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西北工业大学研究生创业种子基金(Z2012188)

作品数：1 被引量：0H指数：0
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电离
  • 1篇随机存取
  • 1篇随机存取存储...
  • 1篇总剂量
  • 1篇总剂量辐射
  • 1篇静态随机存取...
  • 1篇存储器
  • 1篇存取

机构

  • 1篇西北工业大学

作者

  • 1篇高德远
  • 1篇魏晓敏
  • 1篇魏廷存
  • 1篇陈楠

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
电离总剂量辐射加固SRAM设计
2013年
在空间和核辐射环境下,电离总剂量辐射(TID)效应严重影响采用商用CMOS工艺的SRAM的可靠性和寿命。针对SRAM,设计了四种TID加固的存储单元,分析对比了四个加固单元对TID,单粒子闩锁、单粒子翻转三种SRAM中常见辐射效应的抵御水平以及加固单元的面积和速度。加固SRAM单元的抗TID水平得到极大提高,同时,抗单粒子效应水平、面积、速度也达到一定的要求。这些单元可用于实现基于商用CMOS工艺并具有高抗辐射性能的SRAM。
魏晓敏高德远魏廷存陈楠
关键词：静态随机存取存储器
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