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国家高技术研究发展计划(2002AA3120660)

作品数：2 被引量：4H指数：1
相关作者：余金中陈媛媛李艳萍黄庆忠更多>>
相关机构：中国科学院北京大学北京工商大学更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇单模
  • 1篇单模条件
  • 1篇电光
  • 1篇电光调制
  • 1篇电光调制器
  • 1篇调制器
  • 1篇偏振
  • 1篇偏振相关
  • 1篇开关阵列
  • 1篇光波
  • 1篇光调制
  • 1篇光调制器
  • 1篇高速电光调制...
  • 1篇SOI
  • 1篇SOI光波导
  • 1篇波导
  • 1篇传输损耗

机构

  • 2篇中国科学院
  • 1篇北京工商大学
  • 1篇北京大学

作者

  • 2篇余金中
  • 1篇李艳萍
  • 1篇陈媛媛
  • 1篇黄庆忠

传媒

  • 1篇光电子．激光
  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2006
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
4×4热光SOI波导开关阵列被引量：3
2009年
设计并制作了阻塞型和完全无阻塞型4×4热光SOI(silicon-on-insulator)波导开关阵列。开关单元采用了多模干涉耦合器(MMI)-MZI(Mach-Zehnder interferometer)结构的2×2光开关。阻塞型光开关附加损耗为4.8～5.4dB,串扰为-21.8dB～-14.5dB。完全无阻塞型光开关阵列附加损耗为6.6～9.6dB,串扰为-25.8～-16.8dB。两者的消光比都在17～25dB内变化,开关单元功耗小于230mW。器件的开关时间小于3μs。功耗和开关速度都明显优于SiO2基和聚合物基的开关阵列。
陈媛媛李艳萍余金中
关键词：开关阵列SOI
SOI光波导高速电光调制器的研究进展被引量：1
2006年
介绍了不同截面大小的SOI(silicon-on-insulator)波导单模条件,详细描述了几种降低传输损耗,消除偏振相关,提高耦合效率的技术手段.分析比较了一种带有MOS(metal-oxide-semiconductor)电容结构和一种具有微环结构的高速电光调制器,其调制频率分别达到10和1·5GHz.
黄庆忠余金中
关键词：单模条件传输损耗偏振相关电光调制器
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