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GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs单量子阱的光学特性研究被引量：8: 2003年; 用选择激发光荧光研究了分子束外延生长的GaAsSb GaAs单量子阱的光学性质 ,第一次同时观察到空间直接(Ⅰ类 )和间接 (Ⅱ类 )跃迁 .它们表现出不同的特性 :Ⅰ类跃迁具有局域化特性 ,其发光能量不随激发光能量而变 ;Ⅱ类发光的能量位置随激发功率的增大而蓝移 ,也随激发光能量的增加而蓝移 ,复合发光发生在位于异质结GaAs一侧的电子和GaAsSb中的空穴之间 ,实验结果可以很好地用电荷分离造成的能带弯曲模型来解释 ,这也是空间间接跃迁的典型特性 .还用光荧光的激发强度关系和时间分辨光谱进一步论证了GaAsSb GaAs能带排列的Ⅱ类特性 ,并通过简单计算得到了应变和非应变状态下GaAsSb GaAs异质结的带阶系数 .; 罗向东边历峰徐仲英罗海林王玉琦王建农葛惟琨; 关键词：单量子阱砷化镓分子束外延生长

光子存储单元的光伏效应被引量：3: 2004年; 报道了光存储效应在一种特殊设计的光存储单元Ⅰ Ⅴ特性上的响应 .当单元偏置在光存储模式下 ,越过禁带的光激发会产生一个台阶状的电流阶跃 .利用瞬态光电流测试装置测量电流阶跃处的瞬态响应 ,验证了“开关”光电流下降沿主要反映了光照消失后原先被存储起来的电子、空穴的衰变过程 .其时间常数是光存储时间的一种度量 ,而光照下所出现的台阶状电流阶跃则是光子存储效应在Ⅰ; 卞松保李桂荣唐艳胡冰李月霞杨富华郑厚植; 关键词：光伏效应 Ⅰ-Ⅴ特性禁带宽度瞬态响应

耦合双量子点中基态电子的隧穿特性: 2004年; 介绍了以 Si/ Si O2 系统构成的量子异或门的工作原理 ,研究了耦合不对称双量子点所构成的量子比特的电子隧穿特性 .研究结果表明 ,通过栅压可很好地实现控制电子在两个量子点间共振隧穿 ,其隧穿时间随势垒厚度和量子点尺寸结构参数发生显著的变化 .目前模拟的特征变化曲线表明 ,可获得实验上理想的隧穿时间 (工作频率 )和相应的栅压 (工作电压 ); 肖洁施毅熊诗杰张荣郑有炓; 关键词：量子比特隧穿时间量子点

化学溶液分解法制备的Bi_2Ti_2O_7薄膜的红外光学性质研究被引量：4: 2004年; 采用化学溶液分解法在n GaAs(10 0 )衬底上制备了Bi2 Ti2 O7薄膜 .利用红外椭圆偏振光谱仪测量了波长为2 .8～ 12 .5 μm范围内Bi2 Ti2 O7薄膜的椭偏光谱 ,采用Lorentz Drude色散模型拟合获得Bi2 Ti2 O7薄膜的红外介电常数 ,并进一步计算得到折射率n、消光系数k和吸收系数α ,拟合计算得到Bi2 Ti2 O7薄膜的厚度为 139.2nm .; 胡志高王少伟黄志明吴玉年陆卫褚君浩; 关键词：化学溶液分解法消光系数

一种新材料结构的RTD器件的设计及实现(英文)被引量：1: 2005年; 设计了一种带有Al0 .2 2 Ga0 .78As/In0 .15Ga0 .85As/GaAs发射极空间层和GaAs/In0 .15Ga0 .85As/GaAs量子阱的共振隧穿二极管 (RTD)材料结构 ,并且成功地制作了相应的RTD器件 .在室温下 ,测试了RTD器件的直流特性 ,计算了RTD器件的峰谷电流比和可资电流密度 .在分析器件特性的基础上。; 王建林王良臣曾一平刘忠立杨富华白云霞; 关键词：共振隧穿二极管量子效应直流特性

