中国科学院“百人计划”(YOYB05X001)
- 作品数：1 被引量：3H指数：1
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- 基于体硅衬底制作全耗尽FinFET器件的工艺方案被引量：3
- 2013年
- 随着MOS器件缩小到纳米尺寸,为了改善器件性能,三维全耗尽FinFET器件受到广泛关注和研究。基于体硅衬底,已实现不同结构的FinFET,如双栅、三栅、环栅等结构。不同于SOI衬底FinFET,对于双栅或三栅结构,体硅衬底制作FinFET可能存在源漏穿通问题,对于环栅FinFET器件,工艺实现是一个很大的挑战。综述了目前解决源漏穿通问题的各种工艺方案,提出了全新的基于体硅衬底制作环栅FinFET的工艺方案,并展示了关键步骤的具体工艺实验结果。
- 刘佳骆志炯
- 关键词：SOI衬底
