国家高技术研究发展计划(2006AA03Z409)
- 作品数：3 被引量：9H指数：2
- 相关作者：张保平王启明吴超敏尚景智余金中更多>>
- 相关机构：厦门大学中国科学院广西大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划教育部重点实验室开放基金广西壮族自治区自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- GaN垒层厚度对InGaN/GaN单量子阱光学特性的影响
- 采用金属有机物化学气相沉积(MOVCD)技术制备了不同GaN垒层厚度的InGaN单量子阱。低温PL测量发现,随着GaN垒层厚度的增加,InGaN量子阱的发光峰位发生了明显的红移;同时,激子与纵光学声子间的耦合强度也逐渐增...
- 胡晓龙张江勇张保平
- 文献传递
- InGaN单结太阳电池中的浅能级杂质的理论计算和模拟被引量：4
- 2010年
- 通过氢有效质量理论(HEMT)对In0.65Ga0.35N(高In组分,Eg=1.31eV)太阳电池材料进行分析,计算出其浅能级施主和受主的重要性质参数电离能:ΔED～10.8meV,ΔEA～90meV.在此基础上得到了室温条件下In0.65Ga0.35N的浅能级施主和受主强电离时的杂质浓度范围:施主9.56×108～4.57×1016cm-3,受主9.56×108～7.84×1016cm-3;并估算了产生杂质能带的最低杂质浓度:施主～1×1018cm-3,受主～5.79×1020cm-3.然后借助AMPS-1D软件对含有部分电离的浅能级施主、受主In0.65Ga0.35N单结太阳电池进行模拟,详细讨论了施主能级和受主能级对载流子的俘获对太阳电池效率的影响.本文结果为InGaN单结和多结太阳电池的掺杂(尤其是p型掺杂)和制备提供了理论参考和帮助。
- 林硕沈晓明张保平李福宾李建功孟祥海
- 关键词：INGANAMPS
- 蓝光波段高反射率AlN／GaN分布布拉格反射镜的制作
- 2009年
- 采用金属有机物化学气相沉积方法制备了蓝光波段高反射率AlN/GaN分布布拉格(DBR)反射镜。利用金相显微镜、扫描电子显微镜、原子力显微镜以及分光光度计等测量手段对样品的物理特性进行了分析表征。结果显示样品的表面有少量圆形台面结构和裂纹出现,但在其他区域,样品具有较为平整的表面。该样品在462.5 nm附近获得最大反射率99.4%,表面均方根粗糙度小至2.5 nm。分析表明,所得DBR达到了制备GaN基垂直腔面发射激光器的要求。
- 吴超敏尚景智张保平余金中王启明
- 关键词：金属有机物化学气相沉积分布布拉格反射镜高反射率氮化物
- MOCVD生长高反射率AlN/GaN分布布拉格反射镜被引量：5
- 2008年
- 利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石c面衬底上制备出高反射率AlN/GaN分布布拉格反射镜(DBR)。利用分光光度计测量,在418 nm附近最大反射率达到99%。样品表面显微照片显示,有圆弧形缺陷和少量裂纹出现;在缺陷和裂纹以外的区域,DBR具有较为平坦的表面,其粗糙度在10μm×10μm面积上为3.3 nm左右。样品的截面扫描电镜(SEM)照片显示,DBR具有良好的周期性。对反射率和表面分析的结果表明,该样品达到了制备GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)的要求。
- 尚景智张保平吴超敏蔡丽娥张江勇余金中王启明
- 关键词：高反射率