介观测量仪器对单电子态的量子测量(英文): 2006年; 对于一个实际的测量装置,即被介观测量仪器所测量的两态(量子比特)或多态量子系统做了理论研究.为了正确描述测量引起的反作用,发展了一个保持细致平衡条件的量子主方程的方法,建立的这套方案适用于任意电压和任意温度.; 胡学宁骆钧炎李新奇; 关键词：量子测量弛豫

PbZr_(0.52)Ti_(0.48)O_3薄膜红外椭圆偏振光谱研究被引量：2: 2003年; 用磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2 /Si衬底上制备了PbZr0 .52 Ti0 .4 8O3(PZT)薄膜 .XRD结果表明经过退火后的PZT薄膜呈现多晶结构 .通过红外椭圆偏振光谱仪测量了λ为 2 .5～ 12 .6 μm范围内PZT薄膜的椭偏光谱 ,采用经典色散模型拟合获得PZT薄膜的红外光学常数 ,同时拟合得到未经处理的PZT薄膜和退火后PZT薄膜的厚度分别为 45 4.2nm和 45 0 .3nm .最后通过拟合计算得到结晶PZT薄膜的静态电荷值为 |q|=1.76 9± 0 .0 2 4.这说明在磁控溅射法制备的PZT薄膜中 ,电荷的转移是不完全的 .; 胡志高赵强黄志明王根水孟祥建林铁褚君浩; 关键词：光学常数铁电薄膜锆钛酸铅

La掺杂浓度对PLZT薄膜红外光学性质的影响被引量：8: 2003年; 采用溶胶凝胶法在Pt Ti SiO2 Si衬底上制备了不同La掺杂浓度PLZT(x 4 0 6 0 )薄膜 .x射线衍射分析表明制备的PLZT(x 4 0 6 0 )薄膜是具有单一钙钛矿结构的多晶薄膜 .通过红外椭圆偏振光谱仪测量了波长为 2 5— 12 6 μm范围内PLZT薄膜的椭偏光谱 ,采用经典色散模型拟合获得PLZT薄膜的红外光学常数 ,同时也拟合获得PLZT薄膜的厚度 .随着La掺杂浓度的增大 ,折射率逐渐减小 .而消光系数除PLZT(4 4 0 6 0 )薄膜外 ,呈现逐渐增大的趋势 .分析表明这些差异主要与PLZT薄膜的结晶性 ,如晶粒尺寸 ,以及颗粒边界、形貌、电子能带结构有关 .通过计算得到PLZT薄膜的吸收系数大于PZT薄膜的吸收系数 .随着La掺杂浓度的增大 ,静态电荷值逐渐减小 .这说明在PLZT中 ,电荷的转移是不完全的 ,它属于离子共价混合的化合物 .; 胡志高石富文黄志明王根水孟祥建林铁褚君浩; 关键词：LA掺杂镧掺杂铁电薄膜

Ti掺杂ZnTe体材料的优化光致发光光谱被引量：5: 2003年; 针对光致发光光谱法研究ZnTe :Ti的困难 ,对包括激发能量、激发功率与激发光斑大小、水汽干扰和测量温度等实验条件进行了细致的优化 .发现 :(1)低于ZnTe禁带宽度的激发能量能给出相对强的光致发光光谱 ;(2 )水汽干扰既影响谱线的相对强度又增大谱线能量的测定误差 ;(3)相对强的激光聚焦有利于获得较好的光致发光光谱 .可靠地观察到位于 390 3.5和 390 5 .9cm- 1 能量位置处的零声子光致发光谱线 .根据两谱线的能量间距和相对强度随温度的变化关系 ,并借助于晶体场理论对四面体晶体场中 3d1 和 3d2 杂质离子能级的分析 ,该零声子光致发光谱线被界定为源于Ti3+ 的深能级跃迁 ,从而获得了Ti3+ 存在于Ⅱ; 邵军; 关键词：光致发光光谱半导体材料碲化锌

Al组分对Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中二维电子气输运性质的影响(英文): 2006年; 在低温和强磁场下,通过磁输运测量研究了不同Al组分调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象.观察到低Al组分异质结中的2DEG有较低的浓度和较高的迁移率.; 唐宁沈波王茂俊杨志坚徐科张国义桂永胜朱博郭少令褚君浩; 关键词：二维电子气输运性质

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