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国家重点基础研究发展计划(2005CCA00100)
作品数:
2
被引量:6
H指数:2
相关作者:
赵亮
王海波
陈素华
马继开
王德君
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相关机构:
大连理工大学
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发文基金:
国家重点基础研究发展计划
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相关领域:
电子电信
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机构
2篇
大连理工大学
作者
2篇
马继开
2篇
陈素华
2篇
王海波
2篇
赵亮
1篇
王德君
传媒
2篇
半导体技术
年份
2篇
2008
共
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低温退火制备Ti/4H-SiC欧姆接触
被引量:2
2008年
实现SiC器件欧姆接触常规工艺需要800—1200℃的高温退火。研究了n型4H-SiC低温制备Ti欧姆电极的工艺及其基本电学特性。通过氢等离子体处理4H-SiC的表面,沉积Ti后可直接形成欧姆接触,室温下比接触电阻率ρc为2.25×10^-3Ω·cm^2(ρc由圆形传输线模型CTLM测得),随着合金温度的升高,其欧姆特性逐渐增强,400℃合金后获得最低的比接触电阻率ρc为2.07×10^-4Ω·cm^2。采用X射线衍射(XRD)确定金属/n-SiC界面反应时形成的相,以分析电学性质与微观结构间的联系。最后讨论了低温欧姆接触的形成机制。
陈素华
王海波
赵亮
马继开
关键词:
氢等离子体
欧姆接触
比接触电阻率
用XPS法研究SiO_2/4H-SiC界面的组成
被引量:4
2008年
利用X射线光电子谱(XPS)研究了高温氧化形成的Si02/4H.SiC界面的化学组成。获取低浓度HF酸刻蚀速度基础上制备出超薄氧化膜(1~1.5nm)样品,并借助标准物对照法辅助谱峰分析。结果表明,高温氧化Si02/4H.SiC界面,类石墨碳较多,除Si^+成分外,还存在Si^2+和Si^3+两种低值氧化物。三种工艺处理后界面成分含量的对比,指出界面成分可通过合理工艺有效控制,以C-V测试曲线印证了界面成分减少对电学特性的改善。
赵亮
王德君
马继开
陈素华
王海波
关键词:
4H-碳化硅
X射线光电子谱
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