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外延PbZr_(0.4)Ti_(0.6)O_3薄膜的电光效应: 2009年; 从Landau-Devonshire唯象理论出发,通过热力学分析得到PbZr0.4Ti0.6O3薄膜的电光效应与厚度和外加电场的关系。结果表明,生长在SrTiO3衬底上的PbZr0.4Ti0.6O3薄膜,其线性电光系数和二次电光系数都随薄膜厚度的增加而增大,且在临界厚度附近趋于饱和,对50nm厚的PbZr0.4Ti0.6O3薄膜,线性电光系数和二次电光系数分别为7.2×10-11m/V和0.31×10-18m2/V2,双折射变化随外加电场改变,由线性电光效应引起的双折射变化比二次电光效应引起的双折射变化明显。; 王英龙魏同茹褚立志刘保亭傅广生; 关键词：铁电薄膜电光效应电光系数

BaZrO_3和CaZrO_3能带和光学性质的第一性原理研究被引量：3: 2009年; 采用基于密度泛函理论基础上的CASTEP软件包,计算了BaZrO_3和CazrO_3的能带以及光学性质.计算得到BazrO_3直接带隙和间接带隙分别为3.49 eV和3.23 eV,CazrO_3直接带隙和间接带隙分别为3.73 eV和3.38 eV.对这两种材料的介电函数、吸收系数、反射系数、折射系数、湮灭系数和能量损失系数等光学系数进行了计算,并基于电子能带对光学性质进行了解释,得出,光学特性的异同是由于其内部微观结构上的异同所引起的.; 王英龙吴转花褚立志; 关键词：第一性原理电子能带结构光学性质

纳米TiO_2薄膜表面微区分析的研究进展被引量：1: 2007年; 在简要介绍纳米TiO_2功能薄膜各种制备技术的基础上,着重对近年来研究TiO_2薄膜及其复合薄膜采用的微区分析技术及应用研究进展进行了综述,并比较了各种微区分析技术的优缺点。; 仇满德姚子华; 关键词：微区分析纳米TIO2薄膜

硅基高度择优取向PZT厚膜的制备及性能研究被引量：1: 2006年; 应用溶胶-凝胶法成功地在以SrTiO3(STO)为模板/阻挡层Si(001)基片上制备了La-Sr-Co-O/Pb(Zr0.5Ti0.5)O3(PZT)/La-Sr-Co-O/STO/Si异质结,PZT的厚度为0.8μm。研究了异质结的结构和性能。实验发现,PZT结晶良好、具有(001)高度择优取向以及较高的极化强度和较小的极化强度对脉冲宽度的依赖性;当外加电压为50V时,电阻率仍>108Ω.cm。; 刘保亭程春生赵庆勋闫正马良李锋武德起; 关键词：硅衬底锆钛酸铅溶胶-凝胶法厚膜

含NiTi阻挡层的硅基(La_(0.5)Sr_(0.5))CoO_3/Pb(Zr_(0.4)Ti_(0.6))O_3/(La_(0.5)Sr_(0.5))CoO_3铁电电容器异质结被引量：1: 2007年; 应用磁控溅射法制备的非晶NiTi薄膜作阻挡层,在Si(100)衬底上构造了(La0.5Sr0.5)CoO3/Pb(Zr0.4Ti0.6)O3/(La0.5Sr0.5)CoO3(LSCO/PZT/LSCO)铁电电容器异质结,研究了Pb(Zr0.4Ti0.6)O3铁电薄膜的结构和物理性能。实验发现LSCO/PZT/LSCO铁电电容器具有良好的电学性能,在417kV/cm的驱动场强下,PZT铁电电容器具有较低的矫顽场强(125kV/cm)和较高的剩余极化强度(19.0μC/cm2),良好电容-电压特性(C-V)和保持特性,铁电电容器经过1010次反转后,极化强度没有明显下降,表明了非晶NiTi薄膜可以用作高密度硅基铁电存储器的扩散阻挡层。; 刘保亭闫小兵程春生李锋马良赵庆勋闫正; 关键词：NITI 阻挡层

