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国家自然科学基金(50572022)

作品数:7 被引量:27H指数:4
相关作者:刘彩池郝秋艳陈玉武王立建赵建国更多>>
相关机构:河北工业大学华侨大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金教育部科学技术研究重点项目福建省农科院青年科技人才创新基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术金属学及工艺电子电信更多>>

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 4篇理学
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇电池
  • 3篇太阳电池
  • 3篇RTP
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇多晶硅太阳电...
  • 2篇少子寿命
  • 2篇硅太阳电池
  • 2篇表面织构
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇杂质对
  • 1篇铜配位聚合物
  • 1篇配位
  • 1篇配位聚合
  • 1篇配位聚合物
  • 1篇金属
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体结构
  • 1篇混合价

机构

  • 5篇河北工业大学
  • 1篇华侨大学

作者

  • 5篇刘彩池
  • 4篇郝秋艳
  • 4篇陈玉武
  • 3篇王立建
  • 3篇赵建国
  • 2篇孙海知
  • 2篇吴丹
  • 1篇吴季怀
  • 1篇范乐庆
  • 1篇林建明
  • 1篇辛国军
  • 1篇黄昀昉
  • 1篇王勇

传媒

  • 2篇光电子.激光
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇无机化学学报
  • 1篇电源技术
  • 1篇材料热处理学...
  • 1篇Rare M...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
快速热处理工艺下金属杂质对铸造多晶硅少子寿命的影响被引量:6
2009年
利用离子注入技术在铸造多晶硅中分别引入铜、铁、镍杂质玷污,用微波光电导衰减(μ-PCD)仪测试技术研究了铜、铁、镍杂质对硅片少子寿命的影响。研究发现:原生铸造多晶硅片和离子注入铜、铁、镍杂质的多晶硅片经1000℃常规热处理2h后少子寿命值都会降低,下降幅度基本一致。原生硅片在低中温条件下,少子寿命值呈现先下降后上升的趋势;当硅片经高温RTP后,其少子寿命值得到明显改善。低中温RTP条件下,经铜、镍杂质玷污的硅片随着退火温度的升高,少子寿命变化不大。高温RTP条件下,经铜、铁、镍杂质玷污后硅片的少子寿命迅速下降。实验结果表明高温RTP能够提高杂质含量较低硅片的少子寿命,而对杂质含量较高硅片的少子寿命有负面影响。
陈玉武郝秋艳刘彩池赵建国吴丹王勇
关键词:RTP少子寿命
多晶硅太阳电池酸腐表面织构的研究被引量:8
2007年
采用酸腐多晶Si片的方法,获得了各向同性的表面织构。酸腐蚀液选取HF-HNO3混合溶液,并用H3PO4进行改良。分别利用扫描电镜(SEM)和光谱响应系统,分析了腐蚀后多晶Si片的表面形貌和反射率。结果表明,酸腐多晶Si表面分布均匀的蚯蚓状腐蚀坑,反射率很低,在等离子增强化学气相沉积(PECVD)Si3N4减反射膜后,反射率大大下降。
王立建刘彩池孙海知郝秋艳
关键词:表面织构太阳电池
三维混合价态铜配位聚合物[Cu(Me_2dtc)_2(CuI)_3]_n的合成与晶体结构(英文)
2010年
A new three-dimensional copper dithiocarbamate-copper iodide coordination polymer [Cu(Me2dtc)2(CuI)3]n (Me2dtc=N,N-dimethyldithiocarbamate) was synthesized by reactions of Cu(OAc)2,NaI and Na(Me2dtc) in DMF solution,characterized by elemental analysis,IR spectrum,and single-crystal X-ray diffraction. The crystal belongs to the monoclinic system,space group C2/c with a=1.293 89(17) nm,b=1.077 61(11) nm,c=1.456 05(17) nm,β=115.585 (4)°,V=1.831 1 (4) nm3,Z=4,Dc=3.175 g·cm-3,Mr=875.28,λ (Mo Kα)=0.071 073 nm,μ=10.082 mm-1,F(000)=1 604,the final R=0.029 5 and wR=0.081 7. A total of 2 083 unique reflections were collected,of which 1 918 with I>2σ(I) were observed. The Cu atoms are Cu(Ⅰ)/Cu(Ⅱ) mixed-valence and they have two different coordinate geometries,namely planar square and tetrahedron. This three-dimensional structure consists of individual Cu(Me2dtc)2 molecules linking together CuI polymeric chains which run parallel to the [001] direction vis Cu-S bonds.
