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国家自然科学基金(50572050)

作品数:11 被引量:23H指数:3
相关作者:周和平王希林赵玉珍刘珊珊许春来更多>>
相关机构:清华大学更多>>
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相关领域:化学工程一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 11篇中文期刊文章

领域

  • 7篇化学工程
  • 4篇一般工业技术
  • 1篇电气工程

主题

  • 10篇介电
  • 9篇钛酸
  • 9篇钛酸锶
  • 9篇钛酸锶钡
  • 6篇陶瓷
  • 5篇SR
  • 5篇BA
  • 4篇电性能
  • 4篇介电性
  • 4篇介电性能
  • 2篇移相器
  • 2篇陶瓷介电
  • 2篇铁电
  • 2篇铁电陶瓷
  • 2篇显微结构
  • 2篇TIO
  • 2篇掺杂
  • 1篇等离子
  • 1篇电损耗
  • 1篇电泳沉积

机构

  • 11篇清华大学

作者

  • 11篇周和平
  • 7篇王希林
  • 5篇刘珊珊
  • 5篇赵玉珍
  • 4篇许春来
  • 2篇薛昊
  • 1篇王寒风
  • 1篇艾晨

传媒

  • 10篇稀有金属材料...
  • 1篇硅酸盐学报

年份

  • 2篇2015
  • 1篇2011
  • 2篇2009
  • 5篇2007
  • 1篇2006
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
掺杂氧化铌对钛酸锶钡铁电陶瓷材料显微结构和介电性能的影响被引量:9
2007年
钛酸锶钡(barium strontium titanate,BST)铁电陶瓷材料的介电常数(ε)随外加直流电场的变化呈现非线性特性。纯BST材料由于较高的ε和较大的介电损耗(tanδ)不能满足移相器介质材料的要求。通过在BST中添加氧化铌(Nb2O5)来改善BST铁电陶瓷材料的介电性能。结果表明:在BST体系中微量掺杂Nb2O5,Nb5+以取代Ti4+的方式存在于钙钛矿的晶格中,形成均匀的固溶体Ba0.5Sr0.5Ti1–xNbxO3。随Nb5+添加量的增加,Curie峰逐渐变宽,峰高逐渐降低,相变弥散效应增强。Nb5+的掺杂能显著降低并稳定BST陶瓷的tanδ,改善BST体系的介电性能。
许春来周和平
关键词:钛酸锶钡铁电陶瓷介电损耗移相器
YF_3掺杂对Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3介电可调性的影响被引量:2
2009年
采用传统工艺制备了YF3掺杂的Ba0.6Sr0.4TiO3陶瓷材料,研究了YF3掺杂比例对钛酸锶钡材料结构及介电性能的影响。结果表明:烧结后得到的BSTO材料具有典型的钙钛矿结构;YF3掺杂具有降低Ba0.6Sr0.4TiO3材料的介电常数、细化陶瓷晶粒和提高介电常数温度稳定性的作用。在氟化钇掺杂比例1%时介电常数降至1887(100kHz),介电可调性达到30%(1.5kV/mm)以上,各掺杂比例的钛酸锶钡材料的介电损耗均在1%以下。
刘珊珊赵玉珍王希林周和平
关键词:钛酸锶钡
铝酸镧掺杂对Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3介电性能的影响被引量:1
2009年
在外加直流偏置电场作用下,钛酸锶钡(BST)固溶体铁电材料具有随着电场强度增加而介电常数降低的非线性特征,是相控阵天线移相器材料的研究热点。而铝酸镧陶瓷介电常数温度系数可达接近零,介电损耗正切值低,可小于1×10-4。为降低BST材料的介电损耗和介电常数,以铝酸镧为改性剂对Ba0.6Sr0.4TiO3材料进行了掺杂。当铝酸镧的含量为4%时,Ba0.6Sr0.4TiO3材料的介电常数降低到85(100kHz),介电损耗降低到0.00041(100kHz),而Ba0.6Sr0.4TiO3材料的介电可调性保持在20%左右。X射线衍射图谱表明烧结后得到的BST材料具有典型的钙钛矿结构。SEM图像观察发现,4%比例的掺杂量使得陶瓷致密度较高,晶粒均匀。
王希林赵玉珍刘珊珊周和平
放电等离子烧结钛酸锶钡陶瓷的显微结构和介电性能
2007年
采用放电等离子烧结(Spark Plasma Sintering,SPS)技术制备了致密的钛酸锶钡(BSTO)陶瓷材料,分析了其致密化过程和烧结陶瓷试样的微观结构,测试了烧结体的介电和铁电性能。结果表明,SPS烧结技术不仅是一种有效的低温快烧技术,而且获得的BSTO烧结体具有独特的微观结构特征和优异的介电性能。
许春来周和平
关键词:钛酸锶钡放电等离子烧结显微结构介电性能
MnO_2掺杂对Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3陶瓷介电调谐性能的影响