沉积温度对LaNiO_3薄膜结构和性能的影响被引量：2: 2006年; 采用磁控溅射法在（001）SrTiO3基片上制备了LaNiO3氧化物薄膜，应用X射线衍射（XRD）、反射式高能电子衍射（RHEED）、原子力显微镜（AFM）、四探针测试仪等技术系统研究了沉积温度对LaNiO3薄膜结构和性能的影响。结果表明在较低的生长温度和较宽的温度范围内（250-400℃）都能得到外延LaNiO3薄膜。输运性质的测量结果表明在其它条件不变的情况下，250℃温度下生长的LaNiO3薄膜具有最高的电导率。; 刘保亭武德起闫正乔晓东赵庆勋王英龙; 关键词：LANIO3 磁控溅射

BiFeO_3及Bi_2FeCrO_6的电子结构和光学特性被引量：4: 2008年; 采用第一性原理方法计算了铁酸铋及掺铬铁酸铋的电子结构和光学特性等。计算结果表明BiFeO3及Bi2FeCrO6是间接带隙材料,所得到的BiFeO3和Bi2FeCrO6的带隙Eg=2.5eV和Eg=1.7eV,并讨论了Cr的掺入对能态密度、复介电函数,光学特性参数和Mulliken电荷分布的影响,所得结果对BiFeO3材料掺杂改性的研究具有参考价值。; 赵庆勋温梦仙王书彪关丽刘保亭; 关键词：BIFEO3 第一性原理电子结构光学性质

用于Cu互连阻挡层的非晶Ni-Al薄膜研究被引量：4: 2008年; 以非晶Ni-Al薄膜作为Cu互连的阻挡层材料,采用射频磁控溅射法构架了Cu/Ni-Al/Si的异质结。利用原子力显微镜、X射线衍射仪和四探针测试仪研究了不同温度下高真空退火样品的表面形貌、微观结构与输运性质。实验发现非晶Ni-Al薄膜在高达750℃的退火温度仍能保持非晶结构,各膜层之间没有明显的反应和互扩散存在,表明了非晶Ni-Al薄膜具有良好的阻挡效果,可以用作Cu互连的阻挡层材料。; 霍骥川刘保亭邢金柱周阳李晓红李丽张湘义王凤青王侠彭英才; 关键词：CU互连扩散阻挡层

强电场下PbZr_(0.4)Ti_(0.6)O_3薄膜的电热效应被引量：3: 2008年; 从Landau-Devonshire唯象理论出发,通过热力学分析得到了PbZr0.4Ti0.6O3体材料和薄膜的电热效应与温度和电场的关系。结果表明,在居里温度附近,体材料发生铁电相变,而在足够强的电场下,其固有的电热效应破坏了铁电相变的不连续性,绝热温度改变了约11K,对薄膜结构的PbZr0.4Ti0.6O3,绝热温度改变了约7.3K,这与实验结果(12K)基本相符。薄膜结构使铁电材料由不连续相变转到连续相变,它还减小了铁电材料的电热效应,降低了各物理量随温度变化的灵敏性。; 王英龙魏同茹刘保亭褚立志傅广生; 关键词：铁电薄膜电热效应铁电相变

Pb(Zr_(0.4)Ti_(0.6))O_3电子结构的第一性原理研究被引量：5: 2007年; 采用基于密度泛函理论的赝势平面波方法计算了Pb(Zr0.4Ti0.6)O3五层超晶胞的顺电相和铁电相的电子结构.由态密度、电子密度和能带结构的计算结果发现顺电相下钛氧八面体Ti-O6和锆氧八面体Zr-O6在铁电相中分裂为由1个O1离子和4个O2离子组成的金字塔结构Ti-O5和Zr-O5;与顺电相相比,铁电相中钛离子的3d电子和氧离子的2p电子存在更强的轨道杂化,这种杂化降低了离子间的短程排斥力,使得具有铁电性的四方结构更为稳定,而且钛离子与氧离子的相互作用对于铁电相Pb(Zr0.4Ti0.6)O3沿c轴自发极化的贡献大于锆离子与氧离子的相互作用;由电子密度的分布可推断立方结构的Pb-O键呈现离子键特征,而铁电相下Pb-O键则有较大的共价成分,铅离子与氧离子的这种轨道杂化对Pb(Zr0.4Ti0.6)O3的铁电性起重要作用.所得结果对深入理解Pb(Zr0.4Ti0.6)O3铁电性的微观机理具有参考价值.; 赵庆勋王书彪关丽刘保亭; 关键词：铁电体电子结构第一性原理

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