国家教育部博士点基金(20020610023)
- 作品数：9 被引量：8H指数：2
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- 相关领域：理学电子电信核科学技术更多>>
- CZT单晶生长过程中的Zn分凝现象研究
- 采用改进的Bridgman法生长出φ20 mm×40 mm、外表无裂纹的Cd_(0.8)Zn_(0.2)Te(CZT)单晶体。沿晶锭轴向每隔1.2 cm取点,进行EDX、XRD测试。在EDX测试中发现Zn含量相对于理论值...
- 李新磊赵北君朱世富邱春丽王智贤丁群何知宇陈宝军
- 关键词：碲锌镉晶格常数
- 文献传递
- CdZnTe晶体(111)面、(110)面和(100)面的蚀坑形貌观察
- 利用CdZnTe晶体晶面夹角之间的关系采用激光正反射法对改进布里奇曼法生长的CdZnTe单晶进行定向,研磨出了CdZnTe单晶体的(111)、(100)面。采用自行研制的HHKA腐蚀液对三个面进行择优腐蚀,得到了(111...
- 陈俊朱世富赵北君高德友魏昭荣李含冬韦永林唐世红
- 关键词：晶体生长布里奇曼法
- 文献传递
- 碲锌镉单晶片的退火方法被引量：2
- 2008年
- 探索了一种Cd1-xZnxTe(CZT)探测器晶片退火的新装置和新方法,该装置可以方便有效的对CZT单晶片进行同组分源退火研究。利用XRD、红外透射谱和晶体电阻率表征了采用该装置在富Cd的同组分CZT粉末源包裹下,选择适宜的退火温度和时间进行退火后的CZT单晶片,晶片的电阻率有一定的提高,红外透过率有一定改善。XRD分析表明,经过退火后,CZT单晶片中的Cd组分含量有一定增加。采用该方法退火后,晶体品质有一定提高。
- 高德友赵北君朱世富唐世红何知宇张冬敏方军程曦
- 关键词：退火电阻率XRD红外透射谱
- Cd_(0.80)Zn_(0.20)Te晶体的生长及性能研究
- 2007年
- 用本实验室合成的Ca0．80Zn0．20Te多晶料为原料，采用改进的布里奇曼法在镀碳和未镀碳的石英安瓿中生长出Ca0．80Zn0．20Te晶锭。使用X射线衍射仪对合成产物及晶锭进行了分析，生长晶体的X射线衍射峰尖锐，摇摆谱对称，表明晶锭的结晶性能较好；用IRPrestige-21红外光谱仪分析了晶体的红外透射光谱，测试结果表明安瓿镀碳后生长的晶体位错密度小，均匀性较好，电阻率优于未镀碳安瓿生长的晶体；晶体的蚀坑密度在10^3-10^4cm^-2之间，比未镀碳安瓿生长的晶体低1个数量级。
- 方军赵北君朱世富何知宇高德友张冬敏程曦王智贤
- 关键词：碲锌镉晶体生长XRD红外光谱
- 三温区坩埚下降法生长Cd_(1-x)Zn_xTe单晶体被引量：1
- 2009年
- CdZnTe晶体是一种性能优异的室温核辐射探测器材料。在熔体法生长CdZnTe晶体的过程中，生长炉的内部温场分布对获得的晶体结构和性能有很大影响。根据CdZnTe晶体的生长习性，设计了三温区单晶炉，用坩埚下降法生长出CdZnTe单晶体。通过X射线衍射、红外透过率、I-V测试等分析研究，得到了红外透过率约为61％，腐蚀蚀坑密度（EPD）为10^4cm^-2，电阻率为10^9～10^10Ω·cm的Cd0.9Zn0．1Te单晶体。表明三温区坩埚下降法生长的单晶体结晶质量好、成分分布均匀、EPD低、红外透过性能好且电阻率高。
- 邱春丽赵北君朱世富王智贤李新磊何知宇陈宝军唐世红
- 关键词：CDZNTE单晶生长坩埚下降法
- 碲锌镉单晶体的正电子寿命研究被引量：2
- 2006年
