国家自然科学基金(50572101)
- 作品数：2 被引量：7H指数：1
- 相关作者：邓玉福王维彪雷达梁静秋更多>>
- 相关机构：沈阳师范大学中国科学院长春光学精密机械与物理研究所内蒙古大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 外延法生长金刚石薄膜场发射特性研究被引量：7
- 2009年
- 研究了外延法生长金刚石薄膜的场发射特性.金刚石薄膜用热丝CVD法生长,甲烷与氢气比例为2.5%,生长于事先电泳沉积在硅衬底的金刚石微晶上.实验数据的计算结果表明:金刚石薄膜的阈值电压为1.8V/μm,有效功函数降低为纯金刚石颗粒的0.11倍.通过SEM、XRD和Raman等手段表征了金刚石薄膜的结构,并对其场发射机制作出理论分析.
- 刘丽丽邓玉福
- 关键词：场发射金刚石外延法非晶碳
- 一种平行背栅极碳纳米管阵列的场增强因子计算
- 2014年
- 建立一种平行背栅极碳纳米管阵列阴极,基于电场叠加原理,利用镜像电荷法对其进行计算,给出碳纳米管顶端表面电场增强因子。在此基础上,进一步分析器件各类参数对电场增强因子的影响。分析表明,碳纳米管阵列阴极具有最佳阵列密度,其对应碳纳米管间距大约为碳纳米管高度的两倍,靠阴极阵列边缘部位的碳纳米管发射电子能力比其中心部位的大。除了碳纳米管的长径比之外,栅极宽度、栅极厚度和栅极间距等也对电场增强因子有一定的影响:栅极越宽,场增强因子越大;而栅极厚度、栅极间距越大,场增强因子就越小。
- 雷达孟根其其格梁静秋王维彪
- 关键词：碳纳米管阵列
