山东省优秀中青年科学家科研奖励基金(2006BSB01447)
- 作品数：6 被引量：25H指数：2
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- 钕离子注入硅晶体的横向离散研究
- 2009年
- 利用离子注入技术掺杂制作光电子器件时,需要了解离子注入材料的射程分布、射程离散和横向离散.介绍了用400 keV能量的Nd离子分别垂直和倾斜60o角注入两块相同的Si晶体样品中,利用卢瑟福背散射技术研究了400 keV,5×1015 ions/cm2 Nd离子注入Si晶体的横向射程离散.测出的实验值和TRIM’98得到的理论模拟值进行了比较,发现实验值跟TRIM’98模拟计算的理论值能较好地符合.
- 秦希峰季燕菊王凤翔付刚赵优美
- 关键词：离子注入
- 射频磁控溅射制备ZnO光波导薄膜被引量：12
- 2010年
- 采用射频磁控溅射技术在石英玻璃上制备出了具有高度c轴择优取向的ZnO薄膜。利用X射线衍射(XRD)、背散射分析(RBS)、棱镜耦合等技术对其结构、光波导性质进行研究,结果表明减小溅射压强有利于提高薄膜的结晶质量,增强薄膜的c轴择优取向。溅射压强越小,薄膜越厚,薄膜的有效折射率越接近晶体材料的折射率。
- 李爽王凤翔付刚季艳菊赵俊卿
- 关键词：ZNO薄膜射频磁控溅射X射线衍射
- C_(10)H_(18)N_2O_4Pt结构和性质的密度泛函理论研究被引量：1
- 2009年
- C10H18N2O4Pt是奥沙利铂的一种新型的衍生物。采用密度泛函理论DFT-B3LYP方法研究C10H18N2O4Pt的全优化构型、电子结构和IR谱;6-31++G**基组用于计算非金属原子,金属原子则采用赝势基组lanl2dz计算。分析了红外振动频率并以0.96为频率校正因子对频率进行修正。根据计算可知,分子中N16和N20原子有强的亲核活性,Pt19原子有强的亲电活性,得到了C10H18N2O4Pt分子的HOMO轨道图和IR谱。这些为进一步研究C10H18N2O4Pt提供了理论依据。
- 刘小村季燕菊
- 关键词：密度泛函理论奥沙利铂几何构型
- 铒离子注入晶体硅的射程分布和离散研究
- 2009年
- 用400 keV能量的铒离子垂直注入晶体硅(Si)样品中。利用卢瑟福背散射技术研究了能量为400 keV、剂量为5×1015ions/cm2的铒离子注入Si晶体的平均投影射程、射程离散和深度分布。测出的实验值和TRIM 98得到的理论模拟值进行了比较,发现实验值跟TRIM 98模拟计算的理论值符合较好。
- 秦希峰季燕菊王凤翔付刚赵优美
- 关键词：离子注入
- 铒离子注入碳化硅后的射程分布和射程离散
- 2010年
- 鉴于利用离子注入技术掺杂制作光电集成器件时,离子注入半导体材料的射程分布、射程离散和横向离散对器件性能的影响,应用卢瑟福背散射技术研究将剂量为5×1015cm-2的400 keV能量的Er+离子注入6H-SiC晶体的平均投影射程、射程离散和深度分布。用SRIM2006模拟软件对能量为400 keV的Er+离子注入SiC晶体的深度分布进行了理论模拟,把理论模拟值跟测出的实验值进行比较,发现两者符合较好,从而为今后利用Er+离子注入SiC晶体掺杂制作光电集成器件提供参考依据。
- 秦希峰季燕菊王凤翔付刚赵优美梁毅
- 关键词：离子注入6H-SIC
- In掺杂ZnO电子结构的第一性原理研究被引量：12
- 2010年
- 采用第一性原理平面波超软赝势,计算了纤锌矿ZnO和不同掺杂量下In掺杂ZnO晶体的能带结构、态密度和分波态密度.计算表明,In的掺杂导致ZnO禁带宽度变窄.随着掺杂量的增大,InxZn1-xO的导带底和价带顶同时下降,但是导带底比价带顶下降得多,这导致了带隙的变窄.此外,In掺杂使晶胞晶格常数增大,这对带隙的变窄也有一定作用.
- 刘小村季燕菊赵俊卿刘立强孙兆鹏董和磊
- 关键词：密度泛函理论电子结构
