国家高技术研究发展计划(2007AAxxx133)
- 作品数：2 被引量：8H指数：2
- 相关作者：戴亚堂樊彬赵文玉李松波张国斌更多>>
- 相关机构：西南科技大学北京科技大学内蒙古科技大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划内蒙古自治区自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学化学工程更多>>
- 无氰镀液脉冲电镀制备金靶的研究被引量：3
- 2009年
- 通过在无氰镀金液中加入合适的配位体优化镀液性能,并用脉冲电镀法制备出惯性约束聚变（ICF）金靶。讨论了该体系镀液在电镀时的温度、电流密度、极间距、频率和占空比等工艺对镀层性能的影响,利用SEM对样品的形貌进行了表征;利用电化学工作站对镀液进行了分析。得到了适合制备ICF金靶的亚硫酸盐镀金液及相应的脉冲镀金工艺的最佳条件：亚硫酸铵610 mL/L,金13 g/L,柠檬酸钾55 g/L,氨水140 mL/L,1-羟基乙叉-1,1-二膦酸（HEDP）1.32 mol/L,氨基三甲叉膦酸（ATMP）1.32 mol/L,pH=7~8,温度45℃,频率300 Hz,占空比1∶7,电流密度0.3~0.1 A/dm2,极间距6 cm。
- 樊彬戴亚堂张林莫烨强王松
- 关键词：无氰脉冲电镀
- 绿色荧光粉Gd_2Ba_3B_3O_(12):Tb^(3+)的发光性能研究被引量：5
- 2011年
- 采用高温固相法制备了一系列Gd2Ba3B3O12:Tb3+绿色荧光粉,借助X射线粉末衍射仪(XRD)、真空紫外光谱和荧光光谱仪(VUV-UV)对样品的物相、发光性能进行了表征。结果表明,Tb3+作为发光中心全部进入到基质Gd2Ba3B3O12的晶格中并占据Gd3+的位置。样品Gd2Ba3B3O12:Tb3+的VUV-UV激发光谱主要由160～200nm和200～250nm的宽峰以及260～280nm和300～320nm的锐利峰组成。宽峰是由于基质吸收和Tb3+的f—d的跃迁形成的,锐利峰是由于Tb3+和Gd3+的f—f特征跃迁形成。样品Gd2Ba3B3O12:Tb3+的最强发射峰位于543nm,对应于Tb3+的5 D4→7 F5跃迁。在172nm激发下,样品Gd1.85Tb0.15Ba3B3O12的发光强度最强,其色坐标为(0.313 6,0.484 3),衰减时间为2.98ms,可作为绿色荧光粉应用于等离子体显示器(PDP)领域。
- 赵文玉樊彬李松波张国斌戴亚堂
- 关键词：绿色荧光粉PDP
