公共文化服务平台

共 7 条记录，以下是 1-9

全选清除导出

排序方式：

化学水浴法制备薄膜太阳电池缓冲层材料的研究进展: 2014年; 从各反应条件对薄膜生长及其性能影响的角度,对CdS缓冲层的制备工艺进行了评述,并对新型无镉缓冲层的研究进展给予了重点介绍。最后展望了薄膜太阳电池缓冲层材料的发展方向,并指出了其发展应用中需要解决的问题。; 刘颖缪彦美郝瑞亭杨海刚邓书康郭杰; 关键词：薄膜太阳电池缓冲层

InAs/GaSb超晶格/GaSb体材料中短波双色红外探测器被引量：1: 2021年; 采用GaSb体材料和InAs/GaSb超晶格分别作为短波与中波吸收材料,外延生长制备了NIPPIN型短中双色红外探测器。HRXRD及AFM测试表明,InAs/GaSb超晶格零级峰和GaSb峰半峰宽FWHM分别为17.57 arcsec和19.15 arcsec,10μm×10μm范围表面均方根粗糙度为1.82Å。77 K下,SiO_(2)钝化器件最大阻抗与面积乘积值RA为5.58×10^(5)Ω∙cm^(2),暗电流密度为5.27×10^(-7) A∙cm^(-2),侧壁电阻率为6.83×10^(6)Ω∙cm。经阳极硫化后,器件最大RA值为1.86×10^(6)Ω∙cm^(2),暗电流密度为4.12×10^(-7)A∙cm^(-2),侧壁电阻率为4.49×10^(7)Ω∙cm。相同偏压下,硫化工艺使器件暗电流降低1-2个数量级,侧壁电阻率提高了1个数量级。对硫化器件进行了光谱响应测试,器件具有依赖偏压极性的低串扰双色探测性能,其短波通道与中波通道的50%截止波长分别为1.55μm和4.62μm,在1.44μm、2.7μm和4μm处,响应度分别为0.415 A/W、0.435 A/W和0.337 A/W。; 马晓乐郭杰郝瑞亭魏国帅王国伟徐应强徐应强; 关键词：INAS/GASB超晶格红外探测

无硫化过程磁控溅射制备Cu2ZnSnS4薄膜及其结构和光学性质研究: 2014年; 使用Cu2ZnSnS4(CZTS)靶材,通过射频磁控溅射方法镀膜,不经后期硫化处理,在钠钙玻璃衬底上沉积了锌黄锡矿结构的CZTS薄膜材料。在薄膜的沉积过程中,衬底温度分别为300,400和500℃。利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、能量色散X射线光谱仪和紫外-可见-近红外分光光度计等对薄膜样品的微观形貌、晶体结构、元素成分、光学性质等进行了研究。分析讨论了衬底温度对样品的表面形貌、晶体结构、化学成分、光吸收系数和禁带宽度的影响关系。结果表明,在衬底温度为500℃条件下沉积得到的CZTS薄膜样品,具有较好的锌黄锡矿晶体结构,晶粒大小为23 nm,光吸收系数在可见光范围内高于1×104cm-1,禁带宽度为1.49 eV。; 杨海刚张基东郝瑞亭曹伟伟李美成常方高; 关键词：禁带宽度磁控溅射衬底温度

PIN、NBP及NBN型InAsSb中波红外探测器光电性能研究: 2016年; 系统探索了GaSb(001)衬底上InAsSb体材料的分子束外延生长和PIN型、NBP型及NBN型InAsSb单元单色红外探测器的制备工艺,并对其光学、电学等相关物理特性进行了研究对比.PIN型InAsSb单元探测器的R0A为224Ω·cm2(100K),77K下峰值探测率为3.6×1010cmHz1/2/W.NBN型和NBP型InAsSb单元探测器的R0A都达到了105Ω·cm2(100K)的量级,但NBN型比NBP型的R0A值更大,暗电流密度更低,77K下峰值探测率分别为8.5×101 2cmHz1/2/W和2.4×108cmHz1/2/W.最后制备完成了50%截止波长为3.8μm(PIN型)、3.4μm(NBP型)、2.6μm(NBN型)的InAsSb单元探测器.; 任洋郝瑞亭刘思佳王国伟徐应强牛智川; 关键词：分子束外延 INASSB 中波红外探测器

