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国家自然科学基金(51074032)

作品数:7 被引量:41H指数:2
相关作者:谭毅李佳艳郭素霞石爽游小刚更多>>
相关机构:大连理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域:冶金工程金属学及工艺一般工业技术理学更多>>

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 2篇冶金工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 4篇多孔硅
  • 3篇电阻率
  • 3篇化学腐蚀
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇电化学腐蚀
  • 2篇冶金
  • 2篇提纯
  • 2篇吸杂
  • 1篇单晶硅片
  • 1篇电学
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇少子寿命
  • 1篇铝硅
  • 1篇铝硅合金
  • 1篇精炼
  • 1篇光伏
  • 1篇光伏产业
  • 1篇硅合金

机构

  • 7篇大连理工大学

作者

  • 7篇谭毅
  • 6篇李佳艳
  • 4篇郭素霞
  • 3篇石爽
  • 2篇游小刚
  • 1篇徐强
  • 1篇姜大川
  • 1篇董伟
  • 1篇武深瑞
  • 1篇解希玲
  • 1篇刘瑶
  • 1篇刘辰光
  • 1篇郭校亮
  • 1篇李亚琼
  • 1篇胡跟兄

传媒

  • 3篇材料工程
  • 2篇功能材料
  • 1篇材料导报
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 3篇2012
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
铝硅合金精炼提纯多晶硅的研究进展被引量:2
2012年
采用高效节能、环境友好的冶金法提纯多晶硅是光伏产业发展的重要途径之一,具有很强的中国特色。该方法通常结合2个或2个以上冶金步骤实现工业硅的提纯,这些步骤包括湿法提纯、合金法提纯、定向凝固提纯、真空熔炼提纯等。合金法提纯具有操作温度低、设备实现简单、杂质去除效果好等优点,已成为研究的热点。概述了铝硅合金体系精炼提纯原理、提纯过程及提纯效果,总结了近年来采用该方法提纯多晶硅的研究进展,并对其发展进行了预测。
李亚琼李佳艳谭毅武深瑞刘瑶
关键词:铝硅合金
多孔硅的制备及其吸杂处理对电学性能的影响
2012年
多孔硅吸杂是减少晶体硅中杂质和缺陷,提高太阳能电池转换效率的有效方法。采用电化学腐蚀方法在单晶硅片上制备多孔硅,通过观察多孔硅的形貌、结构及单晶硅片的电阻率变化,研究不同电流密度制备的多孔硅对吸杂效果的影响,并从多孔硅的结构出发探究多孔硅吸杂的机理。结果表明,随电流密度增加,孔隙率明显增加,多孔硅在电流密度为100mA/cm2时,孔隙率最大;电流密度越大,多孔硅伴随所产生的弹性机械应力增加,晶格常数相应增加,这两个因素都有利于缺陷和金属杂质在多孔硅层-基底界面处迁移和富集,导致单晶硅吸杂后电阻率增大。
李佳艳郭素霞谭毅刘辰光
关键词:多孔硅电化学腐蚀电阻率
电子束注入对多孔硅吸杂效果的影响
2014年
研究了电子束注入对多孔硅吸杂效果的影响。采用电化学腐蚀方法利用双电解槽在单晶硅片上制备多孔硅。电子束注入以后多孔硅的微观形貌发生了变化,通过3min的电子束注入处理,硅片的电阻率发生了明显的改变,大于相同条件下经过快速热处理的硅片的电阻率,这充分证明了电子束注入有热效应与电场效应的双重作用,对去除杂质B有一定的效果。电子束注入时间对去除杂质的效果有一定的影响。
游小刚谭毅李佳艳石爽郭素霞
关键词:多孔硅吸杂电阻率
多孔硅对单晶硅少子寿命影响状况的研究被引量:2
2012年
以p型单晶硅片为研究对象,在单晶硅片表面采用化学腐蚀方法制备多孔硅层,通过实验选取制备多孔硅的最佳工艺条件,采用SEM观察多孔硅表面形貌,以及用微波光电导法测试少子寿命的变化情况。结果表明,在相同的腐蚀溶液配比条件下腐蚀11min得到的多孔硅层的表面形貌最好,孔隙率最大。在850℃下热处理150min时样品少子寿命的提高达到最大,不同腐蚀时间的样品少子寿命提高程度不同,腐蚀11min的样品少子寿命提高最大,约有10%左右。多孔层的形成伴随着弹性机械应力的出现,引起多孔层-硅基底界面处产生弹性变形,这有利于缺陷和金属杂质在界面处富集。另外,多孔硅仍具有晶体结构,但其表面方向上的晶格参数要比初始硅的晶格参数大,也有利于金属杂质向多孔层迁移。
李佳艳郭素霞徐强解希玲胡跟兄谭毅
关键词:多孔硅单晶硅化学腐蚀少子寿命
多孔硅吸杂对单晶硅片电性能的影响
2013年
多孔硅吸杂是减少晶体硅中杂质和缺陷,提高太阳能电池转换效率的有效方法。本文采用电化学腐蚀方法在单晶硅片上制备多孔硅。通过观察多孔硅的形貌、孔隙率、多孔层厚度及单晶硅片的电阻率变化,研究不同的腐蚀时间对制备多孔硅的吸杂效果的影响,并分析多孔硅吸杂的机理。结果表明,在J=100 mA/cm2条件下腐蚀时间为30 min、40 min、50 min、60 min吸杂处理后,电阻率均提高,且随着腐蚀时间的增加,电阻率相应增加,与多孔硅的形貌、孔隙率和多孔层厚度的变化趋势一致。多孔硅形成伴随弹性机械应力出现,随腐蚀时间增加,应力增加,晶格常数相应增加,这都有利于缺陷和金属杂质在多孔硅层-基底界面处迁移和富集,导致单晶硅吸杂后电阻率增大。
李佳艳游小刚谭毅郭素霞
关键词:多孔硅电化学腐蚀吸杂电阻率
电子束技术在冶金精炼领域中的研究现状和发展趋势被引量:23
2013年
电子束技术具有高能量密度、高真空度的优点,并且能够实现精确控制,成为目前熔炼提纯太阳能级多晶硅、精炼高熔点金属及其合金以及制备高纯特殊钢和超洁净钢的有效手段。本文在阐述电子束熔炼原理的基础上,着重对电子束技术在几种高纯材料与合金精炼中的研究与应用现状进行了综述,指出了目前存在的问题,并对电子束技术下一阶段的研究重点和发展前景进行了展望。
谭毅石爽
关键词:冶金精炼提纯
冶金法制备太阳能级多晶硅研究现状及发展趋势被引量:14
2013年
冶金法是我国走出硅原料依赖,发展低成本、环境友好的太阳能级多晶硅制备技术的必经之路,冶金法自诞生以来在世界范围内经历了三次研究高潮,第三次正是在以我国科研和产业工作者为主导和推动下发展的,并形成了大量有益的科学结论和实践经验。本文从冶金法的界定开始,详细分析了冶金法提纯的理论基础,饱和蒸汽压机理、偏析机理和氧化性差异机理,介绍了以上机理所衍生出的技术方法及进展,并对冶金法的发展前景进行了展望。
谭毅郭校亮石爽董伟姜大川李佳艳
关键词:光伏产业提纯
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