电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金(51433030203JW091)
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
- 相关作者：韩静章晓文王茂菊李斌陈平更多>>
- 相关机构：华南理工大学信息产业部电子第五研究所信息产业部更多>>
- 发文基金：电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 薄栅氧化层斜坡电压TDDB击穿参数的研究被引量：1
- 2006年
- 随着超大规模集成电路的不断发展,薄栅氧化层的质量对器件和电路的可靠性的作用越来越重要。经时绝缘击穿(TDDB)是评价薄栅氧化层质量的重要方法。本次实验主要是通过斜坡电压实验来研究薄栅氧化层的TDDB,测出斜坡电压时氧化层的击穿电压、击穿电荷以及击穿时间,研究了斜坡电压情况下,栅氧化层击穿电荷、击穿电压和外加电压斜率等击穿参数间的依赖关系。
- 王茂菊李斌章晓文陈平韩静
- 关键词：TDDB
- 薄栅氧化层斜坡电压TDDB寿命评价被引量：2
- 2005年
- 随着超大规模集成电路的不断发展,薄栅氧化层的质量对器件和电路可靠性的作用越来越重要。经时绝缘击穿(TDDB)是评价薄栅氧化层质量的重要方法。文章着重于薄栅氧化层TDDB可靠性评价的斜坡电压试验方法的研究,基于斜坡电压实验,提取模型参数,分别利用线性场模型和定量物理模型,外推出工作电压下栅氧化层的寿命。通过分析斜坡电压实验时氧化层的击穿过程,提出斜坡电压实验时利用统一模型外推栅氧化层的寿命比较合适。
- 王茂菊李斌章晓文陈平韩静
- 关键词：可靠性