2006年
采用固相反应法制备了掺杂MnO2的Ba0.6Sr0.4TiO3陶瓷,分析了掺杂MnO2的Ba0.6Sr0.4TiO3陶瓷在直流偏置电场下的介电调谐性能。采用XRD和SEM分析了掺杂MnO2的Ba0.6Sr0.4TiO3陶瓷的相结构和微观彤貌,采用HP4192A分析了掺杂MnO2的Ba0.6Sr0.4TiO3介电-温度特性,采用同惠电子公司的TH2816精密电桥测量了介电可调性。结果表明:随着MnO2含量的增加,Ba0.6Sr0.4TiO3陶瓷的致密度和晶粒尺寸都呈现先增大再降低的现象。介电可调性随着MnO2的加入而降低。但品质因子随着MnO2含量的增加呈现先增加再降低的现象。当MnO2含量为4mol%时达到最大值55.1。
薛昊艾晨王希林王寒风周和平
关键词:MNO2
氧化铝掺杂对Ba_(0.6)Sr_(0.4)(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_3陶瓷介电性能的影响
2011年
Zr4+取代Ti4+的Ba0.6Sr0.4(Zr0.2Ti0.8)O3固溶体在降低介电常数的同时,保持了BST固溶体优异的可调性。为降低BST材料的介电损耗和介电常数,以氧化铝为改性剂对Ba0.6Sr0.4(Zr0.2Ti0.8)O3材料(BSZT材料)进行了掺杂。随着氧化铝掺杂质量分数从1%到10%增加,BSZT材料的介电常数从5000降低到了1550(100kHz),介电损耗降低到0.001(100kHz)以下,而材料的介电可调性保持在35%左右(1.5kV/mm)。X射线衍射图谱表明,烧结后得到的BSZT材料具有典型的钙钛矿结构。扫描电子显微镜观察表明,氧化铝的掺杂使得陶瓷致密度较高,晶粒均匀。
王希林赵玉珍刘珊珊周和平
关键词:钛酸锶钡
电泳沉积法制备Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3厚膜及介电性能研究被引量:2
2007年
采用溶胶凝胶法制备了钛酸锶钡超细粉体,在纯乙醇中配制成悬浮液,利用电泳沉积技术在印刷铂的氧化铝基板上沉积得到了BST厚膜。通过控制悬浮液中粉体的浓度和超声振荡实现了悬浮液的稳定。电泳沉积过程中通过改变电压和沉积时间研究了厚膜质量和厚膜的厚度。利用扫描电子显微镜(SEM)观察了沉积物的微观结构形貌,对沉积质量进行了对比研究。实验结果表明,当外加电场强度为20V/cm,沉积时间为30s时得到的厚膜表面质量较好,厚度适合。实验发现1200℃烧结温度得到的厚膜致密度较好。X射线衍射分析(XRD)图谱表明烧结后得到的BST厚膜具有典型的钙钛矿结构。对厚膜的介电性能测试发现,BST厚膜有一定的介电性能,展示了BST材料的非线性特性。
王希林薛昊周和平
关键词:电泳沉积介电性能
氟化钙掺杂对钛酸锶钡陶瓷结构和介电性能的影响
2015年
研究了Ca F2掺杂对钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4Ti O3,BSTO)陶瓷的结构和介电性能的影响。采用传统烧结工艺制备了Ca F2掺杂的BSTO陶瓷,对其晶体结构、微观形貌和介电性能进行了研究。XRD结果显示,Ca F2掺杂BSTO陶瓷为钙钛矿结构,当掺杂量≥3%(质量分数)时,基体中出现第二相Ba Ca Ti O4。添加少量Ca F2(0.5%)可明显减小晶粒尺寸,随掺杂量继续增加,晶粒尺寸变化不明显。Ca F2掺杂降低了BSTO陶瓷的介电常数和介电可调性,减小了其介电损耗,提高了材料的综合使用性能。
刘珊珊赵玉珍王希林周和平
关键词:钛酸锶钡CA
氟化锂助烧钛酸锶钡的研究
2015年
研究了氟化锂助烧剂对钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4Ti O3,BSTO)陶瓷晶体结构、微观形貌和介电性能的影响。XRD图谱显示,添加氟化锂助烧剂时,钛酸锶钡晶体结构未发生明显变化。样品SEM照片显示添加氟化锂可以增加钛酸锶钡陶瓷晶粒尺寸,显著降低材料介电损耗,提高材料综合介电性能。添加5%(质量分数)氟化锂的钛酸锶钡陶瓷介电常数为3360,介电损耗可降至3.5×10-4,介电可调性为44%(150 k Hz,1.6 k V·mm-1)。
刘珊珊赵玉珍王希林周和平
关键词:钛酸锶钡介电性能氟化锂助烧剂
溶胶-凝胶法制备的钛酸锶钡超细粉体的结构与性能被引量:4
2007年
采用溶胶-凝胶法制备了不同Ba/Sr比的BST粉体,研究了粉体的热处理制度,粉体及其烧结体的微观结构,烧结体的介电性能以及居里温度与组成的关系等。研究结果表明用溶胶-凝胶法制备的BST超细粉体,由于其尺寸细小,粉体的比表面积很大,因而烧结活性更高,在1350℃烧成4h可获得结构致密的单一钙钛矿相的瓷体。
许春来周和平
关键词:钛酸锶钡陶瓷微粉介电性能
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