单靶溅射制备铜锌锡硫薄膜及原位退火研究被引量：1: 2017年; 采用衬底加热溅射铜锌锡硫(CZTS)四元化合物单靶制备CZTS薄膜,并研究原位退火对制备薄膜的影响.结果表明:在溅射结束后快速升温并保持一段时间,所得到的样品相比于未原位退火的CZTS薄膜结晶质量更好,且表面更平整致密;原位退火后的CZTS薄膜太阳电池性能参数也相应地有所提升,其开路电压(V_(OC))为575 mV,短路电流密度(J_(SC))为8.32 mA/cm^2,光电转换效率达到1.82%.; 赵其琛郝瑞亭刘思佳刘欣星常发冉杨敏陆熠磊王书荣; 关键词：磁控溅射太阳电池

Crystalline Structure and Optical Properties of Cd1-xZnxS Thin Films Prepared by CBD: Cd1-xZnxS thin films were deposited on glass substrates by chemical bath deposition. The influence of x on the...; Rui-ting HAOMin YANGSi-jia LIUQi-chen ZHAOYing LIUYang RENJie GUOHai-gang YANGShu-rong WANG；; 文献传递

Effect of Sulfurization Time on the Structural and Optical Properties of Cu2ZnSnS4 Thin Films: Cu2ZnSnS4（CZTS） thin films were successfully prepared by magnetron sputtering. The composition, phase structur...; Si-jia LIURui-ting HAOFa-ran CHANGQi-chen ZHAOXin-xing LIUShu-rong WANGYan-mei MIAOHai-gang YANG；; 文献传递

铜锌锡硫纳米粉体材料的合成与性能表征被引量：1: 2017年; 采用固相反应法合成了含有铜锌锡硫相的纳米粉体材料;利用X射线荧光光谱仪、X射线衍射仪(XRD)、显微拉曼光谱仪对样品的组成比和相结构进行表征,利用透射电子显微镜和紫外-可见-近红外分光光度计对样品的形貌和光学性能进行表征分析。结果表明,所得样品的XRD衍射峰与JCPDS卡片号为26-0575的峰值一一对应,证明了在不同烧结温度下制成的样品中均含有铜锌锡硫相,在烧结温度高于500℃时,制得样品为纯的铜锌锡硫相。所得样品的衍射峰强度以及晶粒尺寸受烧结温度的影响,样品的原子比Cu/(Zn+Sn)接近1,符合材料的化学计量组成的要求,而且薄膜的略微富铜或贫铜与烧结温度无关,主要由实验的随机误差造成。各样品的Zn/Sn值均约等于1,随烧结温度升高呈下降趋势。所制得铜锌锡硫对可见光有明显的吸收,利用外延法推算得到禁带宽度约为1.51eV。该材料可用来压制铜锌锡硫靶材,为磁控溅射铜锌锡硫薄膜奠定基础。; 缪彦美刘颖郝瑞亭郭杰杨海刚; 关键词：固相反应 XRD 太阳电池

GaSb衬底上分子束外延生长的低温GaSb薄膜的低缺陷表面（英文）被引量：2: 2017年; 系统地研究了随着GaSb薄膜生长温度的降低,Sb/Ga(V/III)比的变化对薄膜低缺陷表面质量的影响.为了获得良好表面形貌的GaSb外延层,生长温度与V/III比均需要同时降低.当Sb源裂解温度为900℃时,生长得到低缺陷表面的低温GaS b薄膜的最佳生长条件是生长温度为在再构温度的基础上加60℃且V/III比为7.1.; 郝瑞亭任洋刘思佳郭杰王国伟徐应强牛智川; 关键词：锑化镓原子力显微镜

全选清除导出

共1页<1>

国家自然科学基金(61006085)