- 用正电子湮没技术(PAT)研究了原料富Cd改进布里奇曼法生长的碲锌镉单晶样品退火前后的缺陷。刚生长的样品缺陷寿命值较高,其内部存在的点缺陷主要是占优势的Cd空位,用富Cd同成份源Cd1-xZnxTe气氛对样品在不同温度下等时退火后,发现样品的正电子寿命参数对退火温度表现出很强的依赖关系,通过对样品退火过程中空位的迁移、聚集及消失情况分析,得出较适宜的退火温度约为700℃。
- 唐世红赵北君朱世富王瑞林高德友陈俊张冬敏何知宇方军洪果
- 关键词：碲锌镉正电子湮没技术退火
- CdZnTe晶片表面钝化后的热处理研究被引量：2
- 2011年
- 报道了CdZnTe晶片表面钝化后,热处理工艺对其性能的影响。先采用30%的H2O2钝化抛光好的CdZnTe晶片,然后在恒温干燥箱中进行热处理;最后使用ZC36微电流测试仪、EDX能谱仪和扫描电镜(SEM)研究热处理对钝化后的CdZnTe晶片表面的电学性能、表面成分以及表面形貌的影响。分析表明:CdZnTe钝化后在大气氛围120℃下热处理40 min,表面H2 TeO3、H6 TeO6等分解较为完全,晶片表面氧化层分布均匀,表面漏电流显著减小,晶体电阻率提高1～2个数量级,对提高探测器的性能有重要作用。
- 刘勇朱世富赵北君陈宝军何知宇丁群
- 关键词：碲锌镉钝化漏电流电阻率
- 碲锌镉晶体的In、Cd双源气氛退火研究被引量：1
- 2011年
- 采用改进的垂直Bridgman法生长出尺寸为Φ20 mm×40 mm、外观完整无裂纹的Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te(CZT)单晶体.沿晶体解理面切割晶片,在In、Cd气氛下进行退火热处理,经973K退火140 h后,采用能量色散谱仪(EDS)、ZC36型高阻仪和傅里叶红外分光光度计等研究了退火对晶片的成分、电学、光学性能的影响.实验结果表明:在In、Cd双源气氛下退火后:晶体的晶格完整性得到改善,电阻率提高了2～3个数量级,红外透过率显著提高.
- 丁群赵北君朱世富邱春丽何知宇陈宝军刘勇
- 关键词：碲锌镉晶体电阻率EDS
- 表面处理对CdZnTe晶片漏电流的影响
- 2010年
- 采用EDS、XPS、I-V等方法研究了Cd1-xZnxTe(CZT)表面处理工艺与晶片漏电流之间的相互关系。结果表明,机械抛光后的CZT晶片存在损伤层,采用5%BM溶液腐蚀可有效去除损伤层,得到光滑无划痕的表面,但腐蚀后晶片表面组成偏离化学计量配比,随腐蚀时间的延长表面呈现富Te现象,晶体表面漏电流随之增大1～2个数量级;采用KOH溶液对BM抛光后的晶片进一步腐蚀10min,可消除多余的Te得到接近于化学计量比的表面;采用NH4F/H2O2溶液对晶片表面进行钝化,XPS分析表明样品表面的Te0或Te2-被氧化成Te4+,形成高阻氧化层。I-V测试结果表明晶片经KOH+NH4F/H2O2溶液两步钝化后,表面漏电流相对于BM抛光后降低2～3个数量级,具有较好的钝化效果。
- 邱春丽赵北君朱世富丁群何知宇陈宝军
- 关键词：表面处理钝化XPS分析漏电流
- CZT单晶生长过程中的Zn分凝现象研究被引量：1
- 2008年
- 采用改进的Bridgman法生长出Φ20mm×40mm、外表无裂纹的Cd0.8Zn0.2Te(CZT)单晶体。沿晶锭轴向每隔1.2cm取点,进行EDX、XRD测试。在EDX测试中发现Zn含量相对于理论值发生了偏离,随晶体生长过程呈现递减趋势,分析表明是由于Zn的分凝所引起。对XRD粉末衍射测试的结果进行结构分析,计算出上述不同位置的晶胞常数变化规律呈现递增趋势,表明Zn含量呈现递减趋势,与EDX实验结果一致。
- 李新磊赵北君朱世富邱春丽王智贤丁群何知宇陈宝军
- 关键词：碲锌镉晶格常数
