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国家重点基础研究发展计划(513270505)

作品数：1 被引量：2H指数：1
相关作者：马志勇罗卫军王翠梅刘新宇胡国新更多>>
相关机构：中国科学院中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：中国科学院知识创新工程重要方向项目国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇碳化硅
  • 1篇碳化硅衬底
  • 1篇沟道
  • 1篇硅衬底
  • 1篇N沟道
  • 1篇SIC衬底
  • 1篇ALGAN/...
  • 1篇ALGAN/...
  • 1篇MOCVD生...
  • 1篇衬底

机构

  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 1篇李晋闽
  • 1篇陈晓娟
  • 1篇李建平
  • 1篇肖红领
  • 1篇王占国
  • 1篇王晓亮
  • 1篇钱鹤
  • 1篇胡国新
  • 1篇刘新宇
  • 1篇王翠梅
  • 1篇罗卫军
  • 1篇马志勇

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
MOCVD生长的SiC衬底高迁移率GaN沟道层AlGaN/AlN/GaN HEMT结构(英文)被引量：2
2006年
用MOCVD技术在高阻6H-SiC衬底上研制出了具有高迁移率GaN沟道层的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构材料,其室温和80K时二维电子气迁移率分别为1944和11588cm2/(V.s),相应二维电子气浓度为1.03×1013cm-2;三晶X射线衍射和原子力显微镜分析表明该材料具有良好的晶体质量和表面形貌,10μm×10μm样品的表面粗糙度为0.27nm.用此材料研制出了栅长为0.8μm,栅宽为1.2mm的HEMT器件,最大漏极饱和电流密度和非本征跨导分别为957mA/mm和267mS/mm.
王晓亮胡国新马志勇肖红领王翠梅罗卫军刘新宇陈晓娟李建平李晋闽钱鹤王占国
关键词：ALGAN/GAN碳化硅衬底
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