积纳米粒子的粒径、表面纳米曲率效应和热能是形成不同结构形貌的纳米阵列结构的关键因素.; 罗银燕朱贤方; 关键词：电子束蒸发

GaN/metal/Si heterostructure fabricated by metal bonding and laser lift-off被引量：1: 2009年; A process methodology has been adopted to transfer GaN thin films grown on sapphire substrates to Si substrates using metal bonding and laser lift-off techniques. After bonding, a single KrF （248 nm） excimer laser pulse was directed through the transparent sapphire substrates followed by low-temperature heat treatment to remove the substrates. The influence of bonding temperature and energy density of the excimer laser on the structure and optical properties of GaN films were investigated systemically. Atomic force microscopy, X-ray diffraction and photoluminescence measurements showed that （1） the quality of the GaN film was higher at a lower bonding temperature and lower energy density; （2） the threshold of the energy density of the excimer laser lift-off GaN was 300 mJ/cm^2. The root-mean-square roughness of the transferred GaN surface was about 50 nm at a bonding temperature of 400 ℃.; 张小英阮育娇陈松岩李成; 关键词：SILICON

银包覆PMMA纳米核壳颗粒的局域表面等离激元共振行为的模拟计算: 应用Mie理论,对银膜包覆PMMA纳米核壳结构的局域表面等离激元共振行为进行了模拟计算,研究了颗粒尺寸,核壳比等参数对所获得核壳颗粒的等离激元共振LSPR消光光谱的影响;同时也将其与单相银纳米球的LSPR光谱行为进行了比...; 李强王连洲逯高清黄娆朱贤方; 关键词：MIE理论模拟计算; 文献传递

铬过渡层位置及金属沉积角度对纳米球刻蚀法制备二维银纳米点阵结构的影响被引量：1: 2012年; 利用纳米球刻蚀法制备了二维六角密排三角形银纳米阵列,通过加入铬过渡层并改变其位置和改变金属沉积角度,研究它们对点阵结构的影响.实验发现,加入铬过渡层所形成的银纳米点阵结构较无铬层有很大改善,三角形角部更加尖锐,更能满足传感器对信号检测的要求.同时,该过渡层应蒸镀在模板球排列之后,才能获取更大面积的二维银纳米点阵结构.在沉积角度对制备二维银纳米点阵的影响的实验中,基片没有旋转,采用垂直镀膜方式更容易得到结构完整、结合较牢固、且面积较大、角部尖锐的二维银纳米点阵.吸收光谱测量进一步验证了铬过渡层对二维银纳米点阵形貌结构的改善作用.这些为下一步的生物修饰以及生物化学传感器的制备提供了先决条件.; 孔令琦张春婧黄胜利朱贤方; 关键词：吸收光谱

PMMA纳米球的制备及其银膜包覆技术被引量：3: 2008年; 采用无皂乳液聚合法制备了单分散、直径为170 nm左右的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)纳米球,然后利用3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(MATS)和3-巯丙基三甲氧基硅烷(MPTMS)对PMMA纳米球进行表面改性,在其表面包覆一层均匀的巯基,通过巯基与银离子之间的相互作用,使银在PMMA纳米球表面成核长大,从而合成PMMA/Ag纳米球壳粒子.通过扫描电子显微镜、投射电子显微镜和紫外-可见吸收光谱测试技术对产物性能进行了表征,研究结果表明,制备的PMMA/Ag纳米球壳粒子的分散性好、包覆均匀.; 陈志华吴政张其清包建军王连洲逯高清朱贤方; 关键词：表面改性

CVD制备SiO_x纳米线的各个生长阶段的直接实验证据被引量：1: 2009年; 在纳米线的制备中,气-液-固(VLS)生长机制得到了人们的广泛认可,但该机制的很多细节还停留在模型阶段.依托实验室自行设计的一台生长条件高度可控的高温化学气相沉积(CVD)系统,采用较为简便的方法,直接在Si片衬底上制备出了SiOx纳米线.通过严格控制实验参数,用离位观测捕捉到了纳米线的催化、形核和长大的一系列过程及其相关细节,并发现纳米线从细到粗的气-液-固(VLS)生长机制.讨论了气-液-固(VLS)机制中气态Si原子的来源以及纳米线的催化、形核和长大过程中的纳米曲率效应和"纳米熟化"现象,取得了对SiOx纳米线VLS催化生长机制的理解的突破.; 吴燕黄胜利朱贤方李论雄王占国王连洲; 关键词：化学气相沉积

聚焦电子束诱导SiOx纳米线表面碳沉积的分形生长被引量：1: 2010年; 电子束诱导沉积技术已被证实可以实现各种材料的分形生长,但是目前尚未发现聚焦电子束辐照下低维纳米结构表面未受辐照位置的分形生长现象,造成了聚焦电子束诱导分形生长机理研究的空白与片面性.以透射电子显微镜中残留的有机气体分子为前驱体,室温下利用高能聚焦电子束辐照,研究了一维非晶SiOx纳米线表面未受辐照位置碳沉积的分形生长.利用高分辨透射电子显微镜对SiOx纳米线表面非晶碳的沉积过程进行原位观察,发现了SiOx纳米线表面未受辐照位置非晶碳的不均匀沉积及分形生长,并捕捉到了碳沉积分形生长过程的细节.同时对聚焦电子束诱导SiOx纳米线表面未受辐照位置非晶碳的不均匀沉积及分形生长机理进行了深入的探索.; 苏江滨朱贤方李论雄王连洲王占国; 关键词：透射电子显微镜非晶碳

一种用于LSPR传感器的准正方型银纳米颗粒阵列制备: 2010年; 首先控制聚苯乙烯纳米球(PS球)乳液在基片上的干燥温度,采用自组装方法,使用单一粒径的PS球制备出单层的PS球亚稳态正方排列结构模板。然后,在模板上通过磁控溅射法沉积一层银膜。利用纳米球光刻技术,去掉PS球模板得到二维正方点阵排列的准正方形银纳米颗粒阵列结构。; 张瑜娟朱贤方

挡风墙对直接空冷风机群流体动力学特性的影响被引量：5: 2012年; 通过数值模拟法对直接空冷凝汽器风机群流体动力学特性进行研究,分析不同风速情况下,挡风墙形状对空冷风机群流体动力学特性的影响.研究结果表明:挡风墙全凹时不仅有利于周边风机吸风,并能削弱热风回流,挡风墙下凹更有利于周边风机吸风.研究结果为实现空冷风机分区调节和电厂节能提供一定基础数据.; 陈梅倩王玉叶贾鹏程刘翔杨飞王海生; 关键词：直接空冷机组挡风墙流体动力学数值模拟

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