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国家重点基础研究发展计划(513270408)
国家重点基础研究发展计划(513270408)
- 作品数：1 被引量：0H指数：0
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- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 蓝宝石上GaN基多层膜结构椭偏研究
- 2010年
- 对InN/GaN/Al2O3和Ga2O3/GaN/Al2O3多层膜结构进行了椭圆偏振光谱研究。所有GaN样品均采用MOCVD工艺在蓝宝石(Al2O3)衬底上生长所得。应用多层介质膜模型,在300～800nm测试波长范围内拟合得到了样品各层厚度和折射率色散关系,并与GaN单层膜色散关系相比较,分析了各层膜之间对自身折射率的影响。研究结果表明,InN和Ga2O3表面均存在一个粗糙层,采用有效介质近似模型可使拟合结果更为准确;相对于GaN单层膜结构,InN薄膜使其下面的GaN层折射率明显增大,这应与界面层态密度有关;而在300～400nm测试范围内,Ga2O3折射率出现反常色散现象,InN消光系数亦产生了一个强的吸收峰,这则可能与GaN层在360nm左右存在的一个强吸收(Eg≈3.4eV)有关。
- 杜江锋赵金霞罗谦于奇夏建新杨谟华
- 关键词：GAN椭圆偏振光谱INNGA2O3
