广西壮族自治区自然科学基金(0832003)
- 作品数：6 被引量：4H指数：1
- 相关作者：黄宇阳邓文韩艳玲唐宇陈松更多>>
- 相关机构：广西大学玉林师范学院中国科学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广西壮族自治区自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学金属学及工艺电气工程更多>>
- Si基半导体中微观缺陷和微量元素行为的正电子湮没研究
- 测量了不同C或B含量经不同温度下烧结制备的Si基半导体、单晶Si、单晶SiO、石墨和纯多晶B样品的正电子寿命谱和符合正电子湮没辐射Doppler展宽谱。结果表明,石墨的商谱谱峰最高,SiO的谱峰次之,B的谱峰最低。随着B...
- 韩艳玲陈玉辉韩丽芳黄宇阳邓文
- 关键词：掺硼正电子湮没
- 文献传递
- Fe掺杂对CuAlO2微结构和热电性能的影响
- 测量了Fe掺杂对CuAlFeO(0≤X≤0.20)的符合正电子湮没辐射多勒展宽谱和寿命谱,获得样品中3d电子和缺陷的信息。结果表明,1)Fe掺杂增强CuAlFeO(0≤x≤0.2)正电子湮没辐射Doppler展宽谱的3d...
- 陈松唐宇王选理韩艳玲黄宇阳邓文
- 关键词：正电子湮没
- 文献传递
- 微量元素和烧结温度对硅基半导体中微观缺陷的影响
- 2011年
- 测量了不同C或B含量经不同烧结温度制备的Si基半导体、单晶Si、单晶SiO2、石墨和纯多晶B样品的正电子寿命谱和符合正电子湮没辐射Doppler展宽谱。结果表明,石墨的商谱谱峰最高,SiO2的谱峰次之,B的谱峰最低。随着B,C和O原子序数的增加,与正电子湮没的电子动量增加。含20%的C和含100ppm的B的样品的商谱的谱峰最高;含100ppm的B的样品的谱峰次之;含1ppm的B的样品的谱峰最低。随着烧结温度的升高,含100ppm的B的Si基半导体样品的商谱降低,正电子寿命增长,缺陷开空间和浓度升高。
- 韩艳玲陈玉辉韩丽芳黄宇阳邓文
- 关键词：掺硼正电子湮没
- ZnO-Bi_2O_3-TiO_2-Nb_2O_5系列压敏陶瓷的微观缺陷和电学性能研究被引量：2
- 2011年
- 研究了Nb2O5含量对ZnO-Bi2O3-TiO2-Nb2O5系列压敏陶瓷微观缺陷和电学性能的影响。电性能测试和正电子湮没技术研究结果表明,含0.2mol%Nb2O5的ZnO-Bi2O3-TiO2-Nb2O5压敏陶瓷的晶界缺陷最少,压敏电压最低。当Nb2O5含量超过0.2mol%时,ZnO压敏陶瓷样品中的晶界缺陷增加,压敏电压升高。
- 吕艳琼罗洪梁闫德霖黄宇阳邓文
- 关键词：ZNO压敏陶瓷电学性能正电子湮没
- 掺杂CaCO3对氧化锌压敏陶瓷的微结构和压敏特性的影响
- 本文研究了掺杂CaCO对ZnO压敏陶瓷的微结构和压敏特性的影响。实验发现,随着CaCO掺杂量的增加,ZnO压敏陶瓷中的晶界缺陷数量增多,正电子与高动量电子湮没的概率减小。在ZnO压敏陶瓷中加入少量的CaCO,CaO相主要...
- 熊超王宇鑫韦雅琴黄宇阳邓文
- 关键词：氧化锌压敏陶瓷压敏电压漏电流正电子湮没
- 文献传递
- Zn-40Al合金中微观缺陷和3d电子的正电子湮没
- 2009年
- 测量Zn单晶、Al单晶、铸态Zn60Al40合金以及冷轧Zn、Al、Zn60Al40的符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱和寿命谱。结果表明,单晶Zn和铸态Zn60Al40合金的商谱在约17.4×10-3m0c处出现一个峰,主要是正电子与Zn中3d电子湮没的作用;当Zn原子和Al原子形成Zn60Al40合金时,Zn原子和Al原子间主要以金属键结合;轧制Al的商谱明显低于单晶Al的商谱,冷轧Zn60Al40合金商谱略低于铸态Zn60Al40合金商谱;而单晶Zn和轧制Zn的商谱几乎重叠;Al、Zn金属和Zn60Al40合金经冷轧后,由于样品中产生了缺陷,而导致正电子平均寿命增加,轧制Al的增幅最大,轧制Zn60Al40合金的增幅次之,而轧制Zn的增幅最小。
- 陈雪星郭秋娥韩艳玲黄宇阳邓文
- 关键词：正电子湮没
- La_2O_3掺杂对ZnNb_2O_6陶瓷微观缺陷和介电常数的影响被引量：1
- 2010年
- 通过测量不同La2O3含量的ZnLa2xNb2(1-x)O(6-2x)微波介质陶瓷的介电常数、符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱和寿命谱,研究不同La2O3含量对该陶瓷介电常数和微观缺陷的影响。结果表明,x<0.20时,随着La2O3含量增加,样品正电子平均寿命τm和缺陷浓度减小,致密度、商谱谱峰和介电常数εr升高。x=0.20时,样品正电子平均寿命τm和缺陷浓度最小,致密度、商谱谱峰和介电常数εr最高。x≥0.30时,样品正电子平均寿命τm和缺陷浓度升高,致密度、商谱谱峰和介电常数εr降低。
- 唐宇陈松韩艳玲黄宇阳邓文
- 关键词：LA2O3介电常数
- Fe掺杂对La2/3Sr1/3Mn1-XFeXO3磁电阻材料微观缺陷的影响
- 采用标准固相反应法制备LaSrMnFeO(x=0.00～0.50)系列多晶陶瓷样品,测量其磁电特性、正电子湮没多普勒展宽谱和寿命谱.结果表明:样品的室温磁电阻MR随外加磁场B的增强而增大,MR-B的变化曲线关于外加磁场B...
- 王选理韩艳铃陈松唐宇黄宇阳邓文
- 关键词：稀土锰氧化物双交换作用正电子湮没
- 文献传递
- Fe-40Al及Zn-40Al合金中微观缺陷和高动量电子行为的正电子湮没研究
- 测量了Fe、Zn和Al单晶,Fe-40Al、Zn-40Al合金以及冷轧Fe、Zn、Al和Zn-40Al合金的符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱和寿命谱。实验发现,在二元Fe-40Al合金中,Al原子的3p电子与Fe的3d电子...
- 邓文唐锋意陈松黄宇阳熊良钺
- 关键词：正电子湮没
- 文献传递
- Nb2O5对ZnO压敏电阻器微观缺陷和电学性能的影响
- 本文研究了NbO含量对ZnO-BiO-TiO-NbO系列压敏陶瓷微观缺陷和电学性能的影响。电性能测试和正电子湮没技术研究结果表明,含0.2mol%NbO的ZnO-BiO-TiO-NbO压敏陶瓷的晶界缺陷最少,压敏电压最低...
- 吕艳琼罗洪梁闫德霖黄宇阳邓文
- 关键词：ZNO压敏陶瓷电学性能正电子湮没
- 文献传递
