国家自然科学基金(612011119)
- 作品数：2 被引量：11H指数：2
- 相关作者：毋志民赵若禺王聪王爱玲胡爱元更多>>
- 相关机构：重庆师范大学更多>>
- 发文基金：教育部科学技术研究重点项目国家自然科学基金重庆市教委科研基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- GaN基和LiZnAs基稀磁半导体的研究进展被引量：2
- 2013年
- 综述了稀磁半导体及其研究进展,阐述了提高居里温度的方法。从晶体结构、材料的研究现状和待解决的问题几个方面详述了以GaN为代表的传统的Ⅲ-Ⅴ族基和LiZnAs为代表的新型Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基两类稀磁半导体的基本特点,并展望了今后的研究重点及发展方向。
- 王爱玲毋志民王聪赵若禺
- 关键词：晶体结构
- 新型稀磁半导体Mn掺杂LiZnAs的第一性原理研究被引量：10
- 2013年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,对纯LiZnAs,Mn掺杂的LiZnAs,Li过量和不足下Mn掺杂的LiZnAs体系进行几何结构优化,计算并对比分析了体系的电子结构、半金属性、光学性质及形成能.结果表明新型稀磁半导体Li(Zn0.875Mn0.125)As,Li1.1(Zn0.875Mn0.125)As和Li0.9(Zn0.875Mn0.125)As均表现为100%自旋注入,材料均具有半金属性,Li过量和不足下体系的半金属性明显增强.Li过量可以提高体系的居里温度,改善材料的导电性,使体系的形成能降低.说明LiZnAs半导体可以实现自旋和电荷注入机理的分离,磁性和电性可以分别通过Mn的掺入和Li的含量进行调控.进一步对比分析光学性质发现,低能区的介电函数虚部和复折射率函数明显受到Li的化学计量数的影响.
- 王爱玲毋志民王聪胡爱元赵若禺
