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国家自然科学基金(50332030)

作品数:16 被引量:55H指数:4
相关作者:杜丕一翁文剑韩高荣孟中岩汪建勋更多>>
相关机构:浙江大学上海大学武汉军械士官学校更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:一般工业技术理学电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 16篇期刊文章
  • 10篇会议论文

领域

  • 16篇一般工业技术
  • 7篇理学
  • 4篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇化学工程

主题

  • 10篇溶胶
  • 6篇介电
  • 5篇溶胶凝胶
  • 5篇凝胶法制备
  • 5篇掺杂
  • 4篇电性能
  • 4篇溶胶凝胶法
  • 4篇介电性
  • 4篇介电性能
  • 3篇溶胶-凝胶法...
  • 3篇PECVD法
  • 3篇PECVD法...
  • 3篇SR
  • 3篇PST
  • 2篇性能研究
  • 2篇溶胶-凝胶法
  • 2篇溶胶凝胶法制...
  • 2篇铁氧体
  • 2篇钛酸
  • 2篇钛酸铅

机构

  • 22篇浙江大学
  • 3篇上海大学
  • 1篇中南大学
  • 1篇武汉军械士官...

作者

  • 20篇韩高荣
  • 19篇翁文剑
  • 16篇杜丕一
  • 4篇汪建勋
  • 4篇沈鸽
  • 3篇孟中岩
  • 3篇张翼英
  • 2篇黄集权
  • 2篇覃莹
  • 2篇陈敬峰
  • 2篇程晋荣
  • 2篇郑赞
  • 2篇隋帅
  • 2篇吴文彪
  • 2篇张海芳
  • 2篇赵冉
  • 1篇金灯仁
  • 1篇杜军
  • 1篇周雪梅
  • 1篇王问斯

传媒

  • 5篇稀有金属材料...
  • 3篇物理学报
  • 2篇全国第三届溶...
  • 2篇2004年中...
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇上海大学学报...
  • 1篇压电与声光
  • 1篇中国有色金属...
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇薄膜技术学术...
  • 1篇中国真空学会...