范乐庆吴季怀林建明黄昀昉
关键词:混合价态晶体结构
Effect of oxygen precipitates in solar grade silicon on minority carrier lifetime and efficiency of solar cells
2006年
The effect of oxygen precipitates on minority carrier lifetime and performance of solar cell was studied by means of Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FTIR), quasi-steady state photoconductance (QSSPCD), optical microscope, spectrum response and solar cell efficiency test. The minority carrier lifetime and performance of solar cell reduced depend on oxygen precipitates. A few of oxygen precipitates have formed after single-step annealing; and they do not impact the efficiency dramatically. Pre-annealing at 650 ℃ for 4 h enhances the oxygen precipitation when it is subjected to middle temperature annealing. The solar cells performance decayed sharply. Especially annealing at 950 ℃ for 3 h, the Vos and Isc of cells decrease 12% and 25% respectively. Few oxygen precipitates have formed in silicon after high temperature annealing at about 1050 ℃ whether pre-annealing is used or not, and the performance of cells is not be affected.
SUN Haizhi LIU Caichi HAO Qiuyan WANG Lijian
关键词:OXYGENPRECIPITATESOLARANNEALING
快速热处理对PECVD氮化硅薄膜性能的影响被引量:3
2008年
利用PECVD在硅片上沉积了氮化硅(SiNx)薄膜,将沉积膜后的样品放在N2气氛中进行快速热处理(RTP),研究了不同快速热处理对PECVD氮化硅薄膜性能的影响。采用原子力显微镜(AFM)检测薄膜的表面形貌,利用椭圆偏振仪测量样品膜厚和折射率,利用准稳态光电导衰减法(QSSPCD)测量样品的少子寿命。实验结果表明随着RTP温度的升高,薄膜厚度迅速减小,折射率迅速增大;低于500℃热处理时,少子寿命基本不变;高于500℃热处理时,随着温度的升高,少子寿命急剧下降。氮化硅薄膜经热处理后反射率基本不变。
陈玉武郝秋艳刘彩池王立建孙海知赵建国
关键词:氮化硅RTP太阳电池
酸腐多晶硅太阳电池表面织构的研究被引量:5
2008年
多晶硅太阳电池是目前光伏发展的主要趋势,而缺乏有效的表面织构的方法是多晶硅太阳电池发展的一个瓶颈。采用酸腐多晶硅片的方法获得各向同性的表面织构。酸腐蚀液选取HF-HNO3混合溶液并用H2SO4进行改良。分别利用扫描电镜(SEM)和光谱响应系统分析了腐蚀后多晶硅片的表面形貌和反射率。结果表明,酸腐多晶硅表面分布均匀的蠕虫状腐蚀坑,反射率很低,在PECVDSiNx减反射膜后反射率大大下降。
王立建刘彩池陈玉武辛国军左云翔章灵军
关键词:表面织构多晶硅太阳电池
快速热处理对铸造多晶硅性能的影响被引量:5
2008年
采用微波光电导衰减法(μ-PCD)、扫描电镜等测试技术,研究了快速热处理(RTP)对铸造多晶硅片表面缺陷形貌以及少子寿命特性的影响。结果表明:铸造多晶硅片经低中温(750、850和950℃)RTP时,硅片的少子寿命明显降低,其中在950℃、保温30s时硅片的少子寿命下降幅度最大;当硅片经高温1050℃RTP时,硅片的少子寿命急剧增大,最大幅度达到初始寿命值的4.3倍。另一方面,保温时间对硅片少子寿命也有很大影响,一定RTP温度下,随着保温时间的增加,硅片的少子寿命逐渐增大。
陈玉武郝秋艳刘彩池赵建国王立建吴丹
关键词:少子寿命
共1页<1>
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