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中国工程物理研究院科学技术发展基金(20010864)

作品数：1 被引量：9H指数：1
相关作者：寇自力刘雨生姚怀唐敬友杨世源更多>>
相关机构：中国工程物理研究院西南科技大学四川大学更多>>
发文基金：中国工程物理研究院科学技术发展基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇氮化硅陶瓷
  • 1篇烧结助剂
  • 1篇陶瓷
  • 1篇显微结构
  • 1篇AL
  • 1篇超高压烧结
  • 1篇Y

机构

  • 1篇四川大学
  • 1篇西南科技大学
  • 1篇中国工程物理...

作者

  • 1篇贺红亮
  • 1篇唐翠霞
  • 1篇杨世源
  • 1篇唐敬友
  • 1篇姚怀
  • 1篇刘雨生
  • 1篇寇自力

传媒

  • 1篇硅酸盐学报

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
添加Y_2O_3-Al_2O_3烧结助剂的氮化硅陶瓷的超高压烧结被引量：9
2007年
以Y2O3-Al2O3体系为烧结助剂,在5.4～5.7GPa,1570～1770K的高温高压条件下进行了氮化硅陶瓷的超高压烧结研究。用X射线衍射及扫描电镜对烧结样品进行了分析和观察,探讨了烧结温度及压力对烧结的陶瓷样品性能的影响。结果表明:得到的氮化硅由相互交错的长柱状β-Si3N4晶粒组成,微观结构均匀,α-Si3N4完全转变为β-Si3N4。经5.7GPa,1770K且保温15min的超高压烧结,样品的相对密度达99.0%,Rockwell硬度HRA为99,Vickers硬度HV达23.3GPa。
唐翠霞唐敬友姚怀寇自力刘雨生贺红亮杨世源
关键词：氮化硅陶瓷超高压烧结显微结构
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共1页<1>
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