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国家高技术研究发展计划(2006AA03Z432)

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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇电性能
  • 1篇陶瓷
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  • 1篇无机非金属
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  • 1篇介电
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年份

  • 1篇2009
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排序方式：
添加MgLiSi玻璃对BNT陶瓷介电性能的影响
2009年
采用传统固相反应法,制备了钨青铜结构BaO·Nd2O3·4TiO2(BNT)陶瓷,并添加质量分数为1%～6%的MgO·Li2O·SiO2(MgLiSi)玻璃。对其显微结构和介电性能进行了研究。结果表明:在BNT陶瓷中添加适量的MgLiSi玻璃,可以使BNT陶瓷的烧结温度从1250℃以上降低到1150℃,并提高其介电性能。当添加质量分数为4%的MgLiSi玻璃时,BNT陶瓷可获得最佳的介电性能:εr=95,tanδ=5×10–4,击穿场强为16.7×103V/mm。
吉岸刘祥峰袁纪烈卞德东
关键词：无机非金属材料介电性能击穿场强
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