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贵州省优秀科技教育人才省长资金项目([2009]114)
作品数:
1
被引量:9
H指数:1
相关作者:
何浩
罗子江
邓朝勇
杨再荣
贺业全
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发文基金:
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丁召
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杨再荣
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邓朝勇
1篇
罗子江
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何浩
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1篇
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年份
1篇
2010
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在RHEED实时监控下GaAs晶体生长研究
被引量:9
2010年
采用分子束外延技术,利用RHEED图像可研究GaAs表面重构方式和生长机制。报道了一种新型的分子束外延方法,在RHEED实时监控下,利用GaAs(001)基片同质外延GaAs。通过改变生长和退火的时间与温度(420、500、580℃),结合RHEED图像演变与GaAs表面平整度(粗糙化)的联系,得到表面原子级平整的GaAs样品。完成生长后对样品做EDS分析,确定样品为高纯度GaAs。利用这种方法,得到厚度约为4μm砷化镓晶体。
罗子江
周勋
杨再荣
贺业全
何浩
邓朝勇
丁召
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MBE
EDS
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