您的位置: 专家智库 > >

陕西省教育厅科研计划项目(12JK0664)

作品数:2 被引量:7H指数:1
相关作者:何雪莉肖强更多>>
相关机构:陕西师范大学西安工业大学更多>>
发文基金:陕西省教育厅科研计划项目更多>>
相关领域:一般工业技术金属学及工艺理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇面粗糙度
  • 1篇化学机械抛光
  • 1篇机械抛光
  • 1篇仿真
  • 1篇仿真与实验研...
  • 1篇SIC单晶
  • 1篇表面粗糙度
  • 1篇材料去除率
  • 1篇粗糙度

机构

  • 2篇西安工业大学
  • 2篇陕西师范大学

作者

  • 2篇肖强
  • 2篇何雪莉

传媒

  • 1篇材料导报
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 2篇2014
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
SiC单晶材料加工工艺研究进展被引量:6
2014年
SiC单晶片是第三代宽禁带半导体材料,其特有的晶体结构及高的材料硬度使其加工过程成为难点,突出表现为加工效率低、表面质量不稳定等问题,因此SiC单晶片的高效低损伤加工技术成为研究的焦点。介绍了SiC单晶材料去除机理,总结了高效精密加工SiC单晶的工艺现状及发展趋势,这对于提高SiC单晶片加工技术和应用水平有重要的理论意义和实用价值。
肖强何雪莉
关键词:SIC单晶化学机械抛光
SiC单晶片高效精密加工机理的仿真与实验研究被引量:1
2014年
SiC单晶作为理想的半导体材料,其特有晶体结构及高的材料硬脆性使其精密加工过程成为难点。本文基于SiC单晶材料去除机理,通过有限元方法对材料去除方式及应力进行了仿真及实验验证。仿真与实验的结果表明,基于超声复合研磨加工SiC单晶片,粗糙度降低达50%,材料去除率提高达100%。
肖强何雪莉
关键词:表面粗糙度材料去除率
共1页<1>
聚类工具0