国家自然科学基金(61240015)
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 相关作者：王新中李世国于广辉张春晓严帅更多>>
- 相关机构：深圳信息职业技术学院中国科学院哈尔滨工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金深圳市科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- HCl气体辅助生长GaN纳米线阵列与机理研究
- 2014年
- 研究了一种无金属催化剂生长GaN纳米线阵列的方法。通过HCl气体作为催化剂,利用氢化物气相外延(HVPE)系统在GaN/sapphire模板上制备出纯净的GaN纳米线阵列;利用扫描电镜(SEM)、能量分散X射线荧光(EDX)谱和透射电镜(TEM)测试,研究了生长条件的变化对GaN纳米线阵列的影响,分析了GaN纳米线阵列的生长过程并探索了其生长机理,为GaN纳米线阵列的可控生长提供了理论依据。
- 王新中于广辉李世国
- 关键词：纳米线
- GaN纳米线阵列的电子场发射研究
- 2015年
- 基于HCl辅助热蒸发GaN粉末的方法制备了纯净的一维GaN纳米线垂直阵列,重点研究了不同生长时间对应不同形貌的GaN纳米结构的电子场发射性能,以及氨气氛围下热退火对GaN纳米线阵列场发射性能的影响,并分析了其影响机理。通过对生长时间分别为20 min,60 min(未退火处理)与60 min(退火处理)的三组样品进行对比,结果显示:生长时间为60 min(未退火处理)的样品,电流密度达到1μA/cm2时的开启电场的值为2.1 V/μm,且获得1 m A/cm2的阈值电流密度也只需要4.5 V/μm的电场。
- 王新中于广辉李世国
- 关键词：氮化镓纳米线场发射电场
- GaN纳米线生长的影响因素与机理分析被引量：1
- 2014年
- 基于气液固（VLS）反应机制，采用厚度为2～3nm的金属镍作为催化剂，金属镓和氨气分别用作Ⅲ族和Ⅴ族的生长源，在自行改造的化学气相沉积（CVD）设备内获得了大面积GaN纳米线。通过扫描电镜（SEM）、能量分散X射线荧光（EDX）谱和透射电镜（TEM）测试，表明GaN纳米线的成核及生长与反应室气路结构有密切关系，水平弯管式气路将有利于GaN纳米线的生长。此外，生长气流将直接影响GaN纳米线的生长状况，生长温度为920℃、NH3和N2的气流量分别为100和500cm^3／min时，可以获得形貌较好的纳米线。同时，探索了Ga源与样品位置间的距离对纳米线中Ga和N的质量分数的影响，并分析了其影响机理。
- 王新中于广辉李世国张春晓
- 关键词：氮化镓纳米线
- 高效大功率LED用蓝宝石图形衬底的制备
- 2013年
- 首先在蓝宝石衬底上旋涂PMMA/copolymer双层胶,然后再进行电子束光刻处理,随后溅射铝膜,并结合剥离技术,从而制备图形化金属铝膜;最后再采用两步热处理法,使图形铝膜发生固相外延反应。在此过程中,侧重于电子束光刻和高温热处理的工艺优化研究。SEM测试结果表明,图形化铝膜在450℃低温氧化热处理24 h后,其图形形貌没有发生明显改变;在温度低于1200℃的高温热处理1 h后,图形仍然存在。HRXRD分析表明,图形化铝膜在450℃低温热处理24 h后再在1000℃高温热处理1 h,可在蓝宝石衬底上形成氧化铝外延薄膜;并且相比于基片,氧化铝外延薄膜的结晶质量还有所提高。本方法成功实现了高效大功率用LED蓝宝石图形衬底的制备。
- 汪桂根崔林韩杰才王新中严帅秦国双
- 关键词：蓝宝石图形衬底电子束光刻发光二极管