年份

  • 7篇2008
  • 2篇2007
  • 2篇2006
  • 4篇2005
  • 11篇2004
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Mg掺杂Pb_(0.3)Sr_(0.7)(Ti_(1-x)Mg_xO)_(3-x)陶瓷薄膜的制备及介电性能研究被引量:1
2008年
利用固相烧结法制备的Mg掺杂Pb_(0.3)Sr_(0.7)(Ti_(1-x)Mg_x)O_(3-x)(PST)陶瓷为靶材,采用射频磁控溅射法在ITO玻璃基板上成功制备了Mg掺杂PST薄膜。用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和阻抗分析仪分别测定PST薄膜的物相结构、表面形貌及介电性能。结果显示,薄膜具有良好的钙钛矿结构,无明显的择优取向生成,薄膜表面均匀致密。Mg的掺杂改善了PST薄膜电容值的频率特性,使其更加稳定。薄膜电容值随着掺杂含量的增加而降低,在Mg掺杂量x=0.05左右时达到相对最低值,随后略有升高,介电损耗也有类似现象。薄膜可调性受Mg掺杂量的增加而不断下降,总体下降约3倍,但介电损耗总体下降约达5倍。材料的优值在Mg掺杂量x=0.05时反而有所升高。
陈敬峰杜丕一覃莹翁文剑韩高荣
关键词:射频磁控溅射介电性能
乙炔黑含量对超高介电常数钛酸钡/乙炔黑复相材料介电性能的影响研究
<正>功能复相材料是一类可以在保持原来成分的部分功能的基础上产生某些新性能的材料。由导电微粒分散剑电介质基体中所构成的复相材料体系,利用其介电性能随导电粒子含量的变化所产生的“渗流效应”,可改变这种复相材料导电性并大大提...
黄集权杜丕一翁文剑韩高荣
文献传递
铬掺杂钛酸锶钡陶瓷的介电调谐性能被引量:5
2007年
研究了Cr掺杂对钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4TiO3,BST)陶瓷的介电及其可调性能的影响.结果表明,少量的Cr可进入BST品格形成固溶体,并促进晶粒生长.当Cr掺杂量(摩尔分数)低于1.0%时,陶瓷的介电损耗急剧降低,调谐率明显提高,综合性能显著改善,其中Cr掺杂0.6%的BST陶瓷具有最佳的综合性能,其在1MHz下的介电损耗为0.0005,品质因子(FoM)达到500,而未掺杂样品的FoM值仅为60.Cr掺杂陶瓷损耗的急剧降低可归因于Cr3+离子的还原和Cr3+、Cr2+受主行为中和了氧空位的施主行为.
李儒兴龚佳程晋荣孟中岩
关键词:无机非金属材料钛酸锶钡CR掺杂介电损耗
PECVD法制备a-Si1-xCx:H薄膜的结构及光学性能研究
碳化硅是近年来受到广泛重视的新一代半导体材料,由于其在禁带宽度、高电子饱和漂移速度和高击穿临界场强、高热导率、抗高温、抗辐射以及与硅集成技术兼容等特点,是制备发光、光电探测、大功率、超高频等等器件的优选材料。而a-Sil...
张翼英杜丕一韩高荣翁文剑汪建勋
PST掺Mg薄膜材料的溶胶-凝胶制备研究
在微电子工业中,具有微波介电可调性能的材料逐渐成为研究的热点。最近,美国L.Eric cross等人对钛酸锶铅(PST)陶瓷材料进行了研究,指出PST具有高介电可调性和低损耗,是有望成为微波可调器件用材料之一。实际上,P...
隋帅杜丕一翁文剑韩高荣沈鸽
关键词:溶胶-凝胶
文献传递
sol-gel法原位复合PbTiO3/镍铅铁氧体复相粉体材料的制备研究
铁电-铁磁复合材料是一种具有磁电转换功能的新材料,它由两种单相材料——铁电相与铁磁相经一定方法复合而成的。铁电-铁磁复合材料的磁电转换功能是通过铁电相与铁磁相的乘积效应(即磁电效应)实现的。由于铁电-铁磁复合材料既有铁电...
董艳玲杜丕一翁文剑韩高荣沈鸽
关键词:PBTIO3NIFE2O4
文献传递
常压化学气相沉积方法在玻璃基板上制备TiSi2薄膜的研究
随着超大规模集成电路(ULSI)的快速发展,设备和器件尺寸越来越小,器件的寄生电阻对器件的不利影响越来越大,TiSi2由于具有高导、高温稳定性并与目前制造工艺相符的优点而广泛应用于ULSI中的金属氧化物半导体(MOS)、...
杜军杜丕一韩高荣翁文剑汪建勋
文献传递
PECVD法制备a-Si_(1-x)C_x∶H薄膜的结构及光学性能研究被引量:3
2005年
aSi1xCx∶H的禁带宽度能随着薄膜中碳和氢的含量的变化而发生改变。深入了解薄膜中的键合情况及其对薄膜光学带隙的影响尤为重要。本文采用PECVD法,以硅烷(SiH4)和甲烷(CH4)为反应气源,通过选用不同的沉积功率及不同的组成制备出aSi1xCx∶H薄膜,并采用红外光谱、喇曼光谱及紫外可见光谱等分析测试手段对薄膜中SiC键的形成及其对光学能隙的影响进行了研究分析。分析表明SiC键的形成几率及SiC键的形成能力随着C和Si的含量接近而显著增加,SiC键随着沉积功率的提高显著增加。研究得出,薄膜的光学能隙Eg受到aSi1xCx∶H薄膜中的键合情况及薄膜缺陷态的影响。Eg随着薄膜中SiC键含量的增加而变大,随着薄膜中的H含量的减少缺陷态的增加而减小。
张翼英杜丕一韩高荣翁文剑汪建勋
关键词:光学带隙
溶胶凝胶法制备Bi掺杂PST薄膜及结构研究
<正>铁电材料已经在许多领域得到了广泛的应用。其中,(Pb,Sr)TiO3(PST)体系以其低结晶温度、高介电常数和优异的介电常数可调性,有望在微波可调器件方面得到新的应用。与其它介电材料相似,在PST材料中掺杂,有望进...
赵永林杜丕一翁文剑韩高荣
文献传递
Effect of (Ba+Sr)/Ti ratio on dielectric and tunable properties of Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3 thin film prepared by sol-gel method被引量:1
2006年
Ba0.6Sr0.4TiO3 (BST) thin films were fabricated on Pt coated Si (100) substrates by sol-gel techniques with molar ratio of (Ba+Sr) to Ti changing from 0.76 to 1.33. The effect of (Ba+Sr)/Ti ratio deviating from the stoichiometry on microstructure, grain growth, dielectric and tunable properties of BST thin films were investigated. TiO2 and (Ba,Sr)2TiO4 were found as a second phase at the ratios of 0.76 and 1.33, respectively. The variation of the ratio reveals more significant effect on the grain size in B-site rich samples than that in A-site rich samples. The dissipation factor decreases rapidly from 0.1 to 0.01 at 1 MHz with decreasing (Ba+Sr)/Ti ratio. The tunability increases with decreasing ratio from 1.33 to 1.05, and then decreases with decreasing ratio from 1.05 to 0.76. The film with (Ba+Sr)/Ti ratio of 1.05 has a maximum tunability of 32% and a dissipation factor of 0.03 at 1 MHz.
朱伟诚彭东文程晋荣孟中岩
关键词:介电性质
共3页<123>
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