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“上海－应用材料研究与发展”基金(082SYA1001)

作品数：1 被引量：2H指数：1
相关作者：张苗魏星薛忠营张波更多>>
相关机构：中国科学院中国科学院研究生院更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇锗硅
  • 1篇体硅
  • 1篇SI1-XG...
  • 1篇超薄

机构

  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 1篇张波
  • 1篇薛忠营
  • 1篇魏星
  • 1篇张苗

传媒

  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
体硅上外延超薄Si1-xGex用于制备SGOI材料被引量：2
2011年
采用减压化学气相沉积的方法在Si衬底上制备了高质量的Si0.75Ge0.25/Si/Si0.86Ge0.14叠层材料,通过TEM、光学显微镜和XRD分析表明,外延的SiGe薄膜具有完好的晶格结构,平整的表面质量,SiGe薄膜处于完全应变状态。通过与Si上外延渐变缓冲层制备的SiGe材料比较发现,使用这种超薄的全应变SiGe叠层材料来制备SGOI,可以大大缩短制备周期,降低制备成本。
薛忠营张波魏星张苗
关键词：锗硅